【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本申请提供了一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置，其中所述的方法，包括：选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位；将1比特数据存储在一个存储位中。本申请能够用以提高NAND?Flash的读速度，为NAND?Flash取代NOR?Flash，降低flash内存的单位成本，并且能够实现单芯片更大的存储容量创造条件。【专利说明】一种非易失性存储器差分存储格的方法和装置
本申请涉及数据存储的
，特别是涉及一种非易失性存储器差分存储格的方法，以及，一种非易失性存储器差分存储格的装置。
技术介绍
NAND Flash:是flash内存的一种。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NOR Flash:是 flash 内存的一种。特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM(随机存储器)中。NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元...
【技术保护点】
一种非易失性存储器差分存储单元处理数据的方法，其特征在于，所述非易失性存储器包括若干存储块；所述存储块包括若干存储单元、一个源极选通管和一个漏极选通管，所述一个存储单元对应一个字线；所述的方法，包括：选取两个存储块，将两个存储块中同一字线上的存储单元并联，生成存储位；将1比特数据存储在一个存储位中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，张现聚，刘奎伟，丁冲，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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