【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路，用于将地址解码器解码操作后的解码信号经过二次反向后传输至SRAM单元，包括两个反相器，所述两个反相器各包括一个PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；本专利技术所设计的一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路较之传统驱动电路在上升时间方面有明显减小，在下降时间方面相仿，本专利技术提出的驱动电路有更好的驱动效果。【专利说明】—种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路
本专利技术涉及驱动电路，更具体地涉及一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路。
技术介绍
由于数字集成电路的功能越来越复杂，规模越来越大，片上集成的存储器已经成为数字电路系统中非常重要的一部分。近年来，静态随机存取存储器(SRAM)凭借着其供电即可保存数据，无需不断进行刷新的特点，成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分，被广泛应用于系统级芯片(SOC)中。据国际半导体技术蓝图(ITRS)的预测，到2013年内存将占到SOC面积的90%，这将导致芯片的功耗越来越取决于SRAM的功耗，而降低功耗最为明显和有效的方式是尽可能降低电...
【技术保护点】
一种用于SRAM亚阈值地址解码器的驱动电路，用于将地址解码器解码操作后的解码信号经过二次反向后传输至SRAM单元，其特征在于，包括两个反相器，所述两个反相器各包括一个PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，其中：地址解码器将解码信号传输至第一反相器中的第一PMOS晶体管的栅极和第一NMOS晶体管的栅极，所述第一PMOS晶体管的源端接第一电源电压，所述第一NMOS晶体管的源端接地，所述第一PMOS晶体管的漏端和第一NMOS晶体管的漏端用于共同输出第一逻辑电平反向信号；所述第二反相器中第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极用于共同输入上述第一逻辑电平反向信号，所述第二P...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李冰，尚壮壮，赵霞，王刚，刘勇，董乾，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：
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