一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元制造技术

本发明专利技术公开一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元，该静态随机存取存储器单元包括2个PMOS管和4个NMOS管，其中，每个NMOS管均采用非对称的MOS管；本发明专利技术通过采用非对称NMOS管，使得静态随机存储器在写入时因上拉比减小而写入裕量增加，在读出时因单元比增大而读出裕量增加，实现了提高读写裕量的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元
本专利技术关于一种静态随机存储器单元，特别是关于一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元。
技术介绍
静态随机存取存储器（SRAM）常被用于计算机系统中暂时存储数据。只要持续有电源提供，SRAM可保持其存储状态而不需要任何数据更新的操作。SRAM装置包括由“单元”组成的阵列，每个单元可存储一“位”数据。典型的SRAM单元可包括两个交叉藕接的反相器以及藕接反相器至两条互补位线的两个存取晶体管。两个存取晶体管是由字线控制以选择读或写操作所需的单元。在读取操作时，存取晶体管导通，以允许保留在交叉藕接的反相器的储存节点的电荷可通过位线与互补位线读取。在写入操作时，存取晶体管导通并且位线或互补位线的电压提高至一定程度的电压水平，以决定单元的存储状态。图1为传统的六晶体管静态随机存取存储器的结构图。图1中，传统的六晶体管静态随机存取存储器包括PMOS晶体管P1与P2以及NMOS晶体管N1、N2、N3与N4。其中PMOS晶体管P2的漏极藕接至NMOS晶体管N2的漏极，PMOS晶体管P1的漏极藕接至NMOS晶体管N1的漏极，NMOS晶体管N2与N1的源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元，该静态随机存取存储器单元至少包括2个PMOS管和4个NMOS管，其特征在于：每个NMOS管均采用非对称的MOS管。

【技术特征摘要】
1.一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元，该静态随机存取存储器单元至少包括2个PMOS管和4个NMOS管，其特征在于：每个NMOS管均采用非对称的MOS管，该非对称MOS管的静态随机存储器单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管，该第二PMOS晶体管的漏极耦接至该第二NMOS晶体管的漏极形成第二储存节点，该第一PMOS晶体管的漏极藕接至该第一NMOS晶体管的漏极形成第一储存节点，该第二NMOS晶体管与该第一NMOS管的源极耦接至一互补电压源,该第一PMOS管、该第二PMOS管源极接正电源，该第二PMOS晶体管的栅极与该第二NMOS晶体管的栅极耦接至该第一储存节点，该第一储存节点还耦接至该第三NMOS晶体管的漏极，该第一PMOS晶体管的栅极与该第一NMOS晶体管的栅极耦接至该第二储存节点，该第二储存节点还耦接至该第四NMOS晶体管的漏极，该第三NMOS晶体管耦接该第一储存节点至一位线，该第四NMOS晶体管耦接该第二储存节点至一互补位线，该第三NMOS晶体管与第四NMOS管的栅极都由字线控制，该第一NMOS管、该第二NMOS管、第三NMOS管及第四NMOS管均采用非对称MOS管。2.如权利要求1所述的一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元，其特征在于：该非对称的MOS管采用非对称轻掺杂漏极注入技术获得。3.如权利要求1所述的一种采用非对称MOS管的静态...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡剑，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：