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本发明公开一种采用非对称MOS管的静态随机存储器单元，该静态随机存取存储器单元包括2个PMOS管和4个NMOS管，其中，每个NMOS管均采用非对称的MOS管；本发明通过采用非对称NMOS管，使得静态随机存储器在写入时因上拉比减小而写入裕量增...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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