一种SRAM存储器以及位单元追踪方法技术

本发明专利技术公开了一种SRAM存储器以及位单元追踪方法，所述SRAM存储器的存储电路包括SRAM阵列，包括成行和成列设置的SRAM位单元；两个跟踪行，分别置于两部分SRAM阵列上部；两个跟踪列，分别置于SRAM阵列的两侧；两个dummy?cell，用来启动跟踪位线信号；两个dummy?SA读出放大器；跟踪位线，穿过跟踪列，与dummy?SA连接；跟踪字线，穿过跟踪行，与dummy?cell连接。本发明专利技术采用两条追踪路径，比较两个追踪路径的延迟时间，取其较大的来控制普通存储单元对应的读出放大器打开。因此，本发明专利技术的主要优点是能同时跟踪左右BL，wL，cell的情况，减少工艺波动、电压、温度对SRAM读操作的影响。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种SRAM存储器以及位单元追踪方法，所述SRAM存储器的存储电路包括SRAM阵列，包括成行和成列设置的SRAM位单元；两个跟踪行，分别置于两部分SRAM阵列上部；两个跟踪列，分别置于SRAM阵列的两侧；两个dummy?cell，用来启动跟踪位线信号；两个dummy?SA读出放大器；跟踪位线，穿过跟踪列，与dummy?SA连接；跟踪字线，穿过跟踪行，与dummy?cell连接。本专利技术采用两条追踪路径，比较两个追踪路径的延迟时间，取其较大的来控制普通存储单元对应的读出放大器打开。因此，本专利技术的主要优点是能同时跟踪左右BL，wL，cell的情况，减少工艺波动、电压、温度对SRAM读操作的影响。【专利说明】—种SRAM存储器以及位单元追踪方法
本专利技术涉及集成电路领域，具体涉及一种SRAM存储器以及位单元追踪方法。
技术介绍
近年来，静态随机存储器(SRAM)因为它的速度快、系统设计简单等优点，得到了大量而广泛的应用。SRAM单元通常是一个6晶体管单元，该晶体管单元具有两个相连的反相器以形成锁存器。只要有能量持续供给器件，横向交叉连接的反相器将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SRAM存储器，其特征在于，所述SRAM存储器的存储电路包括关于INTERNAL?CLK对称分布的若干个SRAM阵列。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李力南，翁宇飞，
申请(专利权)人：苏州宽温电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：