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一种SRAM存储器以及位单元追踪方法技术
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文档序号:9435207
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本发明公开了一种SRAM存储器以及位单元追踪方法,所述SRAM存储器的存储电路包括SRAM阵列,包括成行和成列设置的SRAM位单元;两个跟踪行,分别置于两部分SRAM阵列上部;两个跟踪列,分别置于SRAM阵列的两侧;两个dummy?cell...
该专利属于苏州宽温电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州宽温电子科技有限公司授权不得商用。
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