本发明涉及一种写辅助电路、静态随机存取存储器及其操作方法，写辅助电路包括电压跟踪电路和功率控制电路，电压跟踪电路基于外部时钟信号而参考两个定时延迟信号确定写使能信号的脉宽，其中，两个定时延迟信号分别由电源电压和外围电路电源电压供电；功率...

本发明涉及一种SRAM存储单元、SRAM存储器及电路芯片；其包括两组位线、数据锁存器、两组传输管和读写控制端；所述数据锁存器包括交叉耦合的第一反相器和第二反相器，所述读写控制端连接所述第一反相器和所述第二反相器，用于控制所述第一存储节点...

本发明涉及一种适用于存算一体的SRAM存储单元，本发明适用于存算一体的SRAM存储单元包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M5、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M13、NMOS管M3、NMOS管M4...

本公开是关于一种存储单元及存储器，涉及集成电路技术领域。该存储单元包括：第一上拉晶体管连接存储节点和电源电压；第二上拉晶体管连接反相存储节点和电源电压；第一端口模块包括第一传输晶体管、第二传输晶体管、第一字线、第一位线和第一反相位线，第...

本公开的实施方式提供了一种存储器特征化方法、芯片设计方法、存储介质和电子设备。该存储器特征化方法包括：根据预设的温度、电压和工艺偏差条件，确定存储器对应的初始时序功耗特征数据；根据初始时序功耗特征数据及存储器的基础特征数据的关系，确定对...

本实用新型公开了一种存储器的写辅助电路，包括控制模块的输入端连接有写入模块，所述控制模块的输入端连接有电压检测模块，所述控制模块的输入端还连接有温度检测模块，所述控制模块的输出输入端均与防缓冲区模块输出输入端相互连接，所述一段数据缓存模...

本实用新型涉及存储器电路技术领域，具体为一种位线电荷共享高速存储器电路，包括电路控制单元，所述电路控制单元的输出端连接有驱动模块，且驱动模块的输出端连接有辅助电路模块，所述电路控制单元的输出端还连接有存储器阵列单元，且存储器阵列单元的输...

本实用新型公开了一种高速读取的SRAM电路结构，包括低电平片选模块，所述低电平片选模块的电性输出端连接有读控制电路模块，且读控制电路模块的电性输出端连接有读地址线模块，SRAM储存器模块，其连接在所述译码器模块的电性输出端，数据判断模块...

本发明公开了一种基于深度度量学习的EDA电路失效分析方法，包括步骤：一、根据原始分布对EDA电路样本进行蒙特卡罗采样，生成蒙特卡罗采样样本，并进行蒙特卡罗仿真，得到失效仿真结果；二、通过步骤一的蒙特卡罗采样样本和失效仿真结果，训练一个能...

本发明公开了一种基于多层感知器神经网络的电路良率分析方法，包括步骤：一、均匀分布采样：针对电路器件的各项工艺变化参数，采用均匀分布采样的方法得到总量样本；二、蒙特卡罗仿真：采用蒙特卡洛仿真方法对总量样本进行电路仿真，获得电路失效样本；三...

本发明公开了一种SRAM存储器的两级流水线架构及其数据读写方法，其SRAM存储器的两级流水线架构包括一前一后设置的译码器和存储阵列读写通路，所述译码器的输入端口设置有第一寄存器组，所述译码器的输出端口与存储阵列读写通路的输入端口之间设置...

本发明是一种改善P型NVM存储器NBTI效应的差分架构存储单元，该存储单元由P型NVM存储单元及NBTI恢复电路组成，所述P型NVM存储单元为浮栅型架构或者为基于标准CMOS工艺的逻辑结构NVM存储单元。本发明在传统P型NVM存储单元的...

本发明提供了一种石墨烯复合材料的制备方法，包括以下制备步骤：先配成含葡萄糖的水溶液；再进行水热反应，反应完后于蒸干；然后在混合保护气氛下，高温碳化；然后在超声条件下氧化，再超声分散并与金属盐、抗坏血酸、氢氧化钠、乙二醇和聚乙烯亚胺搅拌均...

本发明提供了一种石墨烯复合材料及其制备方法。制备方法如下：先将石墨粉、硫酸钾、五氧化二磷和浓硫酸混合加热反应，过滤，洗至中性后干燥，在冰浴条件下和浓硫酸混合，慢慢加入高锰酸钾搅拌，加入去离子水和双氧水，过滤，洗至中性后干燥，和去离子水混...

本发明公开了一种耐磨耐候电缆护套材料及其制备方法。该护套材料，包括以下组分，以重量份数计为：氯化聚乙烯62~85份、氟硅橡胶28~40份、鳞片石墨粉6~17份、二盐基邻苯二甲酸铅2~7份、聚乙烯蜡3~6份、地沟油1~5份、蓖麻油酸钙1~...

本发明属于陶瓷材料领域，本发明公开了一种耐酸碱的复合陶瓷材料的制备方法，所述的复合陶瓷材料包括二氧化硅13-22份、钛酸钡12-18份、氧化镁6-11份、二硼化镁5-12份、氧化钙3-8份、硅酸钠2-5份、硼酸钙3-7份、碳化钨4-7份...

本发明公开了一种晶须增强压电陶瓷材料及其制备方法,上述晶须增强压电陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成：氮化硅55-60份、聚乙烯醇10-15份、二氧化锆10-12份、锂霞石5-8份、碳化硅晶须4-7份、聚碳硅烷3-6份、聚铝硅氧烷2-...

本发明公开了一种导电陶瓷材料及其制备方法，上述导电陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成：三氧化铝65-70份、锂辉石25-30份、铁氧体5-8份、碳化钛2-5份、三氧化二锑2-3份、纳米碳化硅粉末1-2份、聚硅酸铝铁1-2份、碳酸锶0....

本发明公开了一种纳米压电陶瓷材料及其制备方法,上述纳米压电陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成：氧化铝60-68份、钛酸钡8-12份、长石8-11份、二硼化锆3-6份、钛酸锂5-8份、五氧化二铌2-4份、三氧化二铋2-4份、聚铝硅氧烷2...

本发明公开了一种耐高温陶瓷材料及其制备方法,上述耐高温陶瓷材料，由包含以下重量份的组分制成：氧化铝45-55份、钛酸钡25-35份、二氧化锆11-15份、锂霞石3-7份、氧化镁3-5份、二氧化硅2-5份、五氧化二铌2-3份、二硼化锆2-...