用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质制造方法及图纸

技术编号:44143485 阅读:22 留言:0更新日期:2025-01-29 10:19
本申请提供了一种用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质,方法包括:以工艺参数集中的至少部分工艺参数作为向量元素生成第一向量;将第一向量输入第一预测模型,获得存储器的性能指标的第一预测值;根据第一预测模型中系数为零的输入变量,将第一向量中的作为该输入变量的向量元素删除,获得第二向量;将第二向量输入第二预测模型,获得性能指标的第二预测值,并将第二向量输入第三预测模型,获得性能指标的第三预测值;第二预测模型的拟合方差小于第三预测模型,且第三预测模型的拟合偏差小于第二预测模型;将第一预测值、第二预测值和第三预测值输入组合预测模型,获得性能指标的第四预测值,第四预测值用于指示性能指标的值。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及电子设备的性能预测,尤其涉及一种用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质


技术介绍

1、随着集成电路工艺的进步,存储器单元的面积越来越小,单颗芯片上集成的存储器越来越大,从而导致提高成品率越来越难。为了设计高可靠性存储器,需要对存储器的性能进行模拟。现有技术中通常采用蒙特卡洛(monte carlo,mc)仿真对存储器的性能进行模拟,然而由于存储器是由数以百万计的晶体管电路构成,并且采用蒙特卡洛仿真需对存储器进行晶体管级的模拟仿真,所以采用蒙特卡洛仿真针对存储器的性能进行相应的仿真运算耗很长的时间。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请实施例提供一种用于存储器的性能预测方法、装置、电子设备和存储介质,以至少部分解决上述问题。

2、根据本申请实施例的第一方面,提供了一种用于存储器的性能预测方法,包括:获取存储器的工艺参数集,以所述工艺参数集中的至少部分工艺参数作为第一向量的向量元素生成第一向量;其中,所述工艺参数集中的工艺参数包括以下至少之一:所述存储器包括的mos管的阈值本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于存储器的性能预测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述工艺参数集中的至少部分工艺参数作为第一向量的向量元素生成第一向量,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据各所述第一向量对应的所述第四预测值,确定所述存储器的良率,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预测模型为线性回归模型,所述第二预测模型为随机森林回归模型,所述第三预测模型为梯度提升回归树模型。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括所述第一预测模型、所述第二预测模型、所述第三预测模型...

【技术特征摘要】

1.一种用于存储器的性能预测方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述以所述工艺参数集中的至少部分工艺参数作为第一向量的向量元素生成第一向量,包括:

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述根据各所述第一向量对应的所述第四预测值,确定所述存储器的良率,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预测模型为线性回归模型,所述第二预测模型为随机森林回归模型,所述第三预测模型为梯度提升回归树模型。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,还包括所述第一预测模型、所述第二预测模型、所述第三预测...

【专利技术属性】
技术研发人员:张琦瑢周戬朱胜兰佘一奇
申请(专利权)人:苏州宽温电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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