【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非易失性存储器单元，其特征在于，所述非易失性存储器单元包含：一存取晶体管；以及一第一非易失性存储器晶体管和一第二非易失性存储器晶体管，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管的控制栅极相连接，而所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管的漏极电极耦接至所述存取晶体管的源极电极；其中，于一读取模式中，所述第一非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至一操作电压端，而所述第二非易失性存储器晶体管的源极电极耦接至一接地端；以及其中，在配置后的所述读取模式中，所述第一非易失性存储器晶体管和所述第二非易失性存储器晶体管分别被导通和被切断，而所述存取晶体管的漏极电极产生一输出信号，所述输出信号对应于连接至导通非易失性存储器晶体管的所述操作电压端及所述接地端的其一所承载的电压。
【技术特征摘要】
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