非易失性存储器、其的读取方法和包括其的存储系统技术方案

提供了一种非易失性存储器、该非易失性存储器的读取方法以及包括非易失性存储器的存储系统。非易失性存储器设备包括存储单元阵列和通过位线连接到存储单元阵列的读/写电路。该非易失性存储器设备的读取方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括：使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；并输出安全解码的结果。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器、其的读取方法和包括其的存储系统对相关申请的交叉引用本专利技术要求于2012年7月19日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0078838号的优先权，其全部内容通过引用被合并于此。
这里描述的专利技术构思涉及一种非易失性存储器、一种非易失性存储器的读取方法以及一种包括非易失性存储器的存储系统。
技术介绍
半导体存储设备是采用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体制造的存储设备。一般将半导体存储设备分类为易失性存储设备或非易失性存储设备。易失性存储设备的特征是在断电条件下丢失所存储的内容。易失性存储设备的示例包括某些类型的随机存取存储器(RAM)，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。相反，非易失性存储设备的特征在于即使在断电条件期间也保留所存储的内容。非易失性存储设备的示例包括只读取存储器(ROM)、可编程ROM (PR0M)、电可编程ROM(EPR0M)、电可擦除可编程ROM (EEPROM)、闪存存储设备、相变RAM (PRAM)、磁RAM (MRAM)、阻性RAM (RRAM)、铁电RAM (FRAM)等。其中，闪存存储设备通常被配置为NOR型闪存或NAND型闪存。
技术实现思路
本专利技术构思的示范实施例提供一种非易失性存储器的读取方法，其中非易失性存储包括存储单元阵列和通过位线连接到该存储单元阵列的读/写电路。该方法包括:接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作。该安全读取操作包括:使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据；将读取的安全数据存储在寄存器中；使用所接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；以及输出安全解码的结果。本专利技术构思的示范实施例也提供一种非易失性存储器，包括:存储单元阵列，包括安全数据区和用户数据区；读/写电路，通过位线连接到存储单元阵列；和控制逻辑，包括寄存器。控制逻辑配置为响应于所接收的安全读取请求和安全信息来执行安全读取操作。该安全读取操作包括:使用读/写电路从存储单元阵列的安全数据区中读取安全数据；将读取的安全数据存储在控制逻辑的寄存器中；使用所接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；以及输出安全解码的结果。本专利技术构思的示范实施例也提供一种存储系统，其包括:非易失性存储器，包括存储单元阵列和读/写电路，其中该存储单元阵列包括安全数据区和用户数据区，以及该读/写电路通过位线连接到存储单元阵列。该存储系统还包括被配置为控制非易失性存储器的控制器。非易失性存储器被配置为响应于从控制器接收的安全读取请求和安全信息来执行安全读取操作。该安全读取操作包括:使用读/写电路从存储单元阵列的安全数据区中读取安全数据；使用所接收的安全信息对读取的安全数据执行安全解码；重置读/写电路；以及输出安全解码的结果。【附图说明】通过参考附图的以下描述以上和其他目的和特征将变得清楚，其中贯穿各图相似参考数字表示相似部分，除非另有规定。图1是示意图示根据本专利技术构思的实施例的非易失性存储器的框图。图2是在描述图1所示的非易失性存储器的正常读取操作中用于参考的图。图3是在描述图1所示的非易失性存储器的安全数据读取操作中用于参考的图。图4是图示根据本专利技术构思的实施例的读取方法的流程图。图5是图示与图4所示的读取方法对应的读取方法的实施例的流程图。图6是图示根据本专利技术构思的实施例的、在安全读取操作的执行期间当接收重置请求时的操作的流程图。图7是示意图示根据本专利技术构思的实施例的存储系统的框图。图8是图示根据本专利技术构思的实施例的图7所示的存储系统的读取方法的流程图。图9是图示图7所示的存储系统的应用示例的框图。图10是图示根据本专利技术构思的实施例的存储卡的图。图11是图示根据本专利技术构思的实施例的固态驱动器的图。图12是根据本专利技术构思的实施例的存储系统。图13是图示图12所示的主机系统的操作方法的示例的流程图。图14是示意图示根据本专利技术构思的实施例的内容管理系统的框图。图15是图示根据本专利技术构思的实施例的内容管理系统的操作方法的流程图。图16是图示根据本专利技术构思的另一实施例的内容管理系统的操作方法的流程图。【具体实施方式】将参考附图来更详细地描述各实施例。但是，本专利技术构思可以以不同的形式来实施，而不应被理解为仅限于说明的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，从而本公开将彻底和完整，并将向本领域的技术人员全面传达本专利技术构思。因此，对于本专利技术构思的某些实施例，没有描述公知的过程、组件和技术。除非另外规定，否则贯穿附图和所撰写的说明，相似参考数字表示相似部分，因此其描述不会重复。在附图中，各层和各区域的尺寸和相对尺寸可以为了清晰被放大。将会理解，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域，层或部分与另一区域、层或部分。从而，在不脱离本专利技术构思的教导的情况下，下面论述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分。为了便于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“低”、“在……下面”、“在……上”、“高”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征对另一(些)元件或特征的关系。应该理解，空间相对术语旨在涵盖除了图中描绘的方向之外的、使用或操作中的设备的不同方向。例如，如图附图中的设备被翻转，则描述为在另一元件或特征“下面”的元件将位于另一元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“在……下面”和“下方”可以包含在上面和在下面两个方向。设备还可以被另外定向(旋转90度或其它方向)，且这里使用的空间相关的描述可以被相应地解释。此外，还应该理解，当层被称为“在两层之间”时，它可以是在该两层之间的唯一层，或者还可以存在一个或多个中间层。这里使用的术语仅用于描述特定示例性实施例的目的，而不是要限制本专利技术构思。如这里所用，除非上下文清楚地指示外，单数形式“一个”和“该”旨在同时包含复数形式。还可以理解，术语“包含”和/或“包括”在说明书中使用时，表示所述特征、整体、步骤、操作、元件和或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或增加。如这里使用的，术语“和/或”包括包括一个或更多个列出的关联条目的任意和所有组合。同样，术语“示范”意图表示示例或说明。将会理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”、“耦接到”或“相邻于”另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层之上，直接连接到、耦接到或相邻于另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。相反，当元件被称为“直接在其上”、“直接连接到”或“直接耦接到”或“紧邻于”另一元件或层时，不存在中间元件或层。除非另有定义，否则这里所使用的所有术语具有与本专利技术所属领域的一名普通技术人员所通常理解的相同的含义。还应当明白，诸如在通用字典中定义的那些术语应当被解释为具有与相关技术和本公开的上下文的其含义一致的含义，而不应当以理想化或过于形式化的意义本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器的读取方法，该非易失性存储器包括存储单元阵列和通过位线与存储单元阵列连接的读/写电路，该方法包括：接收安全读取请求；接收安全信息；以及响应于安全读取请求来执行安全读取操作，安全读取操作包括使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据，将读取的安全数据存储在寄存器中，使用所接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码，重置读/写电路，并输出安全解码的结果。

【技术特征摘要】
2012.07.19 KR 10-2012-00788381.一种非易失性存储器的读取方法，该非易失性存储器包括存储单元阵列和通过位线与存储单元阵列连接的读/写电路，该方法包括: 接收安全读取请求； 接收安全信息；以及 响应于安全读取请求来执行安全读取操作，安全读取操作包括使用读/写电路从存储单元阵列中读取安全数据，将读取的安全数据存储在寄存器中，使用所接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码，重置读/写电路，并输出安全解码的结果O2.根据权利要求1所述的读取方法，其中，在将读取的安全数据存储在寄存器中之后执行读/写电路的重置。3.根据权利要求1所述的读取方法，还包括: 当安全解码的结果指示读取的安全数据与安全信息相关时，允许对存储在非易失性存储器中的用户数据的访问；以及 当安全解码的结果指示读取的安全数据与安全信息不相关时，禁止对存储在非易失性存储器中的用户数据的访问。4.根据权利要求1所述的读取方法，其中，安全解码的结果被存储在寄存器中。5.根 据权利要求4所述的读取方法，其中，存储在寄存器中的安全解码的结果被输出到外部设备。6.根据权利要求1所述的读取方法，还包括: 在输出安全解码的结果之后重置寄存器。7.根据权利要求1所述的读取方法，还包括: 在安全读取操作的执行期间接收重置请求； 执行重置操作，包括停止安全读取操作的执行和重置非易失性存储器；以及 在重置操作的执行期间重置寄存器。8.根据权利要求1所述的读取方法，还包括: 在安全读取操作的执行期间接收重置请求； 执行重置操作，包括停止安全读取操作的执行和重置非易失性存储器；以及 在重置操作的执行期间重置读/写电路。9.一种非易失性存储器，包括: 存储单元阵列，包括安全数据区和用户数据区； 读/写电路，通过位线连接到存储单元阵列；和 控制逻辑，包括寄存器， 其中，控制逻辑被配置为响应于所接收的安全读取请求和安全信息来执行安全读取操作，安全读取操作包括使用读/写电路从存储单元阵列的安全数据区中读取安全数据，将读取的安全数据存储在控制逻辑的寄存器中，使用所接收的安全信息对存储在寄存器中的读取的安全数据执行安全解码，重置读/写电路，并输出安全解码的结果。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器，其中，控制逻辑被配置为在将读取的安全数据存...

【专利技术属性】
技术研发人员：李承宰，李真烨，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：