一种碳酰氟的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种碳酰氟的制备方法，属于氟化工、电子工业气体领域。所述方法通过一氧化碳和含氟物质反应制备碳酰氟；所述含氟物质为四氟化碳、三氟化硼、三氟化氮、四氟化硫、六氟化硫、三氟化磷、五氟化磷、硫酰氟或六氟乙烷中的至少一种；选择了有利反应条件，如温度、压力、含氟物质与一氧化碳的比例和含氟物质供气流量；所述方法还可添加稀释介质进行稀释或使用催化剂催化反应；所述方法不使用氟气，降低了反应器的腐蚀、反应热、反应剧烈程度、潜在爆炸的危险性以及副反应引起的收率下降，可安全、经济和有效地制备碳酰氟。本发明专利技术还提供了在一氧化碳和氟气反应制备碳酰氟中使用的稀释介质。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，属于氟化工、电子工业气体领域。
技术介绍
目前，在半导体制造装置和液晶制造工序中，通常用以全氟烃为代表的气体，如全氟化碳(PFC)或三氟化氮(NF3),作为常规的刻蚀气体和清洁气体，但是上述常规气体通常具有较大的全球变暖潜能(GWP，Global Warming Potential)值，均属于温室气体，为了减少温室效应，需要开发具有低GWP值的替代产品。碳酰氟(COF2)又称羰基氟、氟光气，清洗特性优良，清洗效果不逊于全氟化碳和三氟化氮，具有较低GWP值 。由于碳酰氟与水发生反应分解为二氧化碳(C02)，其在大气中能迅速分解，即使考虑生成的CO2，其GWP值100年也仅为0.7左右。因此，碳酰氟与所述常规清洁气体相比具有大大削弱温室效应的效果；另外，由于碳酰氟遇水分解为CO2，工业应用中残余的碳酰氟，可用水清洗机轻松除去，不需要全氟化碳和三氟化氮的废气去除装置，减少了制造工序的能量消耗，目前己有碳酰氟在液晶工业中实用化的报道(日本经济产业新闻“转换成液晶生产用清洗气COF2”，2005年6月30日)。因此，碳酰氟作为全氟化碳和三氟化氮等化学气相沉积(CVD )腔室清本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳酰氟的制备方法，其特征在于：通过一氧化碳和含氟物质反应制备碳酰氟；所述含氟物质为四氟化碳、三氟化硼、三氟化氮、四氟化硫、六氟化硫、三氟化磷、五氟化磷、硫酰氟或六氟乙烷中的至少一种。

【技术特征摘要】
1.一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:通过一氧化碳和含氟物质反应制备碳酰氟；所述含氟物质为四氟化碳、三氟化硼、三氟化氮、四氟化硫、六氟化硫、三氟化磷、五氟化磷、硫酰氟或六氟乙烷中的至少一种。2.根据权利要求1所述的一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:反应温度为50°C 2000°c，反应压力为-0.09MPa 5MPa。3.根据权利要求2所述的一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:反应温度为100°C 1000°C，反应压力为-0.05MPa IMPa。4.根据权利要求1所述的一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:含氟物质中氟原子与一氧化碳的物质的量之比为0.1 600:1。5.根据权利要求4所述的一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:含氟物质中氟原子与一氧化碳的物质的量之比为0.5 60:1。6.根据权利要求1所述的一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:以氟原子计，含氟物质的供气流量为0.02mVh 1200m3/h。7.根据权利要求6所述的一种碳酰氟的制备方法，其特征在于:以氟原子计，含氟物质...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋玉贵，孟祥军，董云海，李丹丹，朱文东，乔蓓蓓，
申请(专利权)人：中国船舶重工集团公司第七一八研究所，
类型：发明
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