一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法技术

一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法，它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明专利技术的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成；方法：一、称量；二、球磨制浆料；三、干燥制粉；四、预压成型；五、冷等静压处理；六、烧结处理，即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明专利技术优点：降低了制备成本高，提高了效率，降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明专利技术主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
随着科学技术的日新月异，空间飞行器的飞行速度的机动能力得到大幅提高，这就对天线窗或天线罩材料的选取提出了更加严苛的要求。高马赫数飞行器要求透波材料具有高耐热性，良好的抗热冲击性能和稳定的介电性能，但现有的陶瓷透波材料的性能显然无法满足使用要求；现有采用热压方法制备的氮化硼基复合材料虽然满足高马赫数飞行器要求，但是现有采用热压方法制备氮化硼基复合材料存在制备成本高和效率低，且采用热压方法制备氮化硼基复合材料制备过程中对热压模具要求较高(要求热压模具的体积大于产品的体积，否则无法制备)，因此难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题，提供一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法。一种BN-Si2N2O复合陶瓷按体积百分比由15% 40%的非晶态纳米二氧化硅、5% 30%的氮化硅粉末和30% 80%六方氮化硼粉末制成；且其中所述氮化硅粉末与非晶态纳米氧化硅的体积比小于I。一种BN-Si2N2O复合陶瓷的制备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BN?Si2N2O复合陶瓷，其特征在于BN?Si2N2O复合陶瓷按体积百分比由15%～40%的非晶态纳米二氧化硅、5%～30%的氮化硅粉末和30%～80%六方氮化硼粉末制成；且其中所述氮化硅粉末与非晶态纳米氧化硅的体积比小于1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾德昌，田卓，段小明，杨治华，叶书群，周玉，张培峰，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：