嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法制造技术

一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法，该嵌埋穿孔中介层的封装基板包括：模封层、嵌埋于该模封层中且具有多个导电穿孔的穿孔中介层、嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层上并电性连接该导电穿孔的其中一端面的线路重布层、以及设于该模封层与穿孔中介层上并电性连接该导电穿孔的另一端面的增层结构。借由嵌埋该穿孔中介层，使该线路重布层以电性结合间距较小的半导体芯片的电极垫，而另一端电性连接间距较大的增层结构的导电盲孔，令该封装基板可结合具有高布线密度的半导体芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种封装基板及其制法，尤指ー种承载半导体芯片用的嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法。
技术介绍
如图1所示，其为现有倒装芯片封装结构的剖视示意图，该封装结构的エ艺先提供一具有核心板102、第一表面IOa及第ニ表面IOb的双马来酰亚胺-三氮杂苯(Bismaleimide-Triazine, BT)封装基板10,且于该封装基板10的第一表面IOa形成有倒装芯片焊垫100 ;再借由焊锡凸块11电性连接半导体芯片12的电性连接垫120 ;接着，于该封装基板10的第一表面IOa与该半导体芯片12之间形成底胶17，以包覆该焊锡凸块11 ；又于该封装基板10的第二表面IOb具有植球垫101，以借由焊球13电性连接例如为印刷电路板的另ー电子装置(未表示于图中)。然而，为了增进该半导体芯片12的电性效能，所以于该半导体芯片12的后端エ艺(Back-End Of Line,BE0L)中通常将米用超低介电系数(Extreme low-k dielectric,ELK)或超低介电常数(Ultra low-k, ULK)的介电材料，但该低k的介电材料为多孔且易脆的特性，以致于当进行倒装芯片封装后，在信赖度热循环测试时，将因该封装基板10与该半导体芯片12之间的热膨胀系数(thermal expansion coefficient, CTE)差异过大，导致该焊锡凸块11易因热应カ不均而产生破裂，使该半导体芯片12产生破裂，造成产品可靠度不佳。此外，随着电子产品更趋于轻薄短小及功能不断提升的需求，该半导体芯片12的布线密度愈来愈高，以纳米尺寸作単位，因而各该电性连接垫120之间的间距更小；然而，现有封装基板10的倒装芯片焊垫100的间距以微米尺寸作単位，而无法有效缩小至对应该电性连接垫120的间距的大小，导致虽有高线路密度的半导体芯片12，却未有可配合的封装基板，以致于无法有效生产电子产品。因此，如何克服现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的种种缺失，本专利技术的主要目的在于提供一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法，使封装基板可结合具有高布线密度的半导体芯片，而达到整合高布线密度的半导体芯片的目的。本专利技术的另一目的在于提供一种嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法，可避免该半导体芯片与该穿孔中介层之间的焊锡凸块破裂，有效使产品的可靠度提升。本专利技术所提供的嵌埋穿孔中介层的封装基板包括:模封层；嵌埋于该模封层中的穿孔中介层，其具有多个导电穿孔，该导电穿孔的相对两端面均外露于该穿孔中介层；嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层上的线路重布层，其电性连接该导电穿孔的其中一端面；以及设于该模封层与穿孔中介层上的增层结构，其电性连接该导电穿孔的另一端面。本专利技术还提供一种嵌埋穿孔中介层的封装基板的制法，其包括:提供一具有多个导电穿孔的穿孔中介层，该导电穿孔的相对两端面均外露于该穿孔中介层，又于该穿孔中介层上形成电性连接该导电穿孔一端面的线路重布层；将一模封层包覆该穿孔中介层，使该穿孔中介层与线路重布层嵌埋于该模封层中；以及于该模封层、该穿孔中介层上形成电性连接该导电穿孔另一端面的增层结构。前述的嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法中，该导电穿孔的另一端面可凸出该穿孔中介层，以作为导电凸块，以供电性连接该增层结构。由上可知，本专利技术嵌埋穿孔中介层的封装基板及其制法中，其借由嵌埋该穿孔中介层，使该导电穿孔的其中一端电性连接该线路重布层以电性结合间距较小的半导体芯片的电性连接垫，而另一端电性连接间距较大的增层结构的导电盲孔，使该封装基板可结合具有高布线密度的半导体芯片，而达到整合高布线密度的半导体芯片的目的。所以借由该中介层，不仅可解决缺乏可配合的封装基板的问题，且不会改变IC产业原本的供应链(,supply chain)及石出设备(infrastructureノ。此外，若将半导体芯片设于该穿孔中介层上，因该穿孔中介层的热膨胀系数与半导体芯片的热膨胀系数相近，所以可避免该半导体芯片与该穿孔中介层之间的焊锡凸块破裂，有效使产品的可靠度提升。再者，借由将该穿孔中介层嵌埋于该模封层中，可降低整体结构的厚度，且借由于该模封层的第二表面上形成增层结构，所以无需使用现有技术的核心板，也可降低整体结构的厚度。附图说明图1为现有倒装芯片封装结构的剖视示意图；图2A至图2J为本专利技术嵌埋穿孔中介层的封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图；图21’、图21”为图21的其它实施例，图2J’、图2J”、图2K为图2J的其它实施例；图3A至图3E为本专利技术嵌埋穿孔中介层的封装基板的制法的第二实施例的剖视示意图；图3D’、图3D”为图3D的其它实施例，图3E’、图3E”为图3E的其它实施例；以及图4A、图4A’及图4A”为本专利技术嵌埋穿孔中介层的封装基板的第三实施例的剖视示意图。主要组件符号说明10，3，3’，3”，4，4’，4” 封装基板10a，22a，22a，，22a”第一表面10b, 22b第二表面100倒装芯片焊垫101植球垫102核心板11焊锡凸块12半导体芯片 120电性连接垫13，25焊球17底胶2，2’，2”，5封装基板20,30穿孔中介层20’中介层20a, 30a第一侧20b,20b,,30b第二侧200,300导电穿孔200’穿孔200a, 300a第一端面200b, 300b第二端面201绝缘层21线路重布层210电极垫22模封层220,240开孔23增层结构230介电层230a线路槽231，231’线路层232，232’导电盲孔233电性接触垫24绝缘保护层301导电凸块K，L假想线。具体实施例方式以下借由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所掲示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，所以不具技术上的实 质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所掲示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，也当视为本专利技术可实施的范畴。请參阅图2A至图2J，其为本专利技术嵌埋穿孔中介层的封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图。如图2A所示，提供一中介层20’，该中介层20’具有相対的第一侧20a与第二侧20b’，再于该中介层20’的第一侧20a形成多个穿孔200’。于本实施例中，该中介层20’的材质为硅。如图2B所示，于该穿孔200’的侧壁与底部上形成绝缘层201，再于该穿孔200’中形成铜材，以形成导电穿孔200，该导电穿孔200具有对应该中介层20’的第一侧20a与第ニ侧20b’的第一端面200a与第二端面200b。于本实施例中，形成该导电穿孔200的材质也可为镍、金、钨、铝或导电膏，而该绝缘层201的材质可为Si02、Si3N4或Polymer,又该导电穿孔200的第一端面200a与该中介层20’的第一侧20a齐平。另外，要补充说明的是，本专利技术的中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种嵌埋穿孔中介层的封装基板，其包括：模封层，其具有相对的第一表面及第二表面；穿孔中介层，其嵌埋于该模封层中，且具有相对的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分别具有第一端面与第二端面，且该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面与该模封层的第二表面齐平；线路重布层，其嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上，并电性连接该导电穿孔的第一端面，而该线路重布层的最外层具有电极垫；以及增层结构，其设于该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面上，且具有至少一介电层、嵌埋于该介电层中的线路层、及设于该介电层中并电性连接该线路层的多个导电盲孔，而部分的导电盲孔对应电性连接该导电穿孔的第二端面。

【技术特征摘要】
2011.10.31 TW 1001396671.一种嵌埋穿孔中介层的封装基板，其包括: 模封层，其具有相对的第一表面及第ニ表面； 穿孔中介层，其嵌埋于该模封层中，且具有相対的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分別具有第一端面与第二端面，且该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面与该模封层的第二表面齐平； 线路重布层，其嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上，并电性连接该导电穿孔的第一端面，而该线路重布层的最外层具有电极垫；以及 增层结构，其设于该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电穿孔的第二端面上，且具有至少一介电层、嵌埋于该介电层中的线路层、及设于该介电层中并电性连接该线路层的多个导电盲孔，而部分的导电盲孔对应电性连接该导电穿孔的第二端面。2.根据权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在干，该导电穿孔的侧壁上具有绝缘层。3.根据权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括绝缘保护层，其设于该增层结构上，且具有多个开孔，以外露部分的线路层，以供作为电性接触垫。4.根据权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该模封层覆盖该电极垫。5.根据权利要求1所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该电极垫外露于该模封层的第一表面。6.一种嵌埋穿孔中介层的封装基板，其包括: 模封层，其具有相对的第一表面及第ニ表面； 穿孔中介层，其嵌埋于该模封层中，且具有相対的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第二侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分別具有第一端面与第二端面，且该第二侧外露于该模封层的第二表面，又该导电穿孔的第二端面凸出该穿孔中介层的第二侧与该模封层的第二表面，以作为导电凸块； 线路重布层，其嵌埋于该模封层中且设于该穿孔中介层的第一侧与该导电穿孔的第一端面上，并电性连接该导电穿孔的第一端面，而该线路重布层的最外层具有电极垫；以及 增层结构，其设于该模封层的第二表面、该穿孔中介层的第二侧与该导电凸块上，且具有至少一介电层、设于该介电层上的线路层、及设于该介电层中并电性连接该线路层的多个导电盲孔，而部分的导电盲孔对应电性连接该导电凸块。7.根据权利要求6所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在干，该导电穿孔的侧壁上具有绝缘层。8.根据权利要求6所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该封装基板还包括绝缘保护层，其设于该增层结构上，且具有多个开孔，以外露部分的线路层，以供作为电性接触垫。9.根据权利要求6所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在干，该线路层嵌埋于该介电层中。10.根据权利要求6所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该模封层覆盖该电极垫。11.根据权利要求6所述的嵌埋穿孔中介层的封装基板，其特征在于，该电极垫外露于该模封层的第一表面。12.一种嵌埋穿孔中介层的封装基板的制法，其包括: 提供一穿孔中介层，该穿孔中介层具有相対的第一侧与第二侧、及连通该第一侧与第ニ侧的多个导电穿孔，该导电穿孔于该第一侧与第二侧上分...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡迪群，曾子章，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，苏州群策科技有限公司，
类型：发明
国别省市：