【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基板结构及其制作方法，尤其涉及一种电路板结构及其制作方法。
技术介绍
1、现今电子产品功能多元且效能更强，产品需求的i/o数也随之升高，因而使得产品接点尺寸(pad size)及接点间距(pad pitch)越来越小。此外，上述需求也造成表面处理制程不易制作，尤其是在细间距(fine space)的产品上，因在移除暂时载板后即进行表面处理程序，易导致架桥问题(bridge issue)而产生电性短路。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种电路板结构，其具有较佳的结构可靠度。
2、本专利技术还针对一种电路板结构的制作方法，用以制作上述的电路板结构。
3、根据本专利技术的实施例，电路板结构包括承载板、薄膜重布层、多个焊球以及表面处理层。薄膜重布层配置于承载板上。薄膜重布层包括第一介电层、多个接垫、第一金属层、第二介电层、第二金属层以及第三介电层。第一介电层具有彼此相对的顶表面与第一表面以及多个第一开口。接垫分别位于第一开口内，且每一接垫具有上表面，而顶表面高于上表面。第一金属层配置在第一介电层的第一表面上。第二介电层覆盖第一介电层及第一金属层且具有暴露出部分第一金属层的多个第二开口。第二金属层配置于第二介电层上且延伸至第二开口内与第一金属层电性连接。第三介电层覆盖第二介电层及第二金属层且具有暴露出部分第二金属层的多个第三开口。焊球配置于薄膜重布层的第三介电层与承载板之间且填充于第三开口内。焊球电性连接薄膜重布层的第二金属层与承载板。表面处理层
4、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的表面处理层的表面切齐于第一介电层的顶表面。
5、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的表面处理层的表面低于第一介电层的顶表面。
6、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的表面处理层的表面突出于第一介电层的顶表面。
7、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的每一接垫还具有相对于上表面的第二表面，且第二表面切齐于第一介电层的第一表面。
8、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的第一介电层的第一开口暴露出部分第一金属层而定义为接垫。
9、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的电路板结构还包括图案化种子层，配置于第一金属层上，且部分图案化种子层位于第一金属层与第一介电层之间。第一介电层的第一开口暴露出部分图案化种子层而定义为接垫。
10、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的电路板结构还包括底胶，填充于薄膜重布层的第三介电层与承载板之间且覆盖焊球。
11、在根据本专利技术的实施例的电路板结构中，上述的第一介电层、第二介电层以及第三介电层分别为光敏介电层。
12、根据本专利技术的实施例，电路板结构的制作方法，其包括以下步骤。形成薄膜重布层于暂时载板上。薄膜重布层包括第一介电层、金属层、第一金属层、第二介电层、第二金属层以及第三介电层。第一介电层与金属层形成于暂时载板上。第一介电层具有多个第一开口，而金属层位于第一开口内。第一介电层相对远离暂时载板的第一表面切齐于金属层相对远离暂时载板的第二表面。第一金属层形成在第一介电层与金属层上。第二介电层覆盖第一介电层及第一金属层且具有暴露出部分第一金属层的多个第二开口。第二金属层配置于第二介电层上且延伸至第二开口内与第一金属层电性连接。第三介电层覆盖第二介电层及第二金属层且具有暴露出部分第二金属层的多个第三开口。通过多个焊球将薄膜重布层组装至承载板上。焊球位于第三介电层与承载板之间且填充于第三开口内。焊球电性连接第二金属层与承载板。将薄膜重布层组装至承载板上之后，移除暂时载板而暴露出第一介电层的顶表面。至少移除部分金属层而形成多个接垫。第一介电层的顶表面高于每一接垫的上表面。形成表面处理层于接垫上。
13、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的暂时载板包括玻璃基板、离型膜以及种子层。离型膜位于玻璃基板与种子层之间。形成薄膜重布层于暂时载板上的步骤包括：形成第一介电层于种子层上。第一介电层的第一开口暴露出部分种子层。形成金属层于第一介电层的第一开口内。形成第一图案化种子层及其上的第一金属层于第一介电层与金属层上。形成第二介电层于第一介电层上。形成第二图案化种子层及其上的第二金属层于第二介电层上以及第二开口内。形成第三介电层于第二介电层上。
14、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的移除暂时载板以及至少部分金属层的步骤包括：移除玻璃基板与离型膜。以蚀刻的方式移除种子层以及部分金属层。
15、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的以蚀刻的方式完全移除金属层，以暴露出部分第一图案化种子层而形成接垫。
16、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的以蚀刻的方式完全移除金属层以及部分第一图案化种子层，以暴露出部分第一金属层而形成接垫。
17、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的表面处理层的表面切齐于第一介电层的顶表面。
18、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的表面处理层的表面低于第一介电层的顶表面。
19、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的表面处理层的表面突出于第一介电层的顶表面。
20、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的电路板结构的制作方法还包括于移除暂时载板之前，填充底胶于薄膜重布层的第三介电层与承载板之间且覆盖焊球。
21、在根据本专利技术的实施例的电路板结构的制作方法中，上述的第一介电层、第二介电层以及第三介电层分别为光敏介电层。
22、基于上述，在本专利技术的电路板结构的设计中，第一介电层的顶表面高于每一接垫的上表面，即第一介电层可视为天然屏障(dam)，可有效地避免后续形成在接垫上的表面处理层因细间距导致架桥问题而产生电性短路。因此，本专利技术的电路板结构可具有较佳的结构可靠度。
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1.一种电路板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述表面处理层的表面切齐于所述第一介电层的所述顶表面。
3.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述表面处理层的表面低于所述第一介电层的所述顶表面。
4.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述表面处理层的表面突出于所述第一介电层的所述顶表面。
5.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述多个接垫中的每一个还具有相对于所述上表面的第二表面，且所述第二表面切齐于所述第一介电层的所述第一表面。
6.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述第一介电层的所述多个第一开口暴露出部分所述第一金属层而定义为所述多个接垫。
7.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层以及所述第三介电层分别为光敏介电层。
10.一种电路板结构
11.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，所述暂时载板包括玻璃基板、离型膜以及种子层，所述离型膜位于所述玻璃基板与所述种子层之间，而形成所述薄膜重布层于所述暂时载板上的步骤包括：
12.根据权利要求11所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，移除所述暂时载板以及至少部分所述金属层的步骤包括：
13.根据权利要求11所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，以蚀刻的方式完全移除所述金属层，以暴露出部分所述第一图案化种子层而形成所述多个接垫。
14.根据权利要求11所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，以蚀刻的方式完全移除所述金属层以及部分所述第一图案化种子层，以暴露出部分所述第一金属层而形成所述多个接垫。
15.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，所述表面处理层的表面切齐于所述第一介电层的所述顶表面。
16.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，所述表面处理层的表面低于所述第一介电层的所述顶表面。
17.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，所述表面处理层的表面突出于所述第一介电层的所述顶表面。
18.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，还包括：
19.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层以及所述第三介电层分别为光敏介电层。
...【技术特征摘要】
1.一种电路板结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述表面处理层的表面切齐于所述第一介电层的所述顶表面。
3.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述表面处理层的表面低于所述第一介电层的所述顶表面。
4.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述表面处理层的表面突出于所述第一介电层的所述顶表面。
5.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述多个接垫中的每一个还具有相对于所述上表面的第二表面，且所述第二表面切齐于所述第一介电层的所述第一表面。
6.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述第一介电层的所述多个第一开口暴露出部分所述第一金属层而定义为所述多个接垫。
7.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求1所述的电路板结构，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层以及所述第三介电层分别为光敏介电层。
10.一种电路板结构的制作方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的电路板结构的制作方法，其特征在于，所述暂时载板包括玻璃基板、离型膜以及种子层，所述离型膜位于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨凯铭，彭家瑜，柯正达，林溥如，
申请(专利权)人：欣兴电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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