半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有具有至少两个沟槽的层间介质层；所述沟槽内形成有导电线；形成覆盖层间介质层和导电线的种子层；形成位于种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离；以所述图案层为掩膜，刻蚀种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面；去除所述牺牲层，形成空气间隙；形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。本发明专利技术实施例形成的半导体器件中空气间隙的质量好，集成电路的性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种。
技术介绍
随着半导体产业进入高性能与多功能的集成电路新时代，集成电路内元件的密度会随之增加，而元件尺寸以及零件或元件之间的间距会随之缩小。在过去要达成上述目的，仅受限于光刻技术定义结构的能力，现有技术中，具有较小尺寸的元件的几何特征产生了新的限制因素。例如，当导电图案之间的距离缩小时，任意两相邻的导电图案所产生的电容(为用以隔开导电图案之间的距离的绝缘材料的介电常数K的函数)会增加。此增加的电容会导致导体间的电容耦合上升，从而增加电力消耗并提高电阻-电容(Re)时间常数。因此，半导体集成电路性能以及功能是否可以不断的改良取决于正在开发的具有低介电常数的材料。由于具有最低介电常数的材料为空气(k = 1.0)，通常会形成空气间隙来进一步降低互连层内的有效K值。现有技术中，包括:请参考图1，提供半导体衬底100 ;形成覆盖所述半导体衬底100的刻蚀停止层101 ;形成覆盖所述刻蚀停止层101的层间介质层103 ;形成位于所述层间介质层103表面的图形化的光刻胶层105 ；请参考图2，以所述图形化的光刻胶层105为掩膜，刻蚀所述层间介质层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有至少两个沟槽；所述沟槽内形成有导电线；其特征在于，还包括：形成覆盖所述层间介质层和导电线的种子层；形成位于所述种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离；以所述图案层为掩膜，刻蚀所述种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面；去除所述牺牲层，形成空气间隙；形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，包括: 提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有至少两个沟槽；所述沟槽内形成有导电线； 其特征在于，还包括: 形成覆盖所述层间介质层和导电线的种子层； 形成位于所述种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第一开口位于相邻两沟槽间的层间介质层上，且所述第一开口的宽度小于相邻两沟槽之间的距离； 以所述图案层为掩膜，刻蚀所述种子层和层间介质层，形成第二开口和位于所述第二开口两侧的牺牲层，所述第二开口暴露出所述半导体衬底表面； 去除所述牺牲层，形成空气间隙； 形成覆盖所述种子层、且横跨所述空气间隙的绝缘层。2.按权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的工艺为各向同性的刻蚀方法。3.按权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀采用的化学试剂为氢氟酸。4.按权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的工艺为干法刻蚀，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体中包括F元素。5.按权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：