【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片。
技术介绍
目前，在封装芯片的过程中，需要对芯片进行打线，打线位置主要是分布在芯片上的压焊块区域，但是目前由于压焊块区域的金属层厚度较薄，因此在打线过程中易于出现金属层(一般情况下该金属层为铝层)被打穿的问题。随着芯片封装工艺的发展，由于铜线具有价格低廉、电阻率低、热导高以及硬度较高的优点，因此，在对芯片进行打线的过程采用铜线作为打线的线材；但是铜线硬度较大，因此对芯片的压焊块区域的金属层的厚度要求较高。目前为避免压焊块区域的金属层在打线过程中被打穿的问题，采用以下解决方案:在制作芯片时，在制作芯片上的金属层时，适量的增加金属层的厚度，从而使得芯片上压焊块区域的金属层也相应的增加。采用现有的解决方案，虽然能够在一定程度上降低压焊块区域的金属层在打线过程中被打穿的几率，但是芯片的金属层加厚之后，对后续在电路布线时对金属层进行刻蚀带来较大的难度，本领域技术人员应该容易理解，在金属条宽度/间距都相同的情况下，金属层越厚对该金属层进行蚀刻的难度越大；因此，为降低后续在电路布线时对金...
【技术保护点】
一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，其特征在于，包括：在芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在所述钝化层上涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层；对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以...
【技术特征摘要】
1.一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，其特征在于，包括: 在芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上； 在所述钝化层上涂覆光刻胶层； 对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉； 对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层； 对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层； 采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度低于钝化层的厚度，且所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度的和值，大于对所述芯片进行打线的打线深度，所述打线深度为采用金属线对所述芯片进行打线过程中所述金属线在所述压焊块...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈兆同，马万里，赵文魁，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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