一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片技术

本发明专利技术公开了一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片，以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度，降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。方法包括：在芯片的第一金属层上沉积钝化层，第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在钝化层上涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，裸露第一金属层中覆盖在压焊块区域的金属层；在光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落覆盖在光刻胶层上的金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体芯片制造领域，尤其涉及一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片。
技术介绍
目前，在封装芯片的过程中，需要对芯片进行打线，打线位置主要是分布在芯片上的压焊块区域，但是目前由于压焊块区域的金属层厚度较薄，因此在打线过程中易于出现金属层(一般情况下该金属层为铝层)被打穿的问题。随着芯片封装工艺的发展，由于铜线具有价格低廉、电阻率低、热导高以及硬度较高的优点，因此，在对芯片进行打线的过程采用铜线作为打线的线材；但是铜线硬度较大，因此对芯片的压焊块区域的金属层的厚度要求较高。目前为避免压焊块区域的金属层在打线过程中被打穿的问题，采用以下解决方案:在制作芯片时，在制作芯片上的金属层时，适量的增加金属层的厚度，从而使得芯片上压焊块区域的金属层也相应的增加。采用现有的解决方案，虽然能够在一定程度上降低压焊块区域的金属层在打线过程中被打穿的几率，但是芯片的金属层加厚之后，对后续在电路布线时对金属层进行刻蚀带来较大的难度，本领域技术人员应该容易理解，在金属条宽度/间距都相同的情况下，金属层越厚对该金属层进行蚀刻的难度越大；因此，为降低后续在电路布线时对金属层进行刻蚀的难度，需要折中考虑，一般情况下，对芯片上的金属层增加10%的厚度；但是由于采用铜线对芯片进行打线时，只对金属层增加10%的厚度的话仍然不能满足铜线对压焊块区域金属层的和厚度要求，仍然存在压焊块区域的金属层被打穿的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片，以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度，降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，包括:在所述芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在所述钝化层上涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层；对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。较佳地，所述第二金属层的厚度低于钝化层的厚度，且所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度的和值，大于对所述芯片进行打线的打线深度，所述打线深度为采用金属线对所述芯片进行打线过程中所述金属线在所述压焊块区域所形成的凹槽的深度。较佳地，所述金属线为铜线。较佳地，所述第一金属层与所述第二金属层均为铝层，所述铝层包含比重为99.5%的铝和0.5%的铜。基于前述增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，本专利技术实施例还提供一种芯片，该芯片包括:设置有压焊块区域的硅衬底；覆盖在所述硅衬底和压焊块区域上的第一金属层，所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层上设置有第二金属层，所述第一金属层中除覆盖在所述压焊块区域的金属层之外的区域覆盖有钝化层。较佳地，所述第二金属层的厚度低于所述钝化层的厚度，且所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度的和值大于打线深度，所述打线深度为采用金属线对所述芯片进行打线过程中所述金属线在所述压焊块区域所形成的凹槽的深度。较佳地，所述金属线为铜线。较佳地，所述第一金属层与所述第二金属层均为铝层，所述铝层包含比重为99.5%的铝和0.5%的铜。本专利技术实施例中，一方面，在芯片的压焊块区域既覆盖有第一金属层又覆盖有第二金属层，因此，在很大程度上增加了覆盖在压焊块区域的金属层，降低了对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率；另外，由于硅衬底中的其他区域的金属层没有加厚，因此不会增加对其他区域的金属层进行蚀刻的难度；两一方面，对钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层，因此，在后续沉积第二金属层的过程中，沉积在光刻胶层上金属层与沉积在压焊块区域的金属层之间为断开状态，不会与覆盖在氩焊点区域的金属层之间连接，因此，在溶解光刻胶之后，覆盖在光刻胶层上的金属更易于剥离。附图说明图1为本专利技术实施例中增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法流程图；图2为本专利技术实施例中在芯片的第一金属层上沉积钝化层的结构示意图；图3为本专利技术实施例中在钝化层上涂覆光刻胶层的结构示意图；图4为本专利技术实施例中对光刻胶层进行曝光、刻蚀之后的结构示意图；图5为本专利技术实施例中对钝化层进行各向同性刻蚀的结构示意图6为本专利技术实施例中在光刻胶层和压焊块区域的金属蹭上生成第二金属层的结构示意图；图7为本专利技术实施例溶解光刻胶层并剥离光刻胶层上面的金属层的结构示意图。具体实施例方式针对现有技术存在的上述问题，本专利技术实施例提供一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法及芯片，以增加芯片中压焊块区域的金属层的厚度，降低对芯片进行打线过程中打穿压焊块区域的金属层的概率。增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，包括:在所述芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在所述钝化层上涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层；对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。 下面结合说明书附图对本专利技术技术方案进行详细、清楚地描述。参见图1，为本专利技术实施例中增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法流程图，该方法包括:步骤101、在芯片的第一金属层I上沉积钝化层2，所述第一金属层I覆盖在设置有压焊块区域3的硅衬底上，如图2所示。步骤102、在钝化层2上涂覆光刻胶层4，如图3所示。步骤103、对光刻胶层4进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域3的光刻胶蚀刻掉，如图4所示。步骤104、对钝化层2进行各向同性刻蚀，将覆盖在压焊块区域3的钝化层2以及被光刻胶层4覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层2的刻蚀面大于光刻胶层4的刻蚀面，且钝化层2的刻蚀面完全覆盖光刻胶层4的刻蚀面；裸露所述第一金属层I中覆盖在所述压焊块区域的金属层11，如图5所示。步骤105、对芯片进行金属沉积，在光刻胶层4与覆盖在压焊块区域3的金属层11上生成第二金属层5,如图6所不。步骤106、采用剥离液溶解光刻胶层4，以去除光刻胶层4及剥落第二金属层5中覆盖在光刻胶层上的金属层，如图7所示。较佳地，为进一步确保压焊块区域的金属层在对芯片进行打线过程免于打穿，本专利技术实施例中，如图7所示，第二金属层5的厚度dl低于钝化层2的厚度，且所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，其特征在于，包括：在芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上；在所述钝化层上涂覆光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉；对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层；对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层；采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。

【技术特征摘要】
1.一种增加芯片压焊块区域的金属层厚度的方法，其特征在于，包括: 在芯片的第一金属层上沉积钝化层，所述第一金属层覆盖在设置有压焊块区域的硅衬底上； 在所述钝化层上涂覆光刻胶层； 对所述光刻胶层进行曝光和刻蚀，将覆盖在芯片上的压焊块区域的光刻胶蚀刻掉； 对所述钝化层进行各向同性刻蚀，将覆盖在所述压焊块区域的钝化层以及被光刻胶层覆盖的部分钝化层蚀刻掉，以使得钝化层的刻蚀面大于光刻胶层的刻蚀面，且钝化层的刻蚀面完全覆盖光刻胶层的刻蚀面；裸露所述第一金属层中覆盖在所述压焊块区域的金属层； 对所述芯片进行金属沉积，在所述光刻胶层与覆盖在压焊块区域的金属层上生成第二金属层； 采用剥离液溶解光刻胶层，以去除光刻胶层及剥落第二金属层中覆盖在光刻胶层上的金属层。2.按权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属层的厚度低于钝化层的厚度，且所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度的和值，大于对所述芯片进行打线的打线深度，所述打线深度为采用金属线对所述芯片进行打线过程中所述金属线在所述压焊块...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兆同，马万里，赵文魁，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：