搭载半导体元件的基板（10），具有：芯基板（1）、搭载于芯基板（1）的一个面的半导体元件（2）、粘接芯基板（1）和半导体元件（2）的粘接膜（3）、嵌入半导体元件（2）的第一层（4）、设置于芯基板（1）的第一层（4）相反侧的与第一层（4）的材料及组成比率相同的第二层（5）、设置于第一层（4）和第二层（5）的至少一层的表层（6），并且粘接膜（3）25℃时的储能模量是5～1000MPa，表层（6）在玻璃化转变点Tga℃以下按照JISC6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/℃以下，该玻璃化转变点Tga℃是在20℃以上且按照JIS?C6481进行检测的表层的玻璃化转变点Tga℃。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种搭载半导体元件的基板。
技术介绍
在电子仪器中，搭载有连接IC芯片、电容器等的半导体元件的基板。近年来，伴随着电子仪器的小型化、高性能化，搭载于一个基板上的半导体元件的数量趋于增大，存在半导体元件的安装面积不足的问题。为了解决这种问题，通过将半导体元件嵌入多层布线基板内，进行了确保半导体元件的安装面积、实现高密度封装化的尝试(例如，参照专利文献I)。但是，在如此内置有半导体元件的搭载半导体元件的基板中，其结构形成上下不对称，此外，在物理性质上变得也不对称，因此，存在有在基板上发生翘曲等而导致搭载半导体元件的基板的可靠性降低的问题。专利文献1:日本特开2005 - 236039号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种搭载半导体元件的基板，其能够防止翘曲的发生，并且能够防止内置的半导体元件从基板上剥离。 上述目的，通过下述(I) (20 )的本专利技术的技术方案来达成。(I) 一种搭载半导体元件的基板，其特征在于，具有:基板、搭载于上述基板的一个面上的半导体元件、粘接上述基板与上述半导体元件的粘接层、嵌入有上述半导体元件的第一层、设置于上述基板的与上述第一层相反一侧的第二层、以及设置于上述第一层上和上述第二层上的至少一层的表层，并且，上述粘接层在25°C时的储能模量是5 IOOOMpa ；上述表层在玻璃化转变点Tga[°C ]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为40ppm/°C以下，该玻璃化转变点Tga[°C ]是在20°C以上且按照JIS C6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tga [°C ]。(2)如上述(I)所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述基板的平均厚度为T1L μ m]且上述第一层的平均厚度为T2 [ μ m]时，满足0.5彡T2Zt1 ( 3.0的关系。(3)如上述(I)或(2)所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层的平均厚度是5 50 μ m。(4)如上述(I)至(3)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，当俯视上述第一层时的上述第一层的面积设为100时，俯视上述半导体元件时的上述半导体元件的面积是6 10 ;当上述第一层的 体积设为100时，上述半导体元件的体积是2 7。(5)如上述(I)至(4)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层通过粘接剂构成，上述粘接剂由含有(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂、酚醛树脂、无机填充剂的树脂组合物构成。(6)如上述(I)至(5)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述粘接层的玻璃化转变点为O 180°C。(7)如上述(I)至(6)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述第一层在玻璃化转变点Tgb[°c]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为25 50ppm/°C，该玻璃化转变点Tgb [°C ]是在20°C以上且按照JIS C6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tgb [°C ]。(8)如上述(I)至(7)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述第一层的25°C时的杨氏模量是2 lOGPa。(9)如上述(1)至(8)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，按照JISC6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tgb处于100 250°C的范围内。(10)如上述(I)至(9)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述表层的25°C时的杨氏模量为X [GPa]、上述第一层的25°C时的杨氏模量为Y [GPa]时，满足0.5≤X - Y ≤13的关系。(11)如上述(I)至(10)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层的25 °C时的杨氏模量为4 15Gpa。(12)如上述(I)至(11)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，当上述表层在玻璃化转变点Tga[°C]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为A[ppm/0C ]，该玻璃化转变点Tga[°C ]是在20°C以上且按照JIS C6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tga[°C ]，并且，上述第一层在玻璃化转变点Tgb[°C ]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为B[ppm/°C ]，该玻璃化转变点Tgb[°C ]是在20°C以上且按照JIS C6481进行检测的上述第一层的玻璃化转变点Tgb[°C ]时，满足0.5 < B -A ≤ 50的关系。(13)如上述(I)至(12)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，按照JISC6481进行检测的上述表层的玻璃化转变点Tga处于100 300°C的范围内。(14)如上述(I)至(13)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述基板的25°C时的杨氏模量为20 50Gpa。(15)如上述(I)至(14)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述基板在玻璃化转变点Tge[°C]以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数为13ppm/°C以下，该玻璃化转变点Tge[°C ]是在20°C以上且按照JIS C6481进行检测的上述基板的玻璃化转变点Tge[°C ]。(16)如上述(I)至(15)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层主要是由含有氰酸酯树脂的树脂材料和无机填充材料构成。(17)如上述(16)所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层中的上述树脂材料的含量是30 70重量％。(18)如上述(16)或(17)所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述表层中的上述无机填充材料的含量是5 40重量％。(19)如上述(16)至(18)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述树脂材料还含有环氧树脂，当上述树脂材料中的上述氰酸酯树脂的含量为C[重量％]且上述树脂材料中的环氧树脂的含量为D [重量％]时，满足0.5 ^ D/C ^ 4。(20)如上述(16)至(19)中的任一项所述的搭载半导体元件的基板，其中，上述树脂材料还含有苯氧基树脂，当上述树脂材料中的上述氰酸酯树脂的含量为C[重量％]且上述树脂材料中的苯氧基树脂的含量为E[重量％]时，满足0.2 ^ E/C ^ 2。附图说明图1是表示本专利技术的搭载半导体元件的基板的优选实施方式的纵剖面图。图2是表示本专利技术的搭载半导体元件的基板的制造方法的一个实例的图。图3是表示本专利技术的搭载半导体元件的基板的制造方法的另一个实例的图。具体实施例方式下面，针对本专利技术的搭载半导体元件的基板，基于优选实施方式进行详细说明。 <搭载半导体元件的基板>图1是表示本专利技术的搭载半导体元件的基板的优选实施方式的纵剖面图。此外，在以下的说明中，将图1中的上侧称为“上”或“上方”。如图1所示，搭载半导体元件的基板10，具有:芯基板(基板)1，搭载于芯基板I上侧的半导体元件2，使该半导体元件2接合于芯基板I上的粘接膜(粘接层)3，以嵌入半导体元件2的方式而形成的第一层4，形成于芯基板I下侧的第二层5，以及形成于第一层4与第二层5的表面上的表层6。此外,在芯基板1、第一层4以及第二层5、表层6上,分别形成有布线图案(未图示)，分别有电连接而构成。此外，半导体元件2，与表层6上的布本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种搭载半导体元件的基板的制造方法，其是具有搭载于基板的一个面上的半导体元件的搭载半导体元件的基板的制造方法，其特征在于，具有下述工序：在上述基板的上述一个面上形成粘接剂层的工序；在上述粘接剂层上搭载上述半导体元件的工序；在上述基板的上述一个面上设置第一绝缘片以填埋上述粘接剂层和上述半导体元件，并且在上述基板的另一个面上设置第二绝缘片的工序；固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序。
【技术特征摘要】
2008.06.12 JP 2008-1547131.一种搭载半导体元件的基板的制造方法，其是具有搭载于基板的一个面上的半导体元件的搭载半导体元件的基板的制造方法，其特征在于，具有下述工序: 在上述基板的上述一个面上形成粘接剂层的工序； 在上述粘接剂层上搭载上述半导体元件的工序； 在上述基板的上述一个面上设置第一绝缘片以填埋上述粘接剂层和上述半导体元件，并且在上述基板的另一个面上设置第二绝缘片的工序； 固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序。2.按权利要求1所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第一绝缘片具有用于填埋上述粘接剂层和上述半导体元件的第一片和纤维基材。3.按权利要求2所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，在设置上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序之前，还具有在上述第一片上层叠第二片并进行一体化从而制成上述第一绝缘片的工序。4.按权利要求3所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，固化上述第一绝缘片和上述第二绝缘片的工序，包括固化上述第一绝缘片的上述第一片和上述第二片的工序，由此，获得由上述第一片的固化物构成的第一层和由上述第二片的固化物构成的第一表层。5.按权利要求4所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第一表层在玻璃化转变点Tga°c以下按照JIS C6481进行检测的面方向上的热膨胀系数是40ppm/°C以下，该玻璃化转变点Tga°C是在20°C以上且按照JIS C6481进行检测的上述第一表层的玻璃化转变点Tga°C。6.按权利要求3所述的搭载半导体元件的基板的制造方法，其中，上述第一片和上述第二片是通过相同的材料构成，并且上述第二片具有纤维基材。7.按权利要求1所述的搭载半导体元件的基...
【专利技术属性】
技术研发人员：杉野光生，原英贵，和布浦徹，
申请(专利权)人：住友电木株式会社，
类型：发明
国别省市：
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