【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种用以进行芯片对位、力口压及加热的。
技术介绍
黏晶(die bonding)是半导体制程中十分重要的步骤的一，其将晶圆切割后的芯片(di e)取出并黏着固定在载板上，以供后续打线接合及封装等步骤。又，芯片黏合程序完成后必须进行烘烤以固化黏胶，故必须将黏有芯片的载板送进烤箱中烘烤。另外一种共晶黏晶(eutectic die bonding)方法,于载板端加热及/或芯片端加热的方式,使两金属 层加热至共晶温度而黏合，藉以克服金属键合的能量障碍，促使芯片黏合于载板上。但若载板的加热区域大，易使未焊接区域因持续受热而累积过多热量，致使产生不良热效应。但若加热区域小，或称局部区域加热，芯片需进入焊接区域(bonding area)后，方才受热，需费时等候加热的时间，导致产能降低。此外，温度掌控亦为一个大课题。由于现今的共晶黏晶机为单颗芯片逐一黏合于载板上，除了生产效率低落之外，压焊头的力量与分布若控制不当，容易造成芯片损伤，影响芯片效能。除此之外，当单一芯片黏合时若需同时将焊接区的温度升高至特定温度以上，则需精确地掌控温度，且已焊...
【技术保护点】
一种芯片结合方法，包括：提供一负压环境并移转至少一芯片至一载板上；以及加热该至少一芯片及/或该载板并施加一正向压力于该至少一芯片上。
【技术特征摘要】
2011.06.20 TW 1001215011.一种芯片结合方法，包括 提供一负压环境并移转至少一芯片至一载板上；以及 加热该至少一芯片及/或该载板并施加一正向压力于该至少一芯片上。2.根据权利要求I所述的芯片结合方法，其特征在于，提供该负压环境的步骤更包括提供小于一大气压的环境。3.根据权利要求I所述的芯片结合方法，其特征在于，移转该至少一芯片至该载板上的步骤更包括对位该至少一芯片于该载板上的一步骤。4.根据权利要求I所述的芯片结合方法，其特征在于，该加热的步骤包括加热该至少一芯片及/或该载板至150°C以上。5.根据权利要求I所述的芯片结合方法，其特征在于，施加该正向压力的步骤包括提供一机械正向力或一气压正向力。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伟诚，陈明堂，周庭羽，吴荣昆，姜崇义，
申请(专利权)人：华新丽华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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