一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺，该制作工艺按照以下步骤进行：框架半蚀刻、上芯、压焊、一次塑封、二次蚀刻、植球、贴膜、二次塑封、揭膜、切割分离。所述二次塑封中，对模具的假型腔宽度和进料口高度增加，可适应更广泛的塑封料，改善产品二次塑封可靠性，有利于塑封料的流动。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装
，具体是一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺。
技术介绍
随着技术的不断发展，电子封装不但要提供芯片的保护，同时还要在一定的成本下满足不断增加的性能、可靠性、散热、功率分配等要求，这对封装技术提出了新的要求与挑战。激烈的市场竞争推动着封装技术的不断进步，而塑封作为半导体封装技术的关键环节之一，也由一次塑封发展到二次塑封，塑封工序的好坏直接影响着产品的可靠性与成本、性能等问题。当前的二次塑封采用的主要是普通的模具合模型式，而二次塑封主要服务对象均有塑封体较薄的特点，应用普通的模具设计很难解决当前存在的以下问题:(I)塑封料的选择范围小，成本高。假型腔较窄的模具必须采用塑封料颗粒更小、流动性更佳的塑封料，从而增加塑封成本；(2)假型腔较窄会引起产品的可靠性问题。所有产品塑封完成之后均要有去除残胶步骤，而二次塑封由于塑封体本身厚度较薄，在去除残胶过程中主要受力点依靠假型腔，假型腔面积较小，去残胶时的受力面积则较小，因此，去残胶过程中塑封体与假型腔连接部位受力较大，去除残胶过程容易影响塑封体，出现分层、锡球脱落等问题；假型腔较窄会影响塑封料的流本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺，其特征在于：其按照以下步骤进行：第一步、引线框架（8）半蚀刻：通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺，蚀刻引线框架（8），在框架上蚀刻出载体，I/O?Pad，确定I/O?Pad大小、脚间距和它们各自的位置；第二步、上芯：用粘片胶（9）将芯片（10）粘接到引线框架（8）的载体上；第三步、压焊：将芯片（10）上的焊点（11）与引线框架（8）的引脚用键合线（12）连接；第四步、一次塑封：将压焊后的产品自动传送到塑封模具中，用一次塑封体（13）对压焊后的产品进行包封；第五步、二次蚀刻：对引线框架（8）底部进行蚀刻，蚀刻后框架为二次蚀刻后框架（1...

【技术特征摘要】
1.一种采用加宽模具假型腔优化二次塑封封装件的制作工艺，其特征在于:其按照以下步骤进行: 第一步、引线框架(8)半蚀刻:通过成熟的涂胶、曝光、显影、电镀及腐蚀等工艺，蚀刻引线框架(8)，在框架上蚀刻出载体，I/O Pad，确定I/O Pad大小、脚间距和它们各自的位置； 第二步、上芯:用粘片胶(9)将芯片(10)粘接到引线框架(8)的载体上； 第三步、压焊:将芯片(10)上的焊点(11)与引线框架(8)的引脚用键合线(12)连接；第四步、一次塑封:将压焊后的产品自动传送到塑封模具中，用一次塑封体(13)对压焊后的广品进行包封； 第五步、二次蚀刻:对引线框架(8)底部进行蚀刻，蚀刻后框架为二次蚀刻后框架(14)； 第六...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛涛，谌世广，王虎，马晓波，钟环清，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：