本发明专利技术提供一种芯片温度(芯片表面温度)与电流强度关联性的测试设备，利用温度测量装置和电流测量装置，可以快速精确测得待测芯片温度与芯片的关键路径上的电流强度，而且待测芯片温度和芯片的电流强度的数值可以保存到该测试设备内部存储单元，以便于后期批量导出数据。该测试设备实现了芯片温度和电流强度的同步自动测量，减少了人工干预造成的误差，提高了测量数据的准确性和有效性。而且通过设置芯片的工作模式，可以对芯片工作模式进行有效控制。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片测试领域，特别是涉及到一些中大功率且发热量较大的高集成度 复杂芯片的芯片温度和电流强度关联性的测试。
技术介绍
随着半导体技术及封装工艺尺寸的进步，芯片集成度越来越高，随之而来出现的 一个重要挑战，就是如此高集成度的设计工艺，要尽可能最大限度地降低功耗、温耗，提高 能量转化效率，对于芯片的设计，有很大的难度。而准确评估出芯片工作时候的温度与芯片 的关键路径上的电流强度的关联性，在芯片设计阶段，尤其在芯片后期验证阶段，是降低能 耗及发热量的一项重要参考依据。 针对上述提及的有关芯片温度及电流强度关联指标测试，目前通常的方法是各指 标独立测试，即先在装有待测芯片运行平台的关键路径串入电流表，读出电流值，然后利用 热敏类温度传感设备，测量芯片表面温度，最后将二者的对应测量值人工录入记录表格，再 分析其关联性。 这种手工测量的方法不仅成本昂贵，而且效率低下，误差率较高。在某些特殊环境 下更难以实现对上述指标的测试，例如在85摄氏度高温箱下测试芯片温度和电流强度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种芯片温度与电流强度关联性的测试设备，利用温度测 量装置和电流测量装置，可以快速精确测得待测芯片的芯片温度与芯片的关键路径上的电 流强度，而且待测芯片的芯片温度和电流强度可以保存到该测试设备的存储单元，以便于 后期批量导出数据。 根据本专利技术的一个方面，本专利技术提供一种芯片温度与电流强度关联性的测试设 备，包括： 温度测量装置，用于测量待测芯片的芯片温度； 电流测量装置，用于测量所述芯片的关键路径上的电流强度； 芯片配置装置，用于从处理器接收所述芯片的配置信息，并根据所述配置信息配 置所述芯片工作模式； 处理器，分别与所述温度测量装置、所述电流测量装置和所述芯片配置装置连接， 用于控制所述温度测量装置、所述芯片配置装置和所述电流测量装置，存储所述芯片温度 和电流强度。 优选地，还包括： 交互装置，用于获取用户输入的所述芯片的配置信息，并将所述芯片的配置信息 输出到处理器。 优选地，所述交互装置包括： 配置单元，用于获取用户输入的所述芯片的配置信息； 显示单元，用于显示所述芯片温度和电流强度； 移动存储接口，用于向外部移动存储设备传输所述芯片温度和电流强度数据。 优选地，所述温度测量装置包括： 温度检测单元，用于检测所述芯片的芯片温度； 第一模拟数字转换电路，用于将所述温度检测单元输出的表征所述芯片温度的模 拟信号转换成数字信号输出到所述处理器。 优选地，所述温度检测单元包括至少一个长度可伸缩的测温探头和至少一个温度 传感器，所述探头连接到所述温度传感器上。 优选地，所述电流测量装置包括顺序连接的滤波电路、信号调制电路和第二模拟 数字转换电路。 优选地，所述芯片配置装置包括： 配置接口电路，用于和所述处理器通讯； 第一数字模拟转换电路，用于将所述配置信息的数字信号转换成模拟信号。 优选地，所述处理器包括非易失存储器，用于存储所述芯片温度、电流强度数据和 配置信息。 优选地，所述温度测量装置和所述电流测量装置分别记录测量时间。 优选地，所述温度测量装置和电流测量装置按照固定时间间隔记录所述芯片温度 和电流强度。 本专利技术提供一种芯片温度（芯片表面温度）与电流强度关联性的测试设备，利用 温度测量装置和电流测量装置，可以快速精确测得待测芯片温度与芯片的关键路径上的电 流强度，而且待测芯片温度和芯片的电流强度的数值可以保存到该测试设备内部存储单 元，以便于后期批量导出数据。该测试设备实现了芯片温度和电流强度的同步自动测量，减 少了人工干预造成的误差，提高了测量数据的准确性和有效性。而且通过设置芯片的工作 模式，可以对芯片工作模式进行有效控制。【附图说明】 通过参照以下附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和 优点将更为清楚，在附图中： 图1是本专利技术实施例的测试设备的结构图； 图2是本专利技术另一个实施例的测试设备的结构图。【具体实施方式】 以下基于实施例对本专利技术进行描述，但是本专利技术并不仅仅限于这些实施例。在下 文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有 这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。为了避免混淆本专利技术的实质，公知的方法、过 程、流程没有详细叙述。另外附图不一定是按比例绘制的。 图1是本专利技术实施例的测试设备的结构图。如图1所示，本实施例的测试设备10 包括处理器100、温度测量装置101、电流测量装置102、和芯片配置装置103。其中，处理器 100和温度测量装置101、电流测量装置102和芯片配置装置103相连接，控制上述装置的 启动和停止。测试设备10正常启动后，处理器100启动温度测量装置101、电流测量装置 102和芯片配置装置103,同时将芯片的配置信息发送给芯片配置装置103。芯片配置装置 103配置待测芯片11并使待测芯片11在预设模式下进行工作。接着温度测量装置101和 电流测量装置102分别测量待测芯片11的芯片温度和电流强度，并对测量数据处理后发送 给处理器100。处理器100将结果数据处理后存储在存储器内。 在一个【具体实施方式】里，将电流测量装置102和待测芯片11的测量管脚连接，从 而与芯片的关键路径形成串联关系，则通过电流测量装置102的电流强度为待测芯片的电 流强度。同时，温度测量装置101包括长度可伸缩的测温探头和一个具有较高灵敏度的温 度传感器，测温探头和温度传感器相连接，该测温探头放置或靠近待测芯片表面，通过温度 传感器记录芯片的表面温度，这里芯片的表面温度即为芯片温度。 本发当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片温度与电流强度关联性的测试设备，包括：温度测量装置，用于测量待测芯片的芯片温度；电流测量装置，用于测量所述芯片的关键路径上的电流强度；芯片配置装置，用于从处理器接收所述芯片的配置信息，并根据所述配置信息配置所述芯片工作模式；处理器，分别与所述温度测量装置、所述电流测量装置和所述芯片配置装置连接，用于控制所述温度测量装置、所述芯片配置装置和所述电流测量装置，存储所述芯片温度和电流强度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘子升，宋斌俊，魏建中，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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