一种传感器芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种传感器芯片结构，包括接触座以及配合芯片，所述接触座两侧开口，内部安装接触端子，所述配合芯片包括芯片本体及其一端表面的电极，配合芯片带有电极的一端插入接触座一侧的开口内，所述电极与接触端子相接触形成电连接电极表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层；通过缓冲层的作用，避免了接触端子对芯片Pt电极层产生擦伤及穿透损坏，当接触端子将缓冲层划伤穿透后，正好与缓冲层下面的Pt电极层接触，实现可靠的电连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种车辆传感器芯片的结构改进。
技术介绍
国内现有的车辆传感器插装结构一般分为两类。第一类方案：采用夹片式接触端子，由两个夹片夹住氧传感器芯片的Pt电极，接触端子与Pt电极产生电连接。为了保证端子与芯片电极的接触强度，会设计一个金属卡子，用工装打开卡然后夹住夹片端子和氧传感器芯片电极，利用金属卡子的夹紧力使端子与芯片电极牢固连接。夹片端子与芯片电极结合后，塞入被工装打开金属卡子，然后撤去工装，卡子夹紧。该方案的缺陷在于，在这个过程中，如果有粉尘或陶瓷碎屑存在于端子与电极的接触位置，粉尘与碎屑会被一同夹紧，影响端子与电极的连接，造成接触不良、电压信号丢失等故障。第二类方案：为了克服第一类方案的不足，第二类方案采用陶瓷包裹的接触端子，利用陶瓷的紧固力固定接触端子，取消卡子的设计，装配时芯片Pt电极直接插入接触端子。陶瓷的紧固力可以使接触端子与芯片电极紧密连接，如果有粉尘或陶瓷碎屑存在于端子与电极的接触位置，芯片电极在装配过程中的插入动作，可以利用接触端子推开芯片电极表面的粉尘与碎屑，避免接触不良现象。该方案的缺陷在于，在这个过程中，接触端子会对芯片Pt电极层产生擦伤及穿透损坏，造成传感器短路或电压信号丢失。
技术实现思路
本专利技术的目的是为克服上述问题，提出的一种传感器芯片结构。本专利技术的技术方案包括接触座以及配合芯片，所述接触座两侧开口，内部安装接触端子，所述配合芯片包括芯片本体及其一端表面的电极，配合芯片带有电极的一端插入接触座一侧的开口内，所述电极与接触端子相接触形成电连接，电极表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层，进一步的，金属缓冲层可以根据实际情况设置为矩形或者U形使用；具有金属缓冲层的芯片电极与接触端子进行装配连接时，由于缓冲层的存在，避免了接触端子对芯片Pt电极层产生擦伤及穿透损坏，当接触端子将缓冲层划伤穿透后，正好与缓冲层下面的Pt电极层接触，实现可靠的电连接，同时克服了现有的第一类和第二类技术方案的不足，同时，芯片另一端插入六角基座内填充的透气线环中。进一步的，为了改善如雨水、洗车、泥泞的道路等环境因素的影响造成的渗透进测试腔造成的失效故障，所述透气线环的材料为70％～80％四氟乙烯，余量为玻璃纤维；所述材料在280℃、空气交换率5％的空气循环电炉烘制一小时，并冷却成型，整体填充于端子内；透气线环尾部具有导线孔，导线由其进入六角基座内，与芯片接触，通过整体填充的形式利用材料优势达到透气效果，提高准确率。进一步的，接触座可以设置为具有主体及延伸部，由通过卡扣相互配合的上盖与下盖组成，其中，上盖与下盖的接触面开设有埋入若干接触端子的安装槽；所述延伸部外表呈柱形结结构，外部套装有与形状相适应的C形的锁紧件，配合芯片插入后锁紧件与延伸部呈过盈配合，与芯片配合使用。进一步的，接触座可以设置为前部连接衔接陶瓷，所述衔接陶瓷中部具有通槽，所述通槽内对向固定接触端子，任意一组接触端子之间具有供配合芯片插入的空隙，与芯片配合使用。更进一步的，电极可以设置于芯片本体的正反两侧，配合不同的接触座使用。附图说明图1是本专利技术提出的芯片的结构示意图。图2是本专利技术实施例1的结构示意图。图3是本专利技术实施例2提出的衔接陶瓷的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合图示与具体实施例，进一步阐述本专利技术。如图1所示，一种传感器芯片结构，包括接触座1以及配合芯片2，所述接触座1两侧开口，内部安装接触端子3，所述配合芯片1包括芯片本体及其一端表面的电极4，配合芯片2带有电极4的一端插入接触座1一侧的开口内，芯片另一端插入六角基座内填充的透气线环中，所述电极4与接触端子3相接触形成电连接，电极4表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层，金属缓冲层设置为矩形或者U形。透气线环的材料为70％～80％四氟乙烯，余量为玻璃纤维；所述材料在280℃、空气交换率5％的空气循环电炉烘制一小时，并冷却成型，整体填充于端子内；透气线环尾部具有导线孔，导线由其进入六角基座内，与芯片接触。如图2所示，接触座1包括主体及延伸部，由通过卡扣相互配合的上盖11与下盖12组成，其中，上盖11与下盖12的接触面开设有埋入若干接触端子3的安装槽；所述延伸部外表呈柱形结结构，外部套装有与形状相适应的C形的锁紧件，配合芯片2插入后锁紧件与延伸部呈过盈配合。如图3所示，接触座前部连接衔接陶瓷21，所述衔接陶瓷21中部具有通槽，所述通槽内对向固定接触端子3，任意一组接触端子3之间具有供配合芯片2插入的空隙。电极4设置于芯片本体的正反两侧。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传感器芯片结构，包括接触座以及配合芯片，所述接触座两侧开口，内部安装接触端子，所述配合芯片包括芯片本体及其一端表面的电极，配合芯片带有电极的一端插入接触座一侧的开口内，所述电极与接触端子相接触形成电连接，其特征在于：电极表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层，芯片另一端插入六角基座内填充的透气线环中。

【技术特征摘要】
1.一种传感器芯片结构，包括接触座以及配合芯片，所述接触座两侧开口，内部安装接触端子，所述配合芯片包括芯片本体及其一端表面的电极，配合芯片带有电极的一端插入接触座一侧的开口内，所述电极与接触端子相接触形成电连接，其特征在于：电极表面通过成膜工艺覆合有金属缓冲层，芯片另一端插入六角基座内填充的透气线环中。2.根据权利要求1所述的一种传感器芯片结构，其特征在于：所述透气线环的材料为70％～80％四氟乙烯，余量为玻璃纤维；所述材料在280℃、空气交换率5％的空气循环电炉烘制一小时，并冷却成型，整体填充于端子内；透气线环尾部具有导线孔，导线由其进入六角基座内，与芯片接触。3.根据权利要求1所述的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，宋强，许春华，吴志鹏，侯凤军，徐建涛，许春君，李曙光，
申请(专利权)人：浙江朗德电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33