【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件制造，特别涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、bcd(bipolar-cmos-dmos，双极-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体)技术按照业内标准，一般分为高压bcd，高密度bcd和高功率bcd。不同bcd工艺可以按照不同电压规则继续细分，其中电压规格在45v～100v的bcd工艺广泛用于dc-dc电源和电机驱动产品的开发和制造。
2、在bcd工艺中，ldmos(laterally diffused metal oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)器件是一种电极都在硅片表面的功率器件，与bipolar工艺、cmos工艺兼容性好，兼备高耐压和大电流输出的能力，是bcd工艺中非常重要的一类器件。
3、对于45v～100v电压规格的产品，在大功率应用场景下，ldmos器件的比导通电阻越小，输出损耗越低。该电压规格的ldmos器件在应用中需要处理各种复杂的工况，对安全工作区有严格要求，hci(hot carrier injec...
【技术保护点】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
5.根据权利要求3或4所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
7.根据权利要求3或4所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
8.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，包括：
2.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
3.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
4.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
5.根据权利要求3或4所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
6.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
7.根据权利要求3或4所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
8.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，所述源极欧姆接触区位于两个所述漏极欧姆接触区之间或者所述漏极欧姆接触区位于两个所述源极欧姆接触区之间。
9.根据权利要求3所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，所述隔离结构为隔离槽，所述隔离槽包括：
10.根据权利要求9所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
11.根据权利要求9所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，所述衬底为soi衬底，所述soi衬底中包括绝缘层，所述外延层形成在所述绝缘层上，所述隔离槽延伸至所述绝缘层内部。
12.根据权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，所述隔离结构为隔离结，所述隔离结包括：
13.根据权利要求5所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，还包括：
14.根据权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体器件，其中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件的电压范围为25v～120v。
15.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其中，包括：
16.根据权利要求15所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其中，形成位于所述外延层中的第二掺杂类型的第一漂移区包括：
17.根据权利要求16所述的横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其中，还包括：
18.根据权利要求15所述的横向扩散金属氧化...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚国亮，吴涛，孙样慧，陈洪雷，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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