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本公开提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；外延层，为第一掺杂类型，位于衬底上；第一漂移区，为第二掺杂类型，位于外延层中，第一掺杂类型和第二掺杂类型相反；场氧化层，至少部分位于第一漂移区...
该专利属于杭州士兰微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰微电子股份有限公司授权不得商用。

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