【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种弓I线成弧方法及装置。
技术介绍
集成电路(IC)制造是高新技术产业最核心的产业之一。微电子封装是IC中非常重要的一道环节。随着微电子行业不断地朝小型化,高性能和低成本方向的发展,迫使微电子封装开发先进的3D叠层封装。引线键合由于其成本低且适应性强,具有在3D叠层封装中广泛运用的前景。这为引线键合技术提供了应对BGA挑战的机会,同时也提出了新的挑战。在3D叠层封装中,不仅仅要完成同一块芯片内电信号点之间的互连,还要实现不同的芯片之间的互连。这样,就会导致电信号点之间的距离急剧增加。要实现这样超大跨度的互连,就要求在引线成弧过程中能够实现低弧超大跨度的引线。在此之前,为了解决微电子封装中的低弧大跨度问题,美国专利US7262124、US2005/0072833和US7464854提出,在形成第一焊点后,劈刀朝远离第二焊点的方向反向运动或者做复杂轨迹运动,从而对第一个焊点附近的引线进行多次折弯,达到降低弧高的目的。美国专利US5989995提出了一种通过复杂劈刀轨迹在引线上形成多个不同位置的折点从而构成具有较强支撑能力的M引线。美国专利US6222 ...
【技术保护点】
一种引线成弧的方法,其特征在于,包括以下几个步骤:步骤一:在劈刀后方设置一个水平移动挡块;步骤二:在芯片焊盘上形成第一焊点后,劈刀垂直上升距离X,同时释放引线;接着劈刀朝第二焊点的反方向运动水平距离Y,在引线上形成第一个折点;然后,劈刀垂直上升距离Z,其距离Z为第一焊点和第二焊点之间的水平距离;其中,所述距离X为需要成弧的高度的0.8~1倍,距离Y与距离X相同;步骤三:当劈刀垂直上升距离Z后,劈刀朝第二焊点方向横向运动;与此同时,水平移动挡块运动至劈刀孔下方,引线与挡块接触,引线在劈刀横向运动的带动下,由于挡块的阻碍接触形成第二折点;步骤三:在引线形成第二折点后,水平移动挡 ...
【技术特征摘要】
1.一种引线成弧的方法,其特征在于,包括以下几个步骤: 步骤一:在劈刀后方设置一个水平移动挡块; 步骤二:在芯片焊盘上形成第一焊点后,劈刀垂直上升距离X,同时释放引线;接着劈刀朝第二焊点的反方向运动水平距离Y,在引线上形成第一个折点;然后,劈刀垂直上升距离Z,其距离Z为第一焊点和第二焊点之间的水平距离; 其中,所述距离X为需要成弧的高度的0.8 I倍,距离Y与距离X相同; 步骤三:当劈刀垂直上升距离Z后,劈刀朝第二焊点方向横向运动;与此同时,水平移动挡块运动至劈刀孔下方,引线与挡块接触,引线在劈刀横向运动的带动下,由于挡块的阻碍接触形成第二折点; 步骤三:在引线形成第二折点后,水平移动挡块退回原来位置,同时劈刀带动引线将引线的自由端焊接在第二焊点上,完成引线成弧的过程。2.根据权利要求1所述的引线成弧的方法,其特征在于,所述挡块为十字架形状。3.根据权利要求1所述的所述的低弧大跨度引线快速成弧的方法,其特征在于,形成所述第二折点的引线成弧装置,包括键合系统、超声变幅杆及劈刀,键合系统与超声变幅杆连接,键合系统包括劈刀驱动模块和劈刀控制模块,劈刀安装于超声变幅杆的前端孔中,劈刀内部设有供引线穿过的劈刀孔,还包括推杆、转轴、旋转臂、安装块、挡块、挡块水平驱动模块、挡块水平控制模块、电机及电机控制模块; 所述安装块上设有螺孔; 推杆和转轴分别...
【专利技术属性】
技术研发人员:王福亮,陈云,唐伟东,李军辉,韩雷,
申请(专利权)人:中南大学,
类型:发明
国别省市:
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