【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装方法，特别是涉及一种。
技术介绍
芯片封装是微传感器、微执行器、微光学系统等电子器件制造的后半工序，其工艺水平直接决定各类电子器件的性能。当前的主要芯片封装方式包括引线键合和倒装焊接方式，而倒装焊接又分为热超声焊接、再流焊接(C4)、热压焊接、环氧树脂导电胶焊接等方式。引线键合工艺简单，然而存在焊接凸点单一，电性能和机械性能不太好等弊端。再流焊接可靠性比较高，而且凸点数量多，但它采用的是Sn/Pb焊料，对环境及人体的保护极为不利。环氧树脂导电胶连接工艺简单，且在低温下焊接，但存在可靠性不好，而且寄生电阻太大等不足。热压连接工艺没有污染问题，效率高，但存在可靠性不好，且焊接条件要求苛刻等缺点。由IBM公司引入的热超声连接工艺是在引线键合的基础上发展而来，它能够解决当前其它各类封装工艺存在的某些缺陷。热超声连接工艺的主要特性是工艺简单，连接效率高，可靠性好，并且是一种无铅的绿色焊接，是当前芯片封装领域中极其具有发展潜力的一种新型工艺。但是焊接过程中压力施加的不均匀性，横向振动焊接时的芯片与基板的平行性、芯片夹持的牢靠性以及焊接的稳定性等因素不可...
【技术保护点】
一种倒装芯片的封装方法，其特征在于，倒装芯片的封装方法包括以下步骤：衬底基板与半导体芯片相对设置并一同放入焊接工作区，通过电磁脉冲的方式使衬底基板的第一电极端子和半导体芯片的第二电极端子电连接，具体是利用线圈通电形成的电磁脉冲磁场力挤压衬底基板和半导体芯片，迫使衬底基板上的第一电极端子和半导体芯片的第二电极端子发生相互接触和挤压，当压力等于或大于连接端子的塑性变形时，且克服了连接端子的弹性变形的影响时，第一电极端子和第二电极端子之间将进行原子级连接或焊接，实现第一电极端子和第二电极端子的电连接。
【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片的封装方法，其特征在于，倒装芯片的封装方法包括以下步骤:衬底基板与半导体芯片相对设置并一同放入焊接工作区，通过电磁脉冲的方式使衬底基板的第一电极端子和半导体芯片的第二电极端子电连接，具体是利用线圈通电形成的电磁脉冲磁场力挤压衬底基板和半导体芯片，迫使衬底基板上的第一电极端子和半导体芯片的第二电极端子发生相互接触和挤压，当压力等于或大于连接端子的塑性变形时，且克服了连接端子的弹性变形的影响时，第一电极端子和第二电极端子之间将进行原子级连接或焊接，实现第一电极端子和第二电极端子的电连接。2.按权利要求1所述的倒装芯片的封装方法，其特征在于，所述倒装芯片的封装方法具体包括以下步骤:半导体芯片背部贴底座放置于底座之中，半导体芯片的第二电极端子朝外，然后将衬底基板的第一电极端子朝向半导体芯片且和半导体芯片的第二电极的相对放置，衬底基板背部放置驱动板，驱动板的外侧放置线圈；线圈瞬时通电，置于线圈空间里的驱动板内产生了强感应电流；这个强感应电流与线圈的强磁场互相作用，产生磁压力；这个瞬间的磁压力通过驱动板传递给衬底基板，足以使衬底基板上的第一电极端子的金属塑性流动，从而使第一电极端子和第二电极端子发生形变并焊接在一起。3.按权利要求1所述的倒装芯...
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