球强度改进的方法以及半导体器件技术

在一种改进半导体器件的球强度的方法中，接收将形成为半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案。该图案包括相互交叉的多列和多行。球布置在列和行的交叉点处。球图案的区域中的球布置被修改，使得该区域不包括孤立球。本发明专利技术还提供了一种球强度改进的方法以及半导体器件。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及球强度改进的方法以及半导体器件。
技术介绍
最小化集成电路(IC或芯片)的近期趋势导致多种类型的IC封装，诸如，芯片级封装(CSP)。例如，在引线接合的CSP中，芯片通过接合引线电连接至下层衬底。这样的配置要求尺寸在高度方面增加以容纳引线回路，并且要求尺寸在宽度和/或长度方面增加以容纳引线接合焊盘。为了进一步减小封装尺寸，提出了倒装芯片CSP。在倒装芯片CSP中，芯片不通过引线而是通过焊料凸块电连接至下层衬底。在倒装芯片CSP中，如果在芯片和衬底之间存在热膨胀系数(CTE)的不匹配，例如，如果衬底的CTE大于芯片的CTE，则当温度降低(例如，在回流焊接处理之后)时，衬底以比芯片更大的速率收缩。结果，CSP发生翘曲，这转而导致了产品可靠性和/或产品收得率问题。为了防止翘曲，已经提出在芯片和衬底之间添加底部填充材料，以将芯片“锁定”至衬底。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的问题，根据本专利技术的一个方面，提供了一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括:接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括：接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的交叉点处；以及修改所述球图案的区域中的球的布置方式，使得所述区域不包括孤立球。

【技术特征摘要】
2011.11.08 US 13/291,5501.一种改进半导体器件的球强度的方法，所述方法包括: 接收将形成为所述半导体器件的电连接件的多个连接球的球图案，所述图案包括相互交叉的多列和多行，将所述球布置在所述列和所述行的交叉点处；以及 修改所述球图案的区域中的球的布置方式，使得所述区域不包括孤立球。2.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述孤立球在同一列或同一行中不具有或者仅具有一个紧邻所述孤立球的相邻球。3.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述修改包括:将所述区域中的至少一个球移动到空交叉点，使得所述区域中的每个球都具有至少两个所述相邻球。4.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述修改包括:将球添加至所述区域中的空交叉点，使得所述区域中的每个球都具有至少两个所述相邻球。5.根据权利要求4所述的方法，其中， 所添加的球是没有限定出所述半导体器件的电连接件的伪球。6.根据权利要求1所述的方法，其中， 所述修改包括:将没有限定出所述半导体器件的电连接件的伪球设置在所述区域中的每个空交叉点上。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：于宗源，陈宪伟，陈英儒，梁世纬，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：