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本发明的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有具有至少两个沟槽的层间介质层；所述沟槽内形成有导电线；形成覆盖层间介质层和导电线的种子层；形成位于种子层表面的图案层，所述图案层具有第一开口，所述第...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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