用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统技术方案

本发明专利技术提供一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统，属于半导体薄膜沉积设备的清洗技术领域。该加排液系统包括：气化容器、加液容器、以及接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路；其中，所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态。该加排液系统安全性好、操作员工劳动强度低、系统寿命长并且运行可靠性好，其运行可以不终止半导体薄膜沉积设备的运行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体薄膜沉积设备的清洗
，尤其涉及一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统。
技术介绍
半导体薄膜沉积设备是半导体芯片制造领域的基本设备，其在工作或使用过程中，不可避免地会在该设备的某些部分因薄膜沉积过程而淀积上不必要的薄膜和/或沉积有不必要的粉尘颗粒等，例如，常压化学气相沉积(APCVD)设备在淀积薄膜时，其用于输送硅片的履带上可能也淀积有薄膜层，或者在一定时间后，在履带上覆盖或粘附有粉尘颗粒等污染物。通常地，这一现象可能会影响薄膜沉积设备的正常运行并有可能影响芯片制造的良率。因此，化学薄膜沉积设备常带自清洗功能的装置，其用于对某些容易发生以上现象的部分(例如APCVD的履带、沉积薄膜腔体内的内罩)定期地进行清洗。现有技术中，其清洗过程包括采用气化的强酸(或强碱)等气体进行刻蚀清洗。例如，在APCVD设备中，采用气态的氢氟酸来刻蚀履带上所淀积的薄膜和/或粉尘颗粒，然后还可以在超声清洗槽内清洗、再烘干。进而，自清洗功能装置必须能具有提供气化的强酸(或强碱)等气体的功能。以APCVD为例，其采用加排液系统来实现，该加排液系统通过其中的气化桶气化溶质(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统，其特征在于，包括：气化容器，其用于盛放所述化学溶液并将所盛放的化学溶液的溶质气化；加液容器，其用于盛放所述气化容器所需补充的化学溶液；以及接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路；其中，所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态；工作于清洗状态时，所述第一管路用于将第一气体导入至所盛放的化学溶液中以气化该化学溶液中的溶质，所述第二管路用于排出包含该溶质的气体以清洗所述半导体薄膜沉积设备；工作于废液排除状态时，所述第一管路用于导入第一气体以增大所述气化容器的内部压力进而将所述气化容器中的废液经由所述...

【技术特征摘要】
1.一种用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统，其特征在于，包括: 气化容器，其用于盛放所述化学溶液并将所盛放的化学溶液的溶质气化； 加液容器，其用于盛放所述气化容器所需补充的化学溶液；以及 接入所述气化容器的第一管路、第二管路、第三管路、第四管路和第五管路； 其中，所述加排液系统可操作地工作于清洗状态、废液排除状态或加液状态； 工作于清洗状态时，所述第一管路用于将第一气体导入至所盛放的化学溶液中以气化该化学溶液中的溶质，所述第二管路用于排出包含该溶质的气体以清洗所述半导体薄膜沉积设备； 工作于废液排除状态时，所述第一管路用于导入第一气体以增大所述气化容器的内部压力进而将所述气化容器中的废液经由所述第三管路中排出； 工作于加液状态时，所述第四管路用于抽出所述气化容器中的气体以减小所述气化容器的内部压力进而将所述加液容器中的化学溶液经由所述第五管路流入所述气化容器中。2.按权利要求1所述的加排液系统，其特征在于，所述第一管路上设置第一阀以控制所述第一气体是否导入所述气化容器。3.按权利要求2所述的加排液系统，其特征在于，在所述第一管路上、在所述第一阀的上游设置调压阀和压力表。4.按权利要求2所述的加排液系统，其特征在于，所述第二管路上设置第二阀以控制所述包含该溶质的气体是否通入所述半导体薄膜沉积设备。5.按权利要求4所述的加排液系统，其特征在于，在所述第二管路终端、在所述第二阀的下游设置第六阀和第七阀。6.按权利要求2所述的加排液系统，其特征在于，所述第一阀为两位三通的气动阀。7.按权利要求4所述的加排液系统，其特征在于，所述加排液系统可操作地工作于吹扫状态，其中，操作所述第二阀以停止导入所述包含该溶质的气体，操作...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴啸，冯金良，梁浩，周斌，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：