化学气相淀积设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种化学气相淀积设备，包括反应腔，还包括位于所述反应腔外部且与所述反应腔相连的等离子体产生腔，与所述等离子体产生腔相连的射频发生装置。在工作过程中，所述射频发生装置发射出的射线在所述等离子体产生腔内与反应气体相接触并产生反应，进而解离出后续生产所需的等离子体，从而使得等离子体的制备工作能够在所述反应腔本体的外部完成，有效减少了等离子体制备过程中的射频及解离等工序对反应腔本体的损伤，延长了所述反应腔本体各相关部件的使用寿命，同时避免了硅片表面固体膜上的颗粒沾污现象，提高了产品产量和合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体处理设备
，尤其涉及一种化学气相淀积设备。
技术介绍
CVD，即化学气相淀积工艺，是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。在CVD工艺中，需将化学反应过程中的副产物以及硅片表面的颗粒沾污等排除出反应腔，对于SiO2等颗粒沾污来说，一般采用等离子体(一般为氟离子)去除。现有技术中去除颗粒沾污的过程为，在反应腔中输入反应气体(一般为CF4)，之后采用反应腔中的射频发生装置对反应气体进行解离，产生出等离子体(氟离子)，由等离子体与形成沾污的颗粒进行化学反应，得到气态的反应生成物(SiF4),最后通过反应腔的出口将气态的反应生成物和副产物一并排出。但是，在实际生产过程中发现，从CVD设备中取出的硅片表面仍有大量的颗粒沾污没有去除，从而影响器件最终的加工效果和产品质量。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种化学气相淀积设备，该设备能够在反应腔本体的外部完成等离子体的制备，有效减少了反应腔本体的损伤，有效延长了反应腔本体各相关部件的使用寿命。为解决上述问题，本专利技术实施例提供了如下技术方案:—种化学气相淀积设备， 包括: 反应腔；位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相淀积设备，其特征在于，包括：反应腔；位于所述反应腔外部且与所述反应腔相连的等离子体产生腔；与所述等离子体产生腔相连的射频发生装置。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相淀积设备，其特征在于，包括: 反应腔； 位于所述反应腔外部且与所述反应腔相连的等离子体产生腔； 与所述等离子体产生腔相连的射频发生装置。2.根据权利要求1所述的化学气相淀积设备，其特征在于:在所述等离子体产生腔内的反应气体为NF3。3.根据权利要求2所述的化学气相淀积设备，其特征在于:经所述等离子体产生腔进入所述反应腔的气体中，氟离子的浓度大于95%。4.根据权利要求4所述的化学气相淀积设备，其特征在于:经所述等离子体产生腔进入所述反应腔的气体中，氟离子的浓度大于99%。5.根据权利要求1所述的化学气相淀积设备，其特征在于:所述等离子体产生腔上具有与所述反应腔相配合的第一通孔，所述反应腔本体上具有与所述等离子体产生腔相配合的第二通孔，且所述第一通孔与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张治刚，沈金栋，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：