一种无引线封装薄膜桥发火器及其制造方法技术

技术编号:8530028 阅读:171 留言:0更新日期:2013-04-04 11:51
本发明专利技术公开了一种无引线封装薄膜桥发火器及其制造方法,本发明专利技术的无引线封装薄膜桥发火元件(14)包括:一块含有通孔(18I,18II)的硼硅玻璃(1)作为基底,使用金导电浆料(8)对通孔(18I,18II)进行填充烧结,使其金属化形成导电通孔(11I,11II);在硼硅玻璃(1)表面制作薄膜桥发火元件层(10),并在硼硅玻璃(1)表面制作焊接区(6I,6II),金属化通孔(11I,11II)使得硼硅玻璃(1)表面焊接区(7I,7II)和焊接区(6I,6II)实现电气互连,通过表面贴装工艺使得发火器(14)焊接区(6I,6II)和基座(13)焊接区(12I,12II)实现焊接互连。根据本发明专利技术的点火器在振动环境较为强烈的设备装置中,安全性和可靠性水平较高,可以应用于多种新型高安全火工品的点火装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及火工品
,具体是。
技术介绍
火工品主要由外壳、发火件和起爆药剂组成。薄膜桥发火器具有发火性能稳定、高 工艺一致性、低发火能量等优点。首先通过储能电容器对薄膜桥瞬时放电,形成脉冲大电 流,桥膜在焦耳热的作用下迅速升温熔化、气化或电离并发出光亮直至烧断,薄膜桥发火器 常用于引燃起爆药剂。实际发火试验中,起爆药剂通常均匀压装在薄膜桥上,当足够的电流 通过薄膜桥时,在焦耳热的作用下薄膜桥迅速升温,热能在高温物体薄膜桥和低温物质药 剂之间发生转移,引起药剂升温,当温度升高到一定程度,在药剂上形成热点,当药剂散热 大于吸热时,药剂就会产生自持化学反应,当药剂温度达到起爆温度时,药剂发生爆炸。发火器的安全性和可靠性是整个火工品系统安全与可靠作用的关键。传统桥丝式 或桥带式发火器虽然能满足lA/lW、5min条件下不发火的安全要求,但不能满足快速发火 的要求,而薄膜桥发火器既可通过桥膜结构的设计和药剂的选择达到缩短发火时间,降低 发火能量,又能利用基于微电子机械系统的加工技术,便于大批量生产和降低发火器制造 成本,并且有利于提高生产工艺一致性和器件使用的可靠性水平。实际应用中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无引线封装薄膜桥发火器,其特征在于,硼硅玻璃(1)上表面中部覆盖有薄膜桥发火元件层(10),薄膜桥发火元件层(10)左右两端的表面上有扩散阻挡层(9I,9II),扩散阻挡层(9I,9II)分别与硼硅玻璃(1)导电通孔(11I)左侧和导电通孔(11II)右侧的上表面接触,扩散阻挡层(9I,9II)及硼硅玻璃(1)左右两端上表面覆盖有焊接层(7I,7II),硼硅玻璃(1)下表面有两个互不连通的焊接层(6I,6II),导电通孔(11I,11II)内填充有导电浆料,焊接层(7I,7II)与焊接层(6I,6II)通过导电通孔(11I,11II)实现电气连接,焊接层(6I,6II)固定在基座(13)的...

【技术特征摘要】
1.一种无引线封装薄膜桥发火器,其特征在于,硼硅玻璃(I)上表面中部覆盖有薄膜桥发火元件层(10),薄膜桥发火元件层(10)左右两端的表面上有扩散阻挡层(91,911),扩散阻挡层(91,911)分别与硼硅玻璃(I)导电通孔(IlI)左侧和导电通孔(IlII)右侧的上表面接触,扩散阻挡层(91,911)及硼硅玻璃(I)左右两端上表面覆盖有焊接层(71,711),硼硅玻璃(I)下表面有两个互不连通的焊接层(61,611),导电通孔(111,1111)内填充有导电浆料,焊接层(71,711)与焊接层(61,611)通过导电通孔(111,1111)实现电气连接,焊接层(61,611)固定在基座(13)的两个互不连通的导电金属区域(121,1211)上,导电金属区域(121,1211)通过焊接点(191,1911)与基座(13)内的电极(161,1611)相连。2.根据权利要求1所述的无引线封装薄膜桥发火器,其特征在于,所述薄膜桥发火元件层(10)材料为NiCr、Ta2N、Cr、PtW中的一种。3.根据权利要求1所述的无引线封装薄膜桥发火器,其特征在于,所述扩散阻挡层(91,911)材料为Cu、N1、W中的一种。4.根据权利要求1所述的无引线封装薄膜桥发火器,其特征在于,所述焊接层(61,611)和(71,711)材料为Au、Al、Cu、SnAg合金、SnAu合金中的一种。5.根据权利要求1所述的无引线封装薄膜桥发火器,其特征在于,所述基座(13)采用无机玻璃或者有机树脂制成,所述导电金属区域(121,1211)由SnAu合金构成。6.一种无引线封装薄膜桥发火器的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤 步骤1:选择直径50. 8mm 127mm,厚度500 μ m 1000 μ m的硼硅玻璃⑴,利用激光加工设备在硼硅玻璃(I)表面制作孔径150μπι 300μπι通孔(181,1811)阵列; 步骤2:采用模板印刷工艺对通孔(181,1811)阵列进行填充,填充材料由金粉、玻璃粉组成的金导电浆料(8)组成,填充完成后进行低温烧结,烧结时间I 2h,烧结温度为350°C 550°C,形成导电通孔(111,1111); 步骤3:利用物理气相淀积技术在硼硅玻璃(I)...

【专利技术属性】
技术研发人员:景涛谢贵久颜志红肖友文何迎辉谢锋王玉明
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十八研究所
类型:发明
国别省市:

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