本发明专利技术公开了一种大功率LED驱动芯片的SOP8封装引线框架，包括引脚、侧连筋、第一基岛和第二基岛，1个引脚与2个侧连筋共同支撑起第一基岛及第二基岛，第一基岛的宽度尺寸比SOP8封装基岛的标准宽度尺寸大，第二基岛的宽度尺寸比SOP8封装基岛的标准宽度尺寸小。本发明专利技术增加了第一基岛最大承载的MOSFET芯片尺寸，除了适用于3-9W内置隔离式LED驱动芯片的封装外，也适用于12-24W内置隔离式的LED驱动芯片，适用范围广；相应扩大了第一基岛的承载面积，散热性能好；对MOSFET芯片无特别要求，成本较低；只需占用1个引脚，扩展性较好。本发明专利技术可广泛应用于半导体器件领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是一种大功率LED驱动芯片的S0P8封装引线框架。
技术介绍
S0P8的封装是一种非常普及的小型贴片式形式，它被目前的半导体芯片封装所普遍采用。S0P8封装形式只是DIP8封装形式的占用面积的2/5，而且，PCB板焊接时，S0P8封装这一贴片式封装有着DIP8插入式封装无以比拟的优势和效率。S0P8封装形式与DIP8封装形式的关键尺寸简要对比图如图1所示。内置隔离式的LED驱动芯片需要把一个IC控制芯片和一个耐压650V的MOSFET芯片封装在一个S0P8或一个DIP8的封装形式内，功率越大的LED驱动芯片须要封入的MOSFET芯片的开启阻抗(Rdson)就越低，MOSFET芯片的开启阻抗越低也就意味芯片的面积就越大。如图2和图3所示，现有的S0P8封装引线框架采用了两个对等的双基岛式设计，由于承载MOSFET芯片的基岛2及3的尺寸为2.77x2.05mm (2.05mm即为S0P8封装基岛的标准宽度尺寸)，再加上粘片的银胶在贴片时式的四面溢出宽度通常至少为5mil (即0.125mm),因此留给MOSFET芯片的宽度尺寸为1.80mm。目前业界的3-9W内置隔离式的LED驱动芯片通常采用1N65NC系列的VDM0SFET芯片，这个系列的芯片尺寸在1.80x1.80mm的尺寸范围内，没有超出1.80mm的宽度尺寸，因此目前3-9W小功率内置隔离式的LED驱动芯片均采用S0P8的封装形式。但是，12-15W内置隔离式的LED驱动芯片须要采用一个2N65NC或3N65NC的VDM0SFET芯片，这两种芯片的尺寸通常为2x2mm或2.3x2.1mm,均超出了 1.80mm的宽度尺寸，已不再适合采用S0P8的封装形式。正是基于以上尺寸的限制，目前S0P8的封装形式通常只用于3-9W内置隔离式LED驱动芯片的封装，适用范围较窄。另外，从散热的角度考虑，承载体的面积越小其吸热也越小，因此封装后的VDM0SFET芯片的温升也会增加。为了解决这个问题，也有人提出采用C00LM0S的芯片来替代VDM0SFET芯片来解决这个问题。在同样的开启阻抗条件下，C00LM0S的芯片会比VDM0SFET芯片的面积小。但是，由于目前国内C00LM0S的工艺还不太成熟，生产厂家很少而且价格也高了许多。因此从成本角度考虑，采用C00LM0S的LED驱动芯片目前尚无有力的竞争力。再者，现有内置隔离式LED驱动芯片的S0P8引线框架采用了两个相邻的引脚1、一个侧连筋4与基岛2相连来做支撑(如图2所示)，这样使S0P8的封装形式的有效引脚数减少为6，减少了 2个有效引脚，不利于LED驱动芯片的功能性扩展。综上所述，目前业内亟需一种适用范围广、散热效果好、成本低和扩展性好的S0P8封装引线框架。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的是:提供一种适用范围广、散热效果好、成本低和扩展性好的，大功率LED驱动芯片的S0P8封装引线框架。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是: 一种大功率LED驱动芯片的S0P8封装引线框架，包括引脚、侧连筋、用于承载MOSFET芯片的第一基岛和用于承载IC控制芯片的第二基岛，所述I个引脚与2个侧连筋共同支撑起第一基岛及第二基岛，所述第一基岛的宽度尺寸比S0P8封装基岛的标准宽度尺寸大，所述第二基岛的宽度尺寸比S0P8封装基岛的标准宽度尺寸小。进一步，所述第一基岛的宽度尺寸为2.355mm，所述第二基岛的宽度尺寸为1.1700mmo进一步，所述引脚、第一基岛及第二基岛均设置有用于在塑封固化后起固定作用的塑封锁孔。进一步，在所述第一基岛与MOSFET芯片之间、第二基岛与IC控制芯片之间均设置有银胶层。进一步，所述MOSFET芯片为VDM0SFET芯片或C00LM0SFET芯片。本专利技术的有益效果是:把现有两个相同尺寸的独立基岛改为第一基岛和第二基岛这两个大小不一的独立基岛，第一基岛的宽度尺寸比S0P8封装基岛的标准宽度尺寸大，增加了第一基岛最大承载的MOSFET芯片尺寸，除了适用于3-9W内置隔离式LED驱动芯片的封装外，也适用于12-24W内置隔离式的LED驱动芯片，适用范围广；第一基岛的宽度尺寸的增加也相应扩大了第一基岛的承载面积，有利于MOSFET芯片的散热，有效地降低了封装后MOSFET芯片的温升，散热性能好；对MOSFET芯片无特别要求，可以沿用传统的VDM0SFET芯片工艺，成本较低；通过I个引脚与2个侧连筋共同支撑起第一基岛及第二基岛，只需占用I个引脚，使得S0P8的封装形式的有效引脚数由传统的6个增加为7个，有利于LED驱动芯片的功能性扩展，扩展性较好。进一步，引脚、第一基岛及第二基岛均设置有用于在塑封固化后起固定作用的塑封锁孔，能在塑封固化后将引脚、第一基岛及第二基岛牢牢锁住，避免了在封装的切筋成型工序中，因成型模具异常产生额外的拉拔力造成引脚、第一基岛或第二基岛的表面与塑封料之间产生分层。【附图说明】下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步说明。图1为S0P8封装形式与DIP8封装形式的关键尺寸简要对比图； 图2为现有的S0P8封装引线框架示意图； 图3为现有S0P8封装的焊线示意图； 图4为本专利技术一种大功率LED驱动芯片的S0P8封装引线框架示意图； 图5为本专利技术S0P8封装引线框架的焊线示意图； 图6为采用本专利技术引线框架的S0P8产品塑封后的局部剖面图。附图标记:1、引脚；2、第一基岛；3、第二基岛；4、侧连筋；5、塑封锁孔；6、银胶层；7、焊线；8、芯片；9、塑封料;10、IC控制芯片；11,MOSFET芯片。【具体实施方式】参照图4和图5，一种大功率LED驱动芯片的S0P8封装引线框架，包括引脚1、侧连筋4、用于承载MOSFET芯片11的第一基岛2和用于承载IC控制芯片10的第二基岛3，所述I个引脚I与2个侧连筋4共同支撑起第一基岛2及第二基岛3，所述第一基岛2的宽度尺寸比S0P8封装基岛的标准宽度尺寸大，所述第二基岛3的宽度尺寸比S0P8封装基岛的标准宽度尺寸小。其中，S0P8封装基岛的标准宽度尺寸为2.05mm。进一步作为优选的实施方式，所述第一基岛2的宽度尺寸为2.355mm，所述第二基岛3的宽度尺寸为1.170当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种大功率LED驱动芯片的SOP8封装引线框架，其特征在于：包括引脚（1）、侧连筋（4）、用于承载MOSFET芯片（11）的第一基岛（2）和用于承载IC控制芯片（10）的第二基岛（3），所述1个引脚（1）与2个侧连筋（4）共同支撑起第一基岛（2）及第二基岛（3），所述第一基岛（2）的宽度尺寸比SOP8封装基岛的标准宽度尺寸大，所述第二基岛（3）的宽度尺寸比SOP8封装基岛的标准宽度尺寸小。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜喆，姜英伟，
申请(专利权)人：广州华微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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