无引线封装式功率半导体模块制造技术

提供了一种无引线封装式功率半导体模块。根据本公开的示例性实施例，所述无引线封装式功率半导体模块包括：表面贴装式(SMT)的连接端子，形成在四个侧面的相应侧面相互接触的拐角处；第一安装区域，通过桥连接到连接端子以使第一安装区域设置在所述无引线封装式功率半导体模块的中心部分处，并且安装有功率器件或电连接到功率器件以控制功率器件的控制IC；以及第二安装区域，形成在连接端子之间并且安装有功率器件或控制IC，其中，第一安装区域通过桥设置在与第二安装区域不同的高度处以与第二安装区域产生阶梯差。因此，能够通过应用不同于一维扁平结构的三维结构来实现高集成度、高性能和小功率的半导体模块。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】无弓I线封装式功率半导体模块本申请要求于2014年I月29号提交的第10-2014-0011490号、名称为“LeadlessPackage Type Power Semiconductor Module (无引线封装式功率半导体模块)”的韩国专利申请的权益，该韩国专利申请通过引用全部包含于本申请中。
本公开涉及一种无引线封装式功率半导体模块。
技术介绍
根据如在专利文献I中公布的普通的功率半导体模块，功率器件和控制IC安装在引线框架上并且利用引线框架形成外部端子。另外，专利文献2公布了功率器件和控制IC安装在散热基板上、并且引线框架连接到散热基板的外部以形成外部端子的结构。然而，普通的功率半导体模块具有一维结构，所述一维结构利用用来连接到外部的引线框架端子并且利用其上安装有各种器件的内引线框架或散热基板，因此，难以减小功率半导体模块的尺寸。S卩，市场已经需要高集成度、高性能和小功率的半导体模块，但是上述的普通的功率半导体模块具有双列直插封装(DIP)形式或单列直插封装(SIP)形式。在功率半导体模块的结构的特性方面，具有所述结构的半导体模块由于安装有各种器件的内引线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无引线封装式功率半导体模块，所述无引线封装式功率半导体模块包括：表面贴装式的连接端子，形成在四个侧面的相应侧面相互接触的拐角处；第一安装区域，通过桥连接到连接端子以使第一安装区域设置在所述无引线封装式功率半导体模块的中心部分处，并且安装有功率器件或电连接到功率器件以控制功率器件的控制IC；以及第二安装区域，形成在连接端子之间并且安装有功率器件或控制IC，其中，第一安装区域通过桥设置在与第二安装区域不同的高度处以与第二安装区域产生阶梯差。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金洸洙，严基宙，李硕浩，蔡埈锡，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR