一种薄膜封装方法及其结构技术

技术编号:14362482 阅读:433 留言:0更新日期:2017-01-09 09:56
本申请涉及显示技术领域,具体讲,涉及一种薄膜封装方法及其结构。本申请的薄膜封装方法至少包括以下步骤:将待封装器件表面依次制备第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层,在制备第一无机材料层和/或第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A,然后采用原子层沉积法在无机层A的表面制备无机层B;或,先采用原子层沉积法制备无机层B,然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在无机层B的表面制备无机层A。本申请利用了物理气相沉积法或化学气相沉积法与原子层沉积法制备得到复合无机层的致密度渐变,使制备得到的无机层与有机材料层的热膨胀系数偏差减小,提高了显示屏的耐弯折性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示
,具体讲,涉及一种薄膜封装方法及其结构
技术介绍
电子器件尤其是有机电子器件对空气中的水汽和氧气特别敏感,因此需要对有机器件进行封装以保证器件的性能和使用寿命。目前柔性有机电子器件封装主要方法,是直接在器件表面制作阻挡水氧渗透性能优异的柔性薄膜结构。由于柔性的聚合物膜阻挡水氧渗透能力非常有限,而致密无针孔的无机膜阻挡水氧能力虽较高但达到一定厚度时则表现为刚性结构且易碎裂,因而目前国际上绝大多数的柔性封装研究都是基于有机/无机多层膜交替复合结构的封装技术开展的。其中,无机层的主要成膜方法有:物理气相沉积法(PVD)、化学气相沉积法(CVD)、原子层沉积法(ALD)。ALD膜层水氧阻隔效果最佳,但由于ALD膜层致密性和应力比较大,与有机层热膨胀系数相差比较大,直接制备于有机层之上容易导致膜层开裂。鉴于此,特提出本申请。
技术实现思路
本申请的首要专利技术目的在于提出一种薄膜封装方法。本申请的第二专利技术目的在于提出一种薄膜封装的结构。为了完成本申请的目的,采用的技术方案为:本申请涉及一种薄膜封装方法,至少包括以下步骤:将待封装器件表面依次制备第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层,在制备所述第一无机材料层和/或第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A,然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B;或,先采用原子层沉积法制备无机层B,然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述无机层B的表面制备无机层A。优选的,所述无机层A与所述无机层B的材料相同。优选的,在制备所述第一无机材料层时,所述待封装器件表面为金属铝层时,直接采用原子层沉积法在所述金属铝层制备无机层B1。优选的,在制备所述第一无机材料层和/或第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述待封装器件表面制备无机层A,然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B,最后在所述无机层B的表面通过物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层C。优选的,所述无机层A、所述无机层B和所述无机层C的材料相同。优选的,所述无机材料层的材料选自氧化铝、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。优选的,所述物理气相沉积法制备得到的无机层的厚度为50~200nm,所述化学气相沉积法制备得到的无机层的厚度为100nm~1μm,所述原子层沉积法制备得到的无机层的厚度为30~70nm。优选的,所述有机材料层采用涂布、喷墨打印或蒸镀的方法制备,所述有机材料层的材料选自丙烯酸酯、环氧树脂、聚对二甲苯、有机硅。优选的,所述待封装器件为有机发光二极管,所述有机发光二极管为顶发光有机发光二极管和/或底发光有机发光二极管。本申请涉及一种薄膜封装结构,所述薄膜封装结构设置于封装器件的表面,所述封装器件表面依次设置有第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层,所述第一无机材料层和/或第二无机材料层中包括采用原子层沉积法制备的无机层B;所述无机层B的至少一个表面上设置有采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备的无机层A。本申请的技术方案至少具有以下有益的效果:采用原子层沉积得到的无机层最致密,所以膨胀系数最低;气相沉积法的无机层致密度较低,膨胀系数也较低;而有机层膨胀系数较高。本申请利用了物理气相沉积法或化学气相沉积法与原子层沉积法制备得到复合无机层的致密度渐变,使原子层沉积法制备得到的无机层与有机材料层的热膨胀系数偏差减小,提高了显示屏的耐弯折性能。同时,由于物理气相沉积法或化学气相沉积法与原子层沉积法制备得到复合无机层与有机层配合,大大提高了封装薄膜的密封效果。在本申请优选的技术方案中,原子层沉积法无机层与气相沉积法的无机层采用相同的材料,当采用相同材料时,两个无机层的结合度更好,从而形成更加稳固的连接,可进一步提高显示屏的耐弯折性能。附图说明图1为本申请中某一具体实施方式的薄膜封装结构的示意图;图2为本申请中又一具体实施方式的薄膜封装结构的示意图;图3为本申请中又一具体实施方式的薄膜封装结构的示意图;图4为本申请中又一具体实施方式的薄膜封装结构的示意图;图5为本申请中又一具体实施方式的薄膜封装结构的示意图;其中,1-第一无机材料层;A1-无机层A1;B1-无机层B1;C1-无机层C1;2-有机材料层;3-第二无机材料层;A2-无机层A2;B2-无机层B2;C2-无机层C2;4-OLED;5-基板。具体实施方式下面结合具体实施例,进一步阐述本申请。应理解,这些实施例仅用于说明本申请而不用于限制本申请的范围。本申请涉及一种薄膜封装方法,至少包括以下步骤:将待封装器件表面依次制备第一无机材料层1、有机材料层2和第二无机材料层3,在制备第一无机材料层和/或第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A,然后采用原子层沉积法在无机层A的表面制备无机层B;或,先采用原子层沉积法制备无机层B,然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在无机层B的表面制备无机层A。其中,无机层A与无机层B可采用相同材料或不同的材料。通过先采用气相沉积法制备得到致密度较低的无机层A,然后再采用原子沉积法制备得到致密度较高的无机层B,从而形成了有机层到无机层之间的致密度逐渐增加,降低了有机材料层2与第二无机材料层3之间的膨胀系数差值,从而提高了显示屏的耐弯折性能。在本申请优选的技术方案中,无机层A与无机层B的材料相同,形成复合的第二无机材料层3,且采用相同的材料进行搭接,其结合度良好,从而形成更加稳固的连接,进一步提高显示屏的耐弯折性能。本申请的薄膜封装主要应用于有机发光二极管(OLED),即待封装器件为OLED,包括顶发光OLED和底发光OLED。作为本申请薄膜封装方法的一种改进,在制备第一无机材料层1时,当待封装器件表面为金属铝层时,直接采用原子层沉积法在金属铝层的表面制备无机层B1。即,当有机发光二极管为底发光OLED时,采用原子层沉积法直接在阴极表面制备无机层。优选的,直接在阴极表面制备无机层时,所采用的无机材料为氧化铝,因为氧化铝与阴极Al直接接触,热膨胀系数偏差比较小,从而使薄膜封装与OLED的结合更加牢固,提高显示屏的耐弯折性能。作为本申请薄膜封装方法的一种改进,在制备所述第一无机材料层和/或第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述待封装器件表面制备无机层A,然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B,最后在所述无机层B的表面通过物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层C,从而降低第一无机材料层1与有机材料层2之间的膨胀系数差值。作为本申请薄膜封装方法的一种改进,无机层A、无机层B与无机层C的材料相同,形成复合的第一无机材料层,使各无机层之间的结合度更好,从而可形成更加稳固的连接。作为本申请薄膜封装方法的一种改进,无机材料选自氧化铝AlOx(0<x<1.5)、氧化硅SiOx(0<x<2)、氮化硅SiNx(0<x<1.5)、氮氧化硅SiOxNy。作为本申请薄膜封装方法的一种改进,物理气相沉积法制备得到的无机层的厚度为50~200nm,化学气相沉积法制备得到的无机层的厚度为100nm~1μm,原子层沉积法制备得到的无机层的厚度为30~70nm。作为本申请本文档来自技高网...
一种薄膜封装方法及其结构

【技术保护点】
一种薄膜封装方法,其特征在于,至少包括以下步骤:将待封装器件表面依次制备第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层,在制备所述第一无机材料层和/或所述第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A,然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B;或,先采用原子层沉积法制备无机层B,然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述无机层B的表面制备无机层A。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜封装方法,其特征在于,至少包括以下步骤:将待封装器件表面依次制备第一无机材料层、有机材料层和第二无机材料层,在制备所述第一无机材料层和/或所述第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层A,然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B;或,先采用原子层沉积法制备无机层B,然后采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述无机层B的表面制备无机层A。2.根据权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述无机层A与所述无机层B的材料相同。3.根据权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,在制备所述第一无机材料层时,所述待封装器件表面为金属铝层时,直接采用原子层沉积法在所述金属铝层制备无机层B1。4.根据权利要求1所述的薄膜封装方法,其特征在于,在制备所述第一无机材料层和/或第二无机材料层时,先采用物理气相沉积法或化学气相沉积法在所述待封装器件表面制备无机层A,然后采用原子层沉积法在所述无机层A的表面制备无机层B,最后在所述无机层B的表面通过物理气相沉积法或化学气相沉积法制备无机层C。5.根据权利要求4所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述无机层A、所述无机层B和所述无机层C的材料...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵长征刘金强敖伟周斯然罗志忠
申请(专利权)人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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