一种半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(1001)；在半导体衬底上的栅极、栅极两侧的侧墙、和源区/漏区；位于源区/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁近邻，且底部覆盖源区/漏区的至少一部分，同一晶体管的源区/漏区之间通过层间介质层隔离；形成在栅极、侧墙、源区/漏区和下接触部上的层间介质层，和在层间介质层中形成的与下接触部相对应的上接触部(1013)。还提供了半导体器件的制造方法，该方法适用于制造半导体器件的接触部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹海洲，骆志炯，朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：
国别省市：