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提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底(1001)；在半导体衬底上的栅极、栅极两侧的侧墙、和源区/漏区；位于源区/漏区上的下接触部，下接触部与侧墙的外壁近邻，且底部覆盖源区/漏区的至少一部分，同一晶体管的源区/漏区之间通过层间介...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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