一种静电释放保护电路和驱动电路、集成电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种静电释放保护电路，包括：在检测到静电时，向驱动关闭电路发送使能信号，并将静电释放到接地节点的静电释放ESD控制电路；根据所述使能信号去使能驱动器件的驱动关闭电路；本实用新型专利技术同时还公开了一种驱动电路、集成电路，通过本实用新型专利技术的方案，在静电发生时，通过去使能驱动器件，使驱动器件的触发电压高于ESD保护器件的触发电压，防止驱动器件因静电而触发，并且不需要在驱动器件的输出端串联镇流电阻，并不需要在驱动器件上加硅化物阻挡，能够提高驱动电路的驱动能力，节约版图布线面积，简化工艺流程。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及静电释放(ESD,Electro-static Discharge)技术,尤其涉及一种ESD保护电路和驱动电路、集成电路(IC, Integrated Circuit)。
技术介绍
目前的ESD保护是通过在驱动器件的输出端串联镇流电阻来限制流向驱动器件的静电电流，提高触发驱动器件的静电电压，防止静电使驱动器件触发而损坏。图I所示为推挽方式的驱动电路，如图I所示，驱动器件N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOS，N-Metal-Oxid-Semiconductor) Ml I 和 P 型 MOS (PMOS) Ml2 组成推挽输出电路，NMOS Mll的栅极连接第一预驱动器件Dll的输出端，PMOS M12的栅极连接第二预驱动器件D12的输出端，NMOS Mll的源极连接接地节点GND，PMOS M12的源极连接电源VCC，在NMOS Mll和PMOS M12的输出端串联镇流电阻R11，在该驱动电路没有上电的情况下，NMOS·Mll的栅极电压为不确定状态，ESD保护器件NMOS M13的栅极电压可能没有被ESD检测电路(ESD Detection Circuit) 14拉本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电释放保护电路，其特征在于，该电路包括：在检测到静电时向驱动关闭电路发送使能信号，并将静电释放到接地节点的静电释放ESD控制电路；根据所述使能信号去使能驱动器件的驱动关闭电路。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：田光春，
申请(专利权)人：快捷半导体苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：