【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种静电放电保护电路，且特别涉及一种基于金属氧化物半导体晶体管串联架构的静电放电保护电路。
技术介绍
芯片是现代信息社会最重要的硬件基础。为了汲取运作所需的电力，芯片设有电力接垫，如电源接垫与地端接垫，分别将工作电压与地端电压传输至芯片内的电源绕线与地端绕线(可统称为电力绕线)。为了要和外界电路交换信号，芯片还设有输出入接垫，将输出入信号传输至芯片内的信号绕线，使芯片中的内部电路可经由此信号绕线交换信号。芯片中亦可划分出不同的电源领域(power domain)，各电源领域中的内部电路操作于不同的工作电压及/或地端电压，而不同电源领域的内部电路间亦以信号绕线交换信号。不过， 高电压的静电放电也会由各种接垫与绕线传导至芯片内部；为了保护芯片不受静电放电的危害，芯片中会设置静电放电保护电路。当静电放电事件发生在信号绕线与电力绕线之间时，静电放电保护电路会在两者间导通静电放电的电流，使静电放电的电流不会累积成高电压而伤害信号绕线上的内部电路。请参考图1A，其所示意的是一用在输入接垫PAD上的公知静电放电保护电路10，用以保护内部电路12 ;例如说，内部电...
【技术保护点】
一种静电放电保护电路，其特征在于，该静电放电保护电路包含：至少一第一保护晶体管，串联于一内部节点与一第一电压节点之间；各该第一保护晶体管具有一栅极、一源极与一漏极，该栅极耦接该漏极；以及一电阻，耦接于该内部节点与一信号节点之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡富义，彭彦华，蔡佳谷，柯明道，
申请(专利权)人：智原科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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