静电放电防护元件制造技术

本发明专利技术公开了一种静电放电防护元件，其包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包含第一基体电极、第一电极以及第二电极，第一基体电极与第一电极形成一第一寄生二极管，第一基体电极与第二电极形成一第二寄生二极管。第二晶体管包含第二基体电极、第三电极以及第四电极，第二基体电极与第三电极形成一第三寄生二极管，第二基体电极与第四电极形成一第四寄生二极管。第一基体电极连接于第三电极，第二基体电极连接于第一电极。

【技术实现步骤摘要】

本揭示内容是有关于一种防护元件，且特别是有关于一种静电放电防护元件。
技术介绍
一般而言，各种电子装置中均会设置有静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)防护的机制，藉以避免当人体带有过多的静电而去触碰电子装置时，电子装置因为静电所产生的瞬间大电流而导致毁损，或是避免电子装置受到环境或运送工具所带的静电影响而产生无法正常运作的情形。举例而言，单一电子元件(如积体电路晶片)中可能具有多种电源区域(powerdomain)，藉此提供各种所需电源予不同的电路，以供各类型的电路操作。然而，在单一电子元件中设计多种电源区域的方式，通常会导致电子元件本身的静电放电防护能力变差，使得不同电源区域之间的介面无法有效地进行静电放电防护，进而发生有内部电路毁损的情形。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种静电放电防护元件，藉此进行静电放电防护。本揭不内容的一技术样态系关于一种静电放电防护兀件，其包含一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管包含第一基体电极、第一电极以及第二电极，第一基体电极与第一电极形成一第一寄生二极管，第一基体电极与第二电极形成一第二寄生二极管。第二晶体管包含第二基体电极、第三电极以及第四电极，第二基体电极与第三电极形成一第三寄生二极管，第二基体电极与第四电极形成一第四寄生二极管。第一基体电极连接于第三电极，第二基体电极连接于第一电极。本揭不内容的另一技术样态系关于一种静电放电防护兀件，其包含一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管包含第一基体电极、第一电极以及第二电极，第一基体电极、第一电极与第二电极形成一等效电路。第二晶体管包含第二基体电极、第三电极以及第四电极，第二基体电极、第三电极与第四电极形成另一等效电路。第一基体电极连接于第三电极而无二极管串接于第一基体电极和第三电极之间，第二基体电极连接于第一电极而无二极管串接于第二基体电极和第一电极之间。本揭不内容的又一技术样态系关于一种静电放电防护兀件，其包含一第一晶体管以及一第二晶体管。第一晶体管包含第一基体电极、第一电极以及第二电极，第一晶体管中具有一第一寄生二极管以及一第二寄生二极管。第二晶体管包含第二基体电极、第三电极以及第四电极，第二晶体管中具有一第三寄生二极管以及一第四寄生二极管。第一寄生二极管、第二寄生二极管、第三寄生二极管以及第四寄生二极管系用以选择性地传导第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极中二者间相对的静电放电电流。根据本揭示的
技术实现思路
，应用前述静电放电防护元件，可有效地增强整体电路的静电放电防护，藉此提升导通静电放电电流的能力。附图说明图I系依照本专利技术实施例绘示一种静电放电防护元件的示意图。图2至图5系依照本专利技术实施例绘示一种如图I所示的静电放电防护元件的操作示意图。图6系依照本专利技术另一实施例绘示一种静电放电防护元件的示意图。图7至图10系依照本专利技术实施例绘示一种如图6所示的静电放电防护元件的操作示意图。图11系绘示习知元件、习知防护元件与本专利技术实施例的静电放电防护元件三者经传输线触波产生器静电测试(Transmission Line Pulsing, TLP)后的比较图。 主要元件符号说明100、200 :静电放电防护元件110、210 :第一晶体管120、220 :第二晶体管112:第一基体电极122:第二基体电极114、116、124、126 :电极A1、A2、C1、C2 :端点D1、D2、D3、D4 :寄生二极管具体实施例方式下文系举实施例配合所附图式作详细说明，但所提供的实施例并非用以限制本专利技术所涵盖的范围，而结构运作的描述非用以限制其执行的顺序，任何由元件重新组合的结构，所产生具有均等功效的装置，皆为本专利技术所涵盖的范围。此外，图式仅以说明为目的，并未依照原尺寸作图。关于本文中所使用的“约”、“大约”或“大致” 一般通常系指数值的误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，而更佳地则是于百分之五以内。文中若无明确说明，其所提及的数值皆视作为近似值，即如“约”、“大约”或“大致”所表示的误差或范围。图I系依照本专利技术实施例绘示一种静电放电防护元件的示意图。静电放电防护元件100包含第一晶体管110以及第二晶体管120,其中第一晶体管110包含一第一基体(bulk)电极112以及两电极114、116，第二晶体管120包含一第二基体电极122以及两电极124、126，而第一基体电极112连接于电极124，第二基体电极122连接于电极114。在本实施例中，第一基体电极112与电极114、116分别形成寄生二极管D1、D2，且第二基体电极122与电极124、126分别形成寄生二极管D3、D4。实作上，第一晶体管110和第二晶体管120可各自为一双载子接面晶体管(BJT)或一金氧半导体场效晶体管(MOSFET)。举例来说，第一晶体管110和第二晶体管120两者可均为NPN型或PNP型双载子接面晶体管，此时上述第一基体电极112和第二基体电极122可作为双载子接面晶体管的基极。此外，第一晶体管110和第二晶体管120两者亦可均为N型或P型金氧半导体场效晶体管。虽然图I系绘示两个N型金氧半导体场效晶体管，但本专利技术实施例并不以此为限，本领域具通常知识者可依实际需求选择使用适合的晶体管元件。在图I中，由于第一晶体管110的第一基体电极112连接于第二晶体管120的电极124，第二晶体管120的第二基体电极122连接于电极114，且寄生二极管Dl、D2、D3、D4可以分别形成于第一晶体管110和第二晶体管120中，因此电极114、116、124、126中二者间相对的静电放电电流，便可选择性地透过寄生二极管Dl、D2、D3、D4进行传导，使静电放电防护操作得以有效执行。在次一实施例中，对第一晶体管110而言，第一基体电极112与电极114、116可形成一等效电路，对第二晶体管120而言，第二基体电极122与电极124、126可形成另一等效电路。举例来说，第一晶体管110和第二晶体管120均为N型或P型金氧半导体场效晶体管，其中第一基体电极112与电极114、116形成一寄生双载子接面晶体管，而第二基体电极122与电极124、126形成另一寄生双载子接面晶体管。具体而目，当第一晶体管110和 第二晶体管120均为N型金氧半导体场效晶体管时，第一基体电极112与电极114、116可形成一寄生NPN型双载子接面晶体管，且第二基体电极122与电极124、126可形成另一寄生NPN型双载子接面晶体管。当第一晶体管110和第二晶体管120均为P型金氧半导体场效晶体管时，第一基体电极112与电极114、116可形成一寄生PNP型双载子接面晶体管，且第二基体电极122与电极124、126可形成另一寄生PNP型双载子接面晶体管。另一方面,在另一实施例中，上述第一基体电极112连接于电极124,且无任何二极管串接于第一基体电极112和电极124之间，而第二基体电极122连接于电极114，且无任何二极管串接于第二基体电极122和电极114之间，藉此可于第一晶体管110和第二晶体管120之间省去实体的二极管元件或电路。 在另一实施例中，上述第一基体电极112可直接连接于电极124，而第二基体电极122可直接连接于电极11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电防护元件，其特征在于，所述的静电放电防护元件包含：一第一晶体管，包含一第一基体电极、一第一电极以及一第二电极，所述的第一基体电极与所述的第一电极形成一第一寄生二极管，所述的第一基体电极与所述的第二电极形成一第二寄生二极管；以及一第二晶体管，包含一第二基体电极、一第三电极以及一第四电极，所述的第二基体电极与所述的第三电极形成一第三寄生二极管，所述的第二基体电极与所述的第四电极形成一第四寄生二极管；其中所述的第一基体电极连接于所述的第三电极，所述的第二基体电极连接于所述的第一电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖明芳，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：