静电放电器件、其制造方法及阵列基板、显示面板和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。该静电放电器件包括晶体管，晶体管的源极和漏极之一作为静电放电器件的输入端，另一者作为输出端，晶体管具有：作为第一浮空栅极的第一导电层；覆盖第一导电层的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的有源层；覆盖有源层的第二绝缘层；作为第二浮空栅极的第二导电层，位于第二绝缘层上；覆盖第二导电层的第三绝缘层；及位于第三绝缘层上且分别位于有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层，第三导电层作为源极和漏极的一者，第四导电层作为源极和漏极的另一者。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及静电放电(ESD)防护。具体涉及静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。
技术介绍
在显示设备中，为了防止显示面板等因静电而造成损伤，一般对显示面板等设置静电放电器件。随着产品的分辨率不断变高，产品的像素设计得越来越小，这导致显示区域周边的ESD设计单元的空间也越来越小。然而，现有技术中的静电放电器件所占用的空间面积大且静电放电能力也需要进一步提高。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供至少能够大大节省ESD设计占用的空间面积并且静电放电能力增强的静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。本专利技术的一个目的在于提供一种静电放电器件。本专利技术的第一方面提供一种静电放电器件，包括晶体管，所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端，所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端，其中，所述晶体管具有：作为第一浮空栅极的第一导电层；覆盖所述第一导电层的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；作为第二浮空栅极的第二导电层，位于所述第二绝缘层上；覆盖所述第二导电层的第三绝缘层；以及，位于所述第三绝缘层上且分别位于所述有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层，其中所述第三导电层作为所述源极和所
述漏极的一者，所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者，所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器，所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器，所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器，所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。在一个实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层被电连接到一起。在一个实施例中，所述晶体管还具有：位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层，所述第一导电层和所述第二导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。在一个实施例中，还包括：覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层的第四绝缘层；和位于所述第四绝缘层上的第五导电层，所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器，所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。在一个实施例中，所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层被电连接到一起。在一个实施例中，所述晶体管还具有：位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层，所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。在一个实施例中，所述第五导电层包括ITO层或Al层。本专利技术的另一个目的在于提供一种有源阵列基板。本专利技术的第二方面提供了一种有源阵列基板，所述有源阵列基板具有如上所述的静电放电器件。在一个实施例中，所述静电放电器件的输入端被连接到栅线或者数据线，所述静电放电器件的输出端被接地。本专利技术的又一个目的在于提供一种显示面板。本专利技术的第三方面提供了一种显示面板，所述显示面板具有如上所述的有源阵列基板。本专利技术的另一个目的在于提供一种显示装置。本专利技术的第四方面提供了一种显示装置，所述显示装置具有如上所述的显示面板。本专利技术的再一个目的在于提供一种静电放电器件的制造方法。本专利技术的第五方面提供了一种静电放电器件的制造方法，所述静电放电器件包括晶体管，所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端，所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端，所述制造方法中包括：形成作为第一浮空栅极的第一导电层；覆盖所述第一导电层形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成有源层；覆盖所述有源层形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成作为第二浮空栅极的第二导电层；覆盖所述第二导电层形成第三绝缘层；以及，在所述第三绝缘层上形成彼此隔离的第三导电层和第四导电层，其中所述第三导电层和所述第四导电层分别位于所述有源层的两侧，所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者以及所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者，其中所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器，所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器，所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器，所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。在一个实施例中，还包括：将所述第一导电层与所述第二导电层电连接到一起。在一个实施例中，还包括：形成贯通所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述第一导电层的第一过孔和贯通所述第三绝缘层并到达所述第二导电层的第二过孔；和在所述第三绝缘层上形成与所述第三导电层和所述第四导电层隔离且覆盖并填充所述第一过孔和所述第二过孔的中继导电层。在一个实施例中，还包括：覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层形成第四绝缘层；和在所述第四绝缘层上形成第五导电层，其中所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器，所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。在一个实施例中，还包括：将所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层电连接到一起。在一个实施例中，还包括：形成贯通所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述第三绝缘层并到达所述第一导电层的第一过孔和贯通所述第三绝缘层并到达所述第二导电层的第二过孔中的至少一者；在所述第三绝缘层上形成与所述第三导电层和所述第四导电层隔离且覆盖并填充所形成的过孔的中继导电层；形成贯通所述第四绝缘层且到达所述中继导电层的第三过孔；以及形成所述第五导电层以覆盖并填充所述第三过孔。在一个实施例中，所述第五导电层包括ITO层或Al层。附图说明为了更清楚地说明本专利技术的实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1是表示本专利技术的一个实施例的静电放电器件的剖视图。图2是对应于图1的电路原理图。图3是表示本专利技术的又一个实施例的第一导电层与第二导电层电连接时的电连接处的剖视图。图4是对应于图3的电路原理图。图5是本专利技术的一个实施例的静电放电器件的剖视图。图6是对应于图5的电路原理图。图7是本专利技术的另一个实施例的第一导电层与第五导电层电连接时的电连接处的剖视图。图8是对应于图7的电路原理图。图9是本专利技术的再一个实施例的第二导电层与第五导电层电连接时的电连接处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种静电放电器件，包括晶体管，所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端，所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端，所述静电放电器件的特征在于，所述晶体管具有：作为第一浮空栅极的第一导电层；覆盖所述第一导电层的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；作为第二浮空栅极的第二导电层，位于所述第二绝缘层上；覆盖所述第二导电层的第三绝缘层；以及，位于所述第三绝缘层上且分别位于所述有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层，其中所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者，所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者，所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器，所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器，所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器，所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。...

【技术特征摘要】
1.一种静电放电器件，包括晶体管，所述晶体管的源极和漏极之一作为所述静电放电器件的输入端，所述源极和所述漏极的另一者作为所述静电放电器件的输出端，所述静电放电器件的特征在于，所述晶体管具有：作为第一浮空栅极的第一导电层；覆盖所述第一导电层的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的有源层；覆盖所述有源层的第二绝缘层；作为第二浮空栅极的第二导电层，位于所述第二绝缘层上；覆盖所述第二导电层的第三绝缘层；以及，位于所述第三绝缘层上且分别位于所述有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层，其中所述第三导电层作为所述源极和所述漏极的一者，所述第四导电层作为所述源极和所述漏极的另一者，所述第一导电层、所述第三导电层以及位于所述第一导电层与所述第三导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第一电容器，所述第一导电层、所述第四导电层以及位于所述第一导电层与所述第四导电层之间的所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述第三绝缘层形成第二电容器，所述第二导电层、所述第三导电层以及位于所述第二导电层与所述第三导电层之间的所述第三绝缘层形成第三电容器，所述第二导电层、所述第四导电层以及位于所述第二导电层与所述第四导电层之间的所述第三绝缘层形成第四电容器。2.根据权利要求1所述的静电放电器件，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层被电连接到一起。3.根据权利要求2所述的静电放电器件，其特征在于，所述晶体管还具有：位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层，所述第一导电层和所述第二导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。4.根据权利要求1所述的静电放电器件，其特征在于，还包括：覆盖所述第三绝缘层、所述第三导电层和所述第四导电层的第四绝缘层；和位于所述第四绝缘层上的第五导电层，所述第五导电层、所述第三导电层以及位于所述第五导电层与所述第三导电层之间的所述第四绝缘层形成第五电容器，所述第五导电层、所述第四导电层以及位于所述第五导电层与所述第四导电层之间的所述第四绝缘层形成第六电容器。5.根据权利要求4所述的静电放电器件，其特征在于，所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层被电连接到一起。6.根据权利要求5所述的静电放电器件，其特征在于，所述晶体管还具有：位于所述第三绝缘层上并与所述第三导电层和所述第四导电层隔离的中继导电层，所述第一导电层以及所述第二导电层中的至少一者和所述第五导电层经由相应的过孔被电连接到所述中继导电层。7.根据权利要求4至6中任一项所述的静电放电器件，其特征在于，所述第五导电层包括ITO层或Al层。8.一种有源阵列基板，其特征在于，具有权利要求1至7中任一项所述的静电放电器件。9.根据权利要求8所述的有源阵列基板，其特征在于，所述静电放电器件的输入端被连接到栅线或者数据线，所述静电放电器件的输出端被接地。10.一种显示面板，其特征在于，具有权利要求8或9所述的有源阵
\t列基板。11.一种显示装置，其特征在于，具有权利要求10所述的显示面板。12.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖翠丽，王龙彦，王玲，李全虎，林奕呈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11