覆晶式半导体全波整流元件及其制造方法技术

技术编号:8387846 阅读:208 留言:0更新日期:2013-03-07 09:59
本发明专利技术提供一种覆晶式半导体全波整流元件及其制造方法,该覆晶式半导体全波整流元件至少包含一颗PNNP型及/或NPPN型覆晶(Flip-Chip)、以及一片包含多根接脚的料片或基板,其特征在于:该PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊点(bump)皆位于同一面,能简易地让多根接脚分别与该多个覆晶的焊点依照全波整流器的电路配置来焊接组合后,经过成型封装及切脚步骤即完成成品的制作;其成品具备全波整流功能,并具有简化工艺、降低成本以及缩小体积的功效,有别于传统由二/四颗单晶粒所组成的全波整流器。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是提供一种与半导体/电子元件有关的技术,特别是指一种利用单料片或基板所制成的。
技术介绍
众所周知,电子元件中的全波整流器分为桥式整流器(Bridge Rectifier)与中心抽头式全波整流器(Center-Tap full-wave rectifier)两种,其中桥式整流器的工作原理,是利用四个半波整流器(Half-wave Rectif ier),即由四个二极管(Diodes)所组成,来对交流电源进行全波整流,使交流电源得以转换为直流电源输出;而中心抽头式全波整流器适用在变压器为中心抽头型的电路配置上,利用两个背对背的二极管(P极接P极,或N接N极)便可组成全波整流;该多个全波整流器在电力电子
中应用范围甚广,为相当重要的电子元件。由于上述桥式整流器必须将四个二极管的八个脚位分别予以电气连接后,再以四个接脚连接于外部电路(两个交流电输入、两个直流电输出),因此目前市售的桥式整流器,其制造方法及构造是将四颗PN型单晶粒架设在支架(导线架)上,并利用跳线(打线)的方式将八个脚位(焊点)分别连接后,经过成型封装、切割,使四个接脚外露,以供外部电路电气连接;这种跳线、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶式半导体全波整流元件的制造方法,其特征在于,至少包含一颗PNNP型及/或一颗NPPN型覆晶、以及一片具有多根接脚的料片或基板,其中该PNNP型及/或NPPN型覆晶的全部焊点皆位于同一面,料片或基板的多根接脚分别与该PNNP型及/或NPPN型覆晶的焊点依照全波整流器的电路配置来焊接组合后,经封装成型及切脚即完成成品的制作。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:黄文彬吴文湖
申请(专利权)人:美丽微半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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