【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体装置的制造方法及半导体装置。
技术介绍
一般而言，在半导体装置中，作为半导体芯片向安装基板上的安装方法，采用使用了钎焊材料的钎焊接合。作为这样的钎焊材料，很久以来使用Pb类及Pb — Sn类，近年来，随着无Pb化,使用Sn — Ag类或Sn — Ag — Cu类。此外,在Si的分立型半导体装置中，使·用通过Si与Au镀层的反应进行的共晶接合。近年来，随着电子设备的小型化，搭载的半导体装置的发热密度处于上升的趋势。此外，Si半导体装置的一般的动作温度是125°C、在300°C以下使用，相对于此，SiC、GaN等的化合物半导体装置能够进行300°C以上的动作，在高温动作中能够降低损失。所以，要求可得到300°C以上的高温下的良好的耐热性及耐热循环性的安装方法。作为这样的安装方法，使用了 Au — Si共晶钎焊的接合、及基于Ag纳米粒子的低温烧结等已实用化。但是，在这些安装方法中，由于使用AiuAg等的贵金属，所以应用受到限制。
技术实现思路
本专利技术通过通用性较高、可得到良好的高温环境下的可靠性的方法进行半导体芯片的安装，能够进行半导体装置的高温动...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在安装基板与半导体芯片之间夹装接合层的工序，该接合层具有：含有从Cu、Al、Ag、Ni、Cr、Zr、Ti中选择的某种金属或其合金的接合支撑层，和夹着上述接合支撑层而层叠的、含有从Sn、Zn、In中选择的某种金属或由从这些金属中选择的两种以上的金属构成的合金的熔融层，该接合层至少在最外层形成上述熔融层；以及在上述熔融层的熔点以上的温度下保持、通过液相扩散形成比上述熔融层熔点高的合金层而使上述安装基板与上述半导体芯片接合的工序。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木遥，山本敦史，小谷和也，久里裕二，栂嵜隆，北泽秀明，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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