带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，该非易失电阻转变型存储器由上Ｐｔ电极、下Ｐｔ电极、二元过渡族金属氧化物薄膜和ＰｔＯｘ界面层构成，其中，二元过渡族金属氧化物薄膜位于上Ｐｔ电极与下Ｐｔ电极之间，ＰｔＯｘ界面层位于二元过渡族金属氧化物薄膜与下Ｐｔ电极之间。本发明专利技术提供的带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面ＣＭＯＳ工艺兼容等优点，有利于本发明专利技术的广泛推广和应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子器件及存储器
，尤其涉及一种基于二元过渡族金属氧化物电阻转变特性的带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器。
技术介绍
最近，电阻转变型随机存储器件(resistive random access memory, RRAM)由于具有简单的器件结构(金属_绝缘体_金属)、高的器件密度、低的功耗、快的编程/檫除速度等突出的优点，所以引起了国内外大公司和科研院所的高度关注。 电阻转变存储技术是以材料的电阻在电压的控制下可以在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的。有多种类型的材料被证明具有电阻转变特性(l)有机聚合物，如聚酰亚胺(PI) 、 AIDCN以及CuTCNQ等；(2)多元金属氧化物，如磁阻材料Pr。.7Ca。.3Mn03和La。.7Ca。.3Mn03等，掺杂的SrTi03和SrZr03等；(3) 二元过渡族金属氧化物，如NiO、 Nb205、CuOx、 Zr02、 Hf02、 Ta205、 Ti02等；(4)固态电解液材料，如CuS， AgS， AgGeSe等。二元氧化物由于材料制造比较简单，同时可以与当前的CMOS工艺完全的兼容，因而更加受到重视。 而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，其特征在于，该非易失电阻转变型存储器由上Ｐｔ电极、下Ｐｔ电极、二元过渡族金属氧化物薄膜和ＰｔＯ↓［ｘ］界面层构成，其中，二元过渡族金属氧化物薄膜位于上Ｐｔ电极与下Ｐｔ电极之间，ＰｔＯ↓［ｘ］界面层位于二元过渡族金属氧化物薄膜与下Ｐｔ电极之间。

【技术特征摘要】
一种带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，其特征在于，该非易失电阻转变型存储器由上Pt电极、下Pt电极、二元过渡族金属氧化物薄膜和PtOx界面层构成，其中，二元过渡族金属氧化物薄膜位于上Pt电极与下Pt电极之间，PtOx界面层位于二元过渡族金属氧化物薄膜与下Pt电极之间。2. 根据权利要求1所述的带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，其特征在于， 所述上Pt电极和下Pt电极采用电子束蒸发、磁控溅射或原子层沉积的方法制作而成。3. 根据权利要求1所述的带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，其特征在于， 所述二元过渡族金属氧化物薄膜采用的材料为Zr02、NiO、Ti02、CuOx、ZnO、...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，刘琦，龙世兵，管伟华，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]