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本发明公开了一种带有自整流效应的非易失电阻转变型存储器，该非易失电阻转变型存储器由上Ｐｔ电极、下Ｐｔ电极、二元过渡族金属氧化物薄膜和ＰｔＯｘ界面层构成，其中，二元过渡族金属氧化物薄膜位于上Ｐｔ电极与下Ｐｔ电极之间，ＰｔＯｘ界面层位于二元过渡...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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