本发明专利技术的发光装置具备：基板；设于基板上的发光元件；设于基板上，并将发光元件以与发光元件空出间隔的方式被覆，且在下端的外周部具有段差，并且下端经由透光性构件而与基板接合的波长转换构件。再有，发光装置还具备：被设置在基板上、且被配置在发光元件和透光性构件之间的遮光构件。而且，波长转换构件其设置为，波长转换构件的下端从透光性构件上一直到透光性构件的侧部。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及含有发光元件的发光装置。
技术介绍
近年来，具有发光元件的发光装置的开发正在进行着。该发光装置中，其耗电或产品寿命受到注目。还有，作为发光装置，其将从发光元件发出的光由波长转换部转换成特定的波长范围的光、且向外部引出(例如，特开2004-193580号公报，特开2004-193581号公报)
技术实现思路
在发光元件的开发中，研究的是如何使发光元件发出的光高效率地由波长转换部转换。本专利技术其目的在于，提供一种可以使光的转换效率提高的发光装置。本专利技术的一个实施方式的发光装置，具备基板；设于基板上的发光元件；设于基板上，并将发光元件以与发光元件留有间隔的方式被覆，且在下端的外周部具有段差，并且下端经由透光性构件而与基板接合的波长转换构件。此外，发光装置还具备设置在基板上、且配置在发光元件和透光性构件之间的遮光构件。而且，波长转换构件其设置为，波长转换构件的下端从透光性构件上一直到透光性构件的侧部。附图说明图I是表示本专利技术的一个实施方式的发光装置的概观的剖面立体图。图2是本专利技术的一个本实施方式的发光装置的概观立体图，且表示取除了波长转换构件的状态。图3是本专利技术的一个实施方式的发光装置的剖面图。图4是一变形例的发光装置的剖面图。图5是一变形例的发光装置的剖面图。图6是一变形例的发光装置的剖面图。图7是一变形例的发光装置的剖面图。具体实施例方式以下参照附图，说明本专利技术的发光装置的一个实施方式。还有，本专利技术不受以下的实施方式限定。〈发光装置的概略构成〉本专利技术的一个实施方式的发光装置1，具备如下基板2 ;设于基板2上的发光兀件3 ;设于基板2上，并将发光元件3以与发光元件3留有间隔的方式被覆，且在下端的外周部具有段差，并且下端经由透光性构件5而与基板2接合的波长转换构件6。此外，发光装置I还具有遮光构件4，该遮光构件4被设置在基板2上、且被配置在发光元件3和透光性构件5之间。而且，波长转换构件6其设置为，波长转换构件6的下端从透光性构件5上一直到透光性构件5的侧部。还有，就发光元件3而言，例如是发光二极管，通过使用了半导体的Pn接合中的电子和空穴复合而进行发光，且向外部放出光。基板2是绝缘性的基板，例如，由氧化铝或富铝红柱石等的陶瓷材料或玻璃陶瓷材料等构成。另外，基板2还能够使用将这些材料之中的多种材料加以混合的复合系材料。另外，基板2还能够使用分散有可以对基板2的热膨胀进行调整的金属氧化物微粒的高分子树脂。在基板2上，形成有将基板2的内外进行电导通的配线导体。配线导体例如由钨、钥、锰或铜等导电材料构成。配线导体能够例如通过如下方式形成将在钨等的粉末中添加有机溶剂而得到的金属浆料，按规定的图案印刷在作为基板2的多个陶瓷生片上，将这些陶瓷生片层叠，进行烧成而形成。还有，在基板2的内外露出的配线导体的表面，为了防止氧化而粘附有镍或金等的镀层。·另外，在基板2的上表面，为了高效率地使光向基板2上方反射，按照与配线导体和镀层空出间隔的方式，形成例如铝、银、金、铜或钼等的金属反射层。另外，金属反射层能够通过如下方式形成将含有白色的陶瓷粉末的硅树脂等的绝缘性的透明构件，涂布在除去基板2上表面的发光元件的部位。发光元件3贴装在基板2上。具体来说，在形成于基板2上的配线导体的表面所粘附的镀层上，发光元件3例如经由钎料或焊料被电连接。发光元件3具有透光性基体、和在透光性基体上所形成的光半导体层。透光性基体是使用有机金属气相沉积法或分子束外延生长法等的化学气相生长法而使光半导体层生长的即可。作为用于透光性基体的材料，例如，能够使用蓝宝石、氮化镓、氮化铝、氧化锌、硒化锌、碳化硅、硅或二硼化锆等。还有，透光性基体的厚度，例如为50 μ m以上、1000 μ m以下。光半导体层由如下构成形成于透光性基体上的第一半导体层；形成于第一半导体层上的发光层；形成于发光层上的第二半导体层。第一半导体层、发光层和第二半导体层，例如，能够使用III族氮化物半导体、镓磷或砷化镓等的III-V族半导体，或者氮化镓、氮化铝或氮化铟等的III族氮化物半导体等。还有，第一半导体层的厚度，例如为I μ m以上、5 μ m以下,发光层的厚度,例如为25nm以上、150nm以下,第二半导体层的厚度,例如为50nm以上、600nm以下。另外,在发光元件3中，例如能够使用发出370nm以上、420nm以下的波长范围的激发光的元件。就遮光构件4而言，以与发光元件3空有间隔的方式被设置在基板2上。遮光构件4至少具备以下机能的任意一方反射由发光元件3发出的激发光的机能，吸收由发光元件3发出的激发光的机能。遮光构件4例如由以下材料构成氧化铝或富铝红柱石等的陶瓷材料，白色的环氧材料或聚四氟乙烯等的树脂材料，使透明的环氧树脂或硅树脂中含有白色的氧化铝粉末的复合系材料，或实施了镀铝、镀银和镀金的铜或铁-镍合金等的金属材料。遮光构件4经由例如硅树脂或丙烯酸树脂、环氧树脂等的粘接材料而被设置在基板2上。还有，遮光构件4的热传导率，例如为O. IW/(m · K)以上、418W/(m · K)以下。遮光构件4以包围发光元件3的方式设置。俯视时，遮光构件4为环状。还有，遮光构件4的外径，例如为5mm以上、20mm以下，遮光构件4的内径，例如为4mm以上、19mm以下。另外，遮光构件4的上下方向的大小，例如为O. Imm以上、Imm以下。因为遮光构件4包围发光元件3，所以从发光元件3在平面方向上出射的光就能够由遮光构件4反射、或由遮光构件4吸收。遮光构件4以发光元件3为中心形成为环状。因此，从发光元件3沿平面方向放射状行进的光就能够由遮光构件4以很少的偏差向内方反射、或吸收，能够抑制从发光装置I引出到外部的光集中到偏颇的位置，能够实现视认性优异的发光装置I。就遮光构件4而言，在与发光元件3的侧部对置的遮光构件4的侧部设有凹部P。就凹部P而言，基板2的上表面和凹部P的内壁面的一部分即顶棚面之间的大小，例如设定为O. 05mm以上、O. 9mm以下。另夕卜，凹部P的平面方向的大小，例如设定为O. 5mm以上、IOmm以下。就遮光构件4而言，沿着基板2的上表面的平面方向的凹部P的大小，比相对于基板2的上表面为垂直方向的凹部P的大小被设定得大。在使凹部P的平面方向的大小比凹部P的垂直方向的大小小的假如情况下，从发光元件4沿平面方向行进的光，经由遮光构件·4被过度地向内方反射，从发光装置I朝向外部行进的光的行进角度的范围过度地变窄之虞存在。因此，使凹部P的平面方向的大小比凹部P的垂直方向的大小大，就能够抑制从发光装置I向外部行进的光的行进角度过于狭窄。在遮光构件4设有凹部P，与假如在遮光构件4没有设置凹部P的情况比较，则能够减小遮光构件4的体积。发光元件3发光并且发生热量，而该热量从发光元件3经由基板2传导到遮光构件4。另外，从发光元件3发生的热，经由波长转换构件6所包围的气体中也传导到遮光构件4。因此，通过减小遮光构件4的体积，能够减少传导到波长转换构件5的热量。另外，凹部P设置在与发光元件3对置的遮光构件4的内侧部时，能够增长凹部P的内壁面和发光元件3之间的距离，能够减少传导到遮光构件4的热量。其结果是，能够减小传导到波长转换构件6的热量，从而能够抑制通过荧光体的温度达到高温而由热本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：作本大辅，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：
国别省市：
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