本发明专利技术的课题在于，提供一种能够容易地调整发光光谱的发光装置，该发光装置的发光效率更高。一种发光装置，其具有半导体发光元件和荧光体层，该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域，所述A区域和B区域在平面上以相同的荧光体部不相邻的方式配置有多个荧光体部，其中，在荧光体层中，在A区域和B区域中，使得特定的荧光体部所占的面积不同，由此解决了其课题。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光装置，尤其涉及能够容易地调整发光光谱且发光效率更高的发光>J-U ρ α装直。
技术介绍
使用了半导体发光元件的发光装置比荧光灯贵，像在冬夏更换荧光灯那样，根据环境或季节改变所述发光装置的发光色的色温在经济上并不容易。期望能够在单一的发光装置中根据需要变更色温。为了应对该要求，在专利文献I中公开了如下这样的发光装置该发光装置在透 明的圆盘上涂布中央部与外周部具有不同发光色的荧光体，通过变更半导体发光元件与荧光体涂布部之间的距离，能够变更照射角度，通过变更照射部分的大小，能够调节色温。但是，该发光装置是利用从发光元件发出的蓝色光和受到从所述发光元件发出的光的激发而从荧光体发出的黄色光来形成白色光，显色性较低。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2009 - 245712号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，在专利文献I所记载的发光装置中，在为了提高显色性而在荧光体层中混合地含有发光色不同的多种荧光体的情况下，会产生某一种荧光体发出的荧光被其他种类的荧光体吸收的现象、即所谓的级联激发，从而存在荧光体层的发光效率变低的课题(第I课题)。并且，在专利文献I所记载的发光装置中，关于怎样设定荧光体层与半导体发光装置之间的距离，没有进行规定，在没有充分隔开荧光体层与半导体发光元件之间的距离而构成时，随着发光兀件的光输出变高，不仅发光兀件的温度上升，而且由于突光体的颜色转换时的损失所产生的热量，荧光体的温度也上升，其结果，存在半导体发光元件和荧光体层的发光效率变低的课题(第2课题)。此外，在使用发出紫外光到近紫外光的半导体发光元件和能够被来自上述半导体发光元件的光激发而发出可见光的荧光体来构成发光装置的情况下，当来自上述半导体发光元件的光中、未被荧光体层转换为可见光而直接射出的光的比例变多时，存在荧光体层的发光效率变低的课题(第3课题)。并且，在使用发出紫外光到近紫外光的半导体发光元件和能够被来自上述半导体发光元件的光激发而发出可见光的荧光体来构成发光装置的情况下，当从荧光体层发出的可见光中朝向半导体发光兀件侧射出的光的比例变多时，存在发光装置的发光效率变低的课题(第4课题)。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述第I课题而反复进行了深刻研究，发现通过如下结构的发光装置能够解决其课题，从而完成了本专利技术该发光装置构成为具有将多个荧光体部配置成平面状的荧光体层，并且该荧光体层至少具备发光光谱不同的A区域和B区域，其中，能够调整从半导体发光装置照射到A区域和B区域的光的比例。本专利技术是一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该荧光体层具备发光光谱不同的A区域和B区域，该发光装置的特征在于，该发光装置构成为(i)所述半导体发光兀件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，(ii)所述A区域包含两个以上的第IA荧光体部和两个以上的第2A荧光体部，并且所述B区域包含两个以上的第IB荧光体部和两个以上的第2B荧光体部， (iii)所述A区域中相邻的第IA荧光体部和第2A荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，所述B区域中相邻的第IB荧光体部和第2B荧光体部在其边界面处沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，(iv)所述第IA突光体部含有第IA突光体,该第IA突光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光，(V)所述第2A突光体部含有第2A突光体,该第2A突光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IA荧光体发出的光更长的光的光，(vi)所述第IB荧光体部含有第IB荧光体，该第IB荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光的光，(vii)所述第2B荧光体部含有第2B荧光体，该第2B荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IB荧光体发出的光更长的光的光，(viii)能够调整从所述半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。此外，优选的方式为，该发光装置构成为通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件以改变所述荧光体层与所述半导体发光元件的相对位置的方式进行移动，能够调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例。此外，优选的是，关于所述荧光体层，在位于发光装置的光的射出侧的面中，设所述A区域中的所述第IA荧光体部所占面积的总和为Sai、所述A区域中的所述第2A荧光体部所占面积的总和为Sa2、所述B区域中的所述第IB荧光体部所占面积的总和为Sbi、所述B区域中的所述第2B荧光体部所占面积的总和为Sb2时，满足下式的条件SA2/SA1 ^ SB2/SB1 · · · ο此外，优选的是，关于所述荧光体层，在设所述A区域中的所述第IA荧光体部的厚度的总和为Tai、所述A区域中的所述第2A荧光体部的厚度的总和为Ta2、所述B区域中的所述第IB荧光体部的厚度的总和为TB1、所述B区域中的所述第IB荧光体部的厚度的总和为Tb2时，满足下式的条件ΤΑ2/ΤΑ1 Φ ΤΒ2/ΤΒ1 · · · 。优选的是，在所述荧光体层中，第IA荧光体与第IB荧光体的种类不同，并且/或者，第2A荧光体与第2B荧光体的种类不同。优选的是,关于所述突光体层，在突光体层的厚度方向上存在多种突光体的部分的面积相对于发光装置的光射出面积的比例为0%以上20%以下。优选的是，所述荧光体层具有遮光部，所述遮光部以防止从第IA荧光体部发出的光入射到第2A荧光体部的方式配置在所述第IA荧光体部与第2A荧光体部之间，并且/或者，所述遮光部以防止从第IB荧光体部发出的光入射到第2B荧光体部的方式配置在所述第IB荧光体部与第2B荧光体部之间。优选的是，在所述A区域与B区域之间还具有X区域，(i)所述X区域包含两个以上的第IX荧光体部和两个以上的第2X荧光体部，( ii )在所述X区域中，相邻的第IX荧光体部和第2X荧光体部在其边界面处，沿着与荧光体层的厚度方向垂直的方向配置，(iii)所述第IX荧光体部含有第IX荧光体，该第IX荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述半导体发光元件发出的光更长的成分的光， (iv)所述第2X荧光体部含有第2X荧光体，该第2X荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出包含波长比所述第IX荧光体发出的光更长的成分的光，(V)在设所述X区域中的所述第IX荧光体部所占面积的总和为Sxi、所述X区域中的所述第2X荧光体部所占面积的总和为Sx2时，满足下式和的条件SA2/SA1 Φ SX2/SX1 · · · SB2/SB1 关 SX2/SX1 · · · 。优选的是，在所述发光装置中，荧光体层被配置成，通过调整从半导体发光元件照射到所述A区域和B区域的光的比例，能够将该发光装置发出的光调整为色度图中位于以下直线上的任意色度，所述直线是连接从A区域发出的光的色度A (xA, yA)和从X区域发出的光的色度X (Χχ, yx)的直线，或者是连接从B区域发出的光的色度B (xB，yB)和从X区域发出的光的色度X (xx，yx)的直线。优选的是,所述色度X (xx，yx)位于连接所述色度A (xA，yA)和所述色度本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：木岛直人，胜本觉成，与安史子，树神弘也，横尾敏明，武田立，大中修治，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：
国别省市：
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