本发明专利技术的课题在于提供一种发光装置，该发光装置通过减少荧光体彼此之间的光的自吸收，并且减少密封树脂对荧光的吸收而提高了荧光体的发光效率，并且防止荧光体的光散射而提高了来自荧光体层的光的取出效率。发光装置构成为具有半导体发光元件和荧光体层，其中，通过形成荧光体层所包含的荧光体的粒度分布和荧光体层所包含的荧光体的填充率为特定值的致密的荧光体层，由此解决了其课题。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及发光装置，尤其涉及具有发光效率高、且光取出效率高的荧光体层的发光装置。
技术介绍
关于使用了半导体发光元件的发光装置，在覆盖发光元件的密封树脂中保持着荧光体，用荧光体对从发光元件照射的光进行颜色转换并照射到外部。例如，在专利文献I中，记载了如下技木在具有包含荧光体和密封树脂的荧光体层的发光装置中，通过将荧光体层的膜厚和其中含有的荧光体的填充率设为特定值，能够防止电连接半导体发光元件的 接合线的断线。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2008 — 251664号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题但是，专利文献I所记载的发光装置使用了厚度较大的荧光体层，因而在荧光体层中从配置于接近半导体发光元件的位置处的荧光体发出的荧光中，到达光射出面之前被相同种类的荧光体自吸收的比例较大，并且，到达光射出面之前被密封树脂吸收的比例较大，其结果，存在荧光体层的发光效率变低的课题(第I课题)。此外，由于使用了厚度较大的荧光体层，因而在荧光体层中从配置于接近半导体发光元件的位置处的荧光体发出的荧光中，到达光射出面之前被其他荧光体散射的比例较大，其结果，存在荧光体层的光取出效率变低的课题(第2课题)。此外，在荧光体层中混合含有发光色不同的多种荧光体的情况下，会产生某ー种荧光体发出的荧光被其他种类的荧光体吸收的现象、即所谓的级联激发，从而存在荧光体层的发光效率变低的课题(第3课题)。并且，在像专利文献I所记载的发光装置那样构成为荧光体层直接覆盖半导体发光元件的情况下，随着半导体发光元件的光输出变高，不仅半导体发光元件的温度上升，而且由于荧光体的顔色转换时的损失所产生的热量，荧光体的温度也上升，其结果，存在半导体发光元件和荧光体层的发光效率变低的课题(第4课题)。此外，在使用发出紫外光到近紫外光的半导体发光元件、和能够被来自上述半导体发光元件的光激发而发出可见光的荧光体来构成发光装置的情况下，当来自上述半导体发光兀件的光中未被突光体层转换为可见光而直接输出的光的比例变多时，存在突光体层的发光效率变低的课题(第5课题)。并且，在使用发出紫外光到近紫外光的半导体发光元件、和能够被来自上述半导体发光元件的光激发而发出可见光的荧光体来构成发光装置的情况下，当从荧光体层发出的可见光中射出到半导体发光元件侧的光的比例变多时，存在发光装置的发光效率变低的课题(第6课题)。此外，在像专利文献I所记载的发光装置那样，荧光体层直接覆盖半导体发光元件的情况下，存在如下课题如果不是能够移动荧光体层或半导体发光元件的位置、或者能够将它们拆下进行更换的结构，就不能容易地改变发光装置的发光光谱(第7课题)。用于解决课题的手段本专利技术人为了解决上述第I课题和第2课题而反复进行了深刻研究，着眼于发光装置所具备的荧光体层的结构。并且，发现了如下情况而完成了本专利技术通过使用荧光体层的膜厚和荧光体层中含有的荧光体的填充率为特定值的、薄且致密的荧光体层，能够减少荧光体彼此之间的光的自吸收而提高荧光体的发光效率，并且能够防止荧光体的光散射而提高来自荧光体层的光的取出效率。本专利技术是一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该发光装置的特征在干， (i)所述半导体发光元件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，(ii)所述荧光体层包含荧光体，该荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光，(iii)所述荧光体层含有体积填充率为15%以上的所述荧光体，( iv)在所述荧光体层中，所述荧光体的体积基准的平均粒径Dv与个数基准的平均粒径Dn之比(DノDn)为I. 2以上25以下。此外，优选的方式为，所述荧光体层具有所述荧光体的体积基准的中位直径D5tlv的2倍以上10倍以下的厚度。此外，优选的方式为，所述荧光体的所述体积基准的中位直径D5tlv为2 μ m以上30 μ m以下。此外，本专利技术是一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该发光装置的特征在干，(i)所述半导体发光元件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，(ii)所述荧光体层包含荧光体，该荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光，(iii)所述荧光体层具有所述荧光体的体积基准的中位直径D5tlv的2倍以上10倍以下的厚度，( iv)在所述荧光体层中，所述荧光体的体积基准的平均粒径Dv与个数基准的平均粒径Dn之比(DノDn)为I. 2以上25以下。此外，优选的方式为，所述荧光体层的最大厚度与最小厚度之差为所述荧光体层的体积基准的中位直径D5tlv以下。此外，本专利技术是一种发光装置，其构成为具有半导体发光元件和荧光体层，该发光装置的特征在干，(i)所述半导体发光兀件发出具有350nm以上520nm以下的波长的光，(ii)所述荧光体层包含荧光体，该荧光体能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的光，(iii)在所述荧光体层中，所述荧光体的体积基准的平均粒径Dv与个数基准的平均粒径Dn之比(D/Dn)为1. 2以上25以下，(iv)所述荧光体层的最大厚度与最小厚度之差为所述荧光体层的体积基准的中位直径D5tlv以下。此外，优选的方式为，所述荧光体层包含粘合树脂。此外，优选的方式为，所述荧光体在发光光谱的发光波长区域和激发光谱的激发波长区域中波长范围重叠。此外，优选的方式为，所述荧光体含有 第I荧光体，其能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述半导体发光元件发出的光更长的第I光；以及第2荧光体，其能够被所述半导体发光元件发出的光激发而发出波长比所述第I光更长的第2光。此外，优选的方式为，所述第2荧光体是能够被所述第I光激发而发出波长比所述第I光更长的第2光的荧光体。此外，优选的方式为，所述第I荧光体的D5tlv的值与所述第2荧光体的D5tlv的值之差为Iym以上。此外，为了解决第3课题，优选的方式为，所述荧光体层具有第I发光部件和第2发光部件，( i )所述第I发光部件含有所述第I荧光体，(ii)所述第2发光部件含有所述第2荧光体，(iii)在所述突光体层中，第I发光部件和第2发光部件在与突光体层的厚度方向垂直的方向上分别作为独立的部件而形成。此外，为了解决第4课题，优选的方式为，关于所述发光装置，所述半导体发光元件与所述荧光体层之间的距离为O. Imm以上500mm以下。此外，为了解决第5课题，优选的方式为，所述发光装置在所述荧光体层的靠发光装置的光射出面的ー侧具有带通滤光器，该带通滤光器对所述半导体发光元件发出的光的至少一部分进行反射，并且使所述荧光体发出的光的至少一部分透过。此外，为了解决第6课题，优选的方式为，所述发光装置在所述荧光体层的靠所述半导体发光元件的ー侧具有带通滤光器，该带通滤光器使所述半导体发光元件发出的光的至少一部分透过，并且对所述荧光体发出的光的至少一部分进行反射。此外，为了解决第7课题，优选的方式为，所述荧光体层包含发光光谱不同的A区域和B区域，所述发光装置通过使所述荧光体层或所述半导体发光元件在与荧光体层的厚度方向垂直的方向上移动，能够调整从所述半导体发光元件照射到A区域和B区域的光的比例。专利技术效果根本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：木岛直人，横尾敏明，胜本觉成，树神弘也，与安史子，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：
国别省市：
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