形成发光二极管的波长转换层的方法技术

技术编号:8134059 阅读:182 留言:0更新日期:2012-12-27 12:42
通过把能量(50,54,58)提供给波长转换材料的颗粒(38)并使得所述颗粒(38)与表面(15)接触,从而该能量使得该颗粒(38)附着至所述表面(15),以形成一层波长转换材料(32)。在某些实施例中,波长转换材料(32)是磷光体,且所述表面(15)是半导体发光器件的表面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及ー种形成波长转换层的方法。
技术介绍
包括发光二极管(LED)、共振腔发光二极管(RCLED)、垂直腔激光二极管(VCSEL)以及边缘发射激光器的半导体发光器件是目前可获得的最有效的光源。在能够跨越可见光谱运转的高亮度发光器件的制造中,目前受关注的材料系统包括III-V族半导体,尤其是镓、铝、铟和氮的ニ元、三元和四元合金,也被称为III族氮化物材料。典型地,通过金属有机化学气相沉积(M0CVD)、分子束外延(MBE)或其他外延技术在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物、或其他合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂浓度的半导体层的堆叠来制造III族氮化物发光器件。堆叠通常包括形成在衬底上的例如掺杂有Si的ー个或多个η型层,形成在 (多个)η型层上的有源区中的ー个或多个发光层,以及形成在有源区上的例如掺杂有Mg的ー个或多个P型层。在η型和P型区域上形成电接触。III族氮化物LED通常与诸如磷光体或染料的波长转换材料结合。与ー种或多种波长转换材料结合的LED可以用于产生白光或其他顔色的単色光。由LED发射的全部光或仅一部分光可以由波长转换材料转换。未转换的光可以是光的最終光谱的一部分本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.11 US 12/704,3291.一种方法,包括 向波长转换材料的颗粒提供能量;以及 使得所述颗粒接触表面; 其中所述能量使得所述颗粒一经与所述表面接触就附着至所述表面。2.如权利要求I所述的方法,其中提供能量包括加热。3.如权利要求2所述的方法,其中加热包括加热直至所述颗粒熔化。4.如权利要求I所述的方法,其中提供包括将所述颗粒暴露于红外光辐射。5.如权利要求I所述的方法,其中提供包括将所述颗粒暴露于微波。6.如权利要求I所述的方法,其中提供能量包括加速。7.如权利要求I所述的方法,其中所述表面是半导体发光器件的表面。8.如权利要求I所述的方法,其中所述表面是透明的板。9.如权利要求I所述的方法,其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员:JD克梅特
申请(专利权)人:皇家飞利浦电子股份有限公司飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司
类型:
国别省市:

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