波长转换构件及其制造方法技术

波长转换构件的制造方法包括下述工序：配置工序，将荧光体陶瓷层配置在基材上；去除工序，将荧光体陶瓷层的一部分去除，使得沿与基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置多个荧光体陶瓷元件；形成工序，以被覆荧光体陶瓷元件的表面的方式在基材上形成含有无机物的被覆层；以及，切断工序，以包括至少1个荧光体陶瓷元件的方式将被覆层和基材沿厚度方向切断。

Wavelength conversion member and method of manufacturing the same

Manufacturing method of wavelength conversion member comprises the following steps: the configuration process, the phosphor ceramic layer arranged on a substrate; the removal process will remove part of the phosphor ceramic layer, the thickness of the substrate along the direction orthogonal with the direction of the interval configuration of a plurality of ceramic components; forming process with surface coated phosphor ceramic element. In the substrate to form a coating layer containing inorganic material; and a cutting process to include at least 1 way phosphor ceramic element will coating layer and substrate is cut along the thickness direction.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及波长转换构件及其制造方法，详细而言，涉及波长转换构件的制造方法及通过该方法制造的波长转换构件。
技术介绍
发光二极管装置一般安装在基板的表面，具备发出蓝色光的LED(发光二极管元件)、能够将蓝色光转换成黄色光的设置在LED上的荧光体层和对LED进行封装的封装层。这种发光二极管装置由封装在封装层中的LED发光，通过透过荧光体层的蓝色光与在荧光体层中蓝色光的一部分经波长转换得到的黄色光的混色来发出白色光。作为制造这种发光二极管装置的方法，提出了以下方法(例如参见专利文献1。)。即，提出了以下方法：首先，在透明封装层设置凹部，通过灌注在该凹部注入固化性的荧光体组合物，使其固化，由此制作具备透明封装层和荧光体层的波长转换片，接着，在波长转换片的荧光体层的表面埋设LED。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-187227公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，发光二极管装置、半导体激光装置等半导体发光装置有时会装备高功率(高输出功率)的光源。用波长转换片对这种高功率的光进行波长转换的情况下，波长转换片需要高度的耐热性。因此，研究在波长转换片中使用耐热性优异的荧光体陶瓷。然而，对于荧光体陶瓷而言，由于会将荧光体在高温(例如1000℃以上)下烧结，因此存在无法如上述专利文献1的方法那样通过灌注荧光体组合物并使其固化来形成的不利情况。本专利技术的目的在于提供能够简便且工业化地制造波长转换构件的方法及通过该方法制造的耐热性优异的波长转换构件。用于解决问题的方案本专利技术的波长转换构件的制造方法的特征在于，该方法包括下述工序：配置工序，将荧光体陶瓷层配置在基材上；去除工序，将前述将荧光体陶瓷层的一部分去除，使得沿与前述基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置多个荧光体陶瓷元件；形成工序，以被覆前述荧光体陶瓷元件的表面的方式在前述基材上形成含有无机物的被覆层；以及，切断工序，以包括至少1个前述荧光体陶瓷元件的方式将前述被覆层和前述基材沿厚度方向切断。此外，对本专利技术的波长转换构件的制造方法而言，适宜的是，前述形成工序包括将陶瓷墨或固化性树脂组合物涂布在前述基材上并使其固化的工序，所述固化性树脂组合物含有无机氧化物颗粒和金属颗粒中的至少1种无机颗粒以及固化性树脂。此外，对本专利技术的波长转换构件的制造方法而言，适宜的是，前述去除工序包括使用刮板刮取前述荧光体陶瓷层的一部分的工序。此外，对本专利技术的波长转换构件的制造方法而言，适宜的是，前述基材为易剥离性片。本专利技术的波长转换构件的特征在于，通过上述制造方法得到。专利技术的效果本专利技术的波长转换构件的制造方法能够简便且工业化地制造具备荧光体陶瓷元件和被覆其表面的被覆层的波长转换构件。通过本专利技术的制造方法得到的本专利技术的波长转换构件的耐热性优异。附图说明图1A、图1B、图1C、图1D、图1E、图1F、图1G、图1H和图1I是对制造本专利技术的波长转换构件的一个实施方式的方法进行说明的剖面工序图，图1A示出准备坯片的工序，图1B示出煅烧坯片的工序，图1C示出将荧光体陶瓷层配置于基材的工序，图1D示出刮取荧光体陶瓷层的一部分的工序，图1E示出得到荧光体陶瓷元件的工序，图1F示出形成固化性层的工序，图1G示出形成被覆层的工序，图1H示出切断被覆层和基材的工序，图1I示出得到波长转换构件的工序。图2示出图1E的工序的俯视图。图3示出具备本专利技术的波长转换构件的一个实施方式的半导体发光装置的剖视图。图4A、图4B、图4C、图4D和图4E是对制造本专利技术的波长转换构件的另一实施方式(荧光体陶瓷元件为剖视梯形的方式)的方法进行说明的剖面工序图，图4A示出刮取荧光体陶瓷层的一部分的工序，图4B示出得到荧光体陶瓷元件的工序，图4C示出形成被覆层的工序，图4D示出切断被覆层和基材的工序，图4E示出得到波长转换构件的工序。图5A和图5B是对制造本专利技术的波长转换构件的另一实施方式(仅在荧光体陶瓷元件的侧面被覆有被覆层的方式)的方法进行说明的剖面工序图，图5A示出形成被覆层的工序，图5B示出得到波长转换构件的工序。具体实施方式参照图1A～图1I对波长转换构件1的制造方法进行说明。需要说明的是，以图1A～图1I的纸面上下方向为“上下方向”(第1方向、厚度方向)，纸面上侧为上侧，纸面下侧为下侧。此外，以图1A～图1I的纸面左右方向为“宽度方向”(第2方向、左右方向、与第1方向正交的方向)，纸面右方向为右侧，图1A～图1I的纸面左方向为左侧。此外，以图1A～图1I的纸张厚度方向为“前后方向”(第3方向、与第1方向和第2方向正交的方向)，图1A～图1I的纸张厚度靠近读者的一侧为前侧，图1A～图1I的纸张厚度远离读者的一侧为后侧。对于图1A～图1I以外的附图，也以图1A～图1I的方向为基准。波长转换构件1的制造方法包括下述工序：准备坯片2的工序，煅烧坯片2的工序，将荧光体陶瓷层3配置于基材4的工序，刮取荧光体陶瓷层3的一部分的工序，得到荧光体陶瓷元件5的工序，形成固化性层6的工序，形成被覆层7的工序，切断被覆层7和基材4工序和得到波长转换构件1的工序。首先，如图1A所示，准备坯片2(准备工序)。坯片2例如通过将含有荧光体材料、粘结剂树脂和溶剂的浆料涂布在脱模片8的上表面并干燥来形成。作为荧光体材料，是构成后述荧光体的原材料，例如从氧化铝、氧化钇、氧化铈、氧化锆、氧化钛、还有进一步使其他元素活化而得到的物质等中适当选择来制备。粘结剂树脂使用坯片2的制作中使用的公知的粘结剂树脂即可，例如可列举出：丙烯酸类聚合物、缩丁醛类聚合物、乙烯基类聚合物、聚氨酯类聚合物等。优选列举出丙烯酸类聚合物。对于粘结剂树脂的含有比例，相对于荧光体材料与粘结剂树脂的总体积量，例如为5体积％以上，优选为20体积％以上，并且，为80体积％以下，优选为60体积％以下。作为溶剂，可列举出：例如水，例如丙酮、甲乙酮、甲醇、乙醇、甲苯、丙酸甲酯、甲基溶纤剂等有机溶剂。对于溶剂的含有比率，在浆料中，例如为1～30质量％。在浆料中可以根据需要而含有分散剂、增塑剂、烧结助剂等公知的添加剂。接着，将上述成分按上述比例配混，用球磨机等进行湿式混合，由此制备浆料。接着，将浆料利用刮刀、照相凹版涂布机、喷注涂布机、铸涂机、旋转涂布机、辊涂布机等公知的涂布方法涂布在脱模片8的上表面，进行干燥，由此形成坯片2。作为脱模片8，可列举出：例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜等聚酯薄膜，例如聚碳酸酯薄膜，例如聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烃薄膜，例如聚苯乙烯薄膜，例如丙烯酸薄膜，例如有机硅树脂薄膜、氟树脂薄膜等树脂薄膜等。进而，还可列举出：例如铜箔、不锈钢箔等金属箔。优选列举出树脂薄膜，进一步优选列举出聚酯薄膜。为了提高脱模性，可根据需要而对脱模片8的表面实施脱模处理。脱模片8的厚度从例如操作性、成本的角度来看，例如为10～200μm。如此得到的坯片2是荧光体陶瓷层3(荧光体陶瓷片)的烧结前陶瓷，形成为俯视大致矩形的平板形状。需要说明的是，关于坯片2，为了获得所期望的厚度，也可以通过利用热层压将多个(多层)坯片2层叠来形成。坯片2的厚度例如为10μm以上，优选为30μm以上，并且，例如为500μm以下，优选为200μm以下。接着，如图1B所示，煅烧坯片2(煅烧工序)。煅烧温度例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波长转换构件的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：配置工序，将荧光体陶瓷层配置在基材上；去除工序，将所述荧光体陶瓷层的一部分去除，使得沿与所述基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置多个荧光体陶瓷元件；形成工序，以被覆所述荧光体陶瓷元件的表面的方式在所述基材上形成含有无机物的被覆层；以及，切断工序，以包括至少1个所述荧光体陶瓷元件的方式将所述被覆层和所述基材沿厚度方向切断。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.04.23 JP 2014-089576;2015.02.27 JP 2015-039031.一种波长转换构件的制造方法，其特征在于，该方法包括下述工序：配置工序，将荧光体陶瓷层配置在基材上；去除工序，将所述荧光体陶瓷层的一部分去除，使得沿与所述基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置多个荧光体陶瓷元件；形成工序，以被覆所述荧光体陶瓷元件的表面的方式在所述基材上形成含有无机物的被覆层；以及，切断工序，以包括至少1个所述荧光体陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：白川真广，藤井宏中，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP