发光二极管和制造发光二极管的方法技术

本发明专利技术揭示发光二极管和制造发光二极管的方法。在一个实施例中，一种用于制造发光二极管LED的方法包括将第一光转换材料涂覆至所述LED上的第一区域，以及将第二光转换材料涂覆至所述LED上的第二不同区域。所述LED的一部分将在涂覆所述第一光转换材料和所述第二光转换材料之后暴露出。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体涉及。
技术介绍
发光二极管(LED)是用于计算机监视器、电视、移动电话、数码相机和多种其它电子装置和应用的明亮光的有效来源。白光LED还可在一般照明、建筑、户外、商用和/或住宅照亮中使用。然而，不能得到真正的白光LED，因为LED通常仅以一个特定波长发射。为了使人眼感知到白光，需要波长的混合。—种用于用LED仿效白光的常规技术包含将光转换材料(例如,磷光体)沉积在·基底材料(例如，氮化铟镓(InGaN))上。在操作中，InGaN基底材料发射刺激光转换材料发射黄光的蓝光。因为黄光刺激人眼的红色和绿色受体，所以如果基底材料与光转换材料适当地匹配，则对眼睛来说，蓝光和黄光的所得混合看起来像白色。然而，如果未适当地匹配，则组合的发射呈现灰白色，且可能降低电子装置的色彩保真度
技术实现思路
附图说明图IA是根据技术的实施例配置的携载微电子装置的代表性微电子工件的部分示意性说明；图IB是自图IA所示的工件单个化出的微电子装置的示意性说明；图2A至6说明根据技术的实施例的用于选择性地将光转换材料涂覆至LED上的方法的各个阶段；图7是根据技术的另一实施例的在选择性地将光转换材料涂覆至LED上之后的微电子工件的部分的部分示意性俯视图；以及图8是根据技术的又一实施例的在选择性地将光转换材料涂覆至LED上之后的微电子工件的部分的部分示意性俯视图。具体实施例方式以下描述上面形成有LED的微电子工件和制造此种LED的方法的各种实施例。术语“微电子工件”贯穿全文用以包含在上面和/或其中制造有微电子装置、微机械装置、数据存储元件、读取/写入组件和其它特征的衬底。衬底可为(例如)半传导片(例如，硅晶片、砷化镓晶片或其它半导体晶片)、非传导片(例如，各种陶瓷衬底)或传导片。未详细展示或描述熟知结构、系统和通常与此种系统相关联的方法以避免不必要地混淆对技术的各种实施例的描述。因此，所属领域的技术人员将理解，技术可能具有额外实施例，且技术可在没有以下参看图IA至8所展示和描述的元件中的若干者的情况下加以实践。图IA是呈包含多个微电子装置或组件120的半导体晶片110的形式的微电子工件100。可对晶片级的微电子工件100进行以下所描述的处理中的至少一些，且在已自较大晶片110单个化装置120之后，可对微电子工件100的个别微电子装置120进行其它处理。因此，除非另有说明，否则以下在微电子工件的情况下所描述的结构和方法可适用于晶片110、自晶片110形成的装置120和/或附接至支撑部件的一个或一个以上装置120的组合件。图IB是个别装置120在其已自图IA所展示的晶片110单个化之后的示意性说明。装置120可包含可操作微电子结构,其任选地装入保护性囊封物(encapsulant)内。举例来说，装置120可包含InGaN和/或其它类型的LED、晶体管、电容器、色彩滤光片、镜和/或其它类型的电/机械/光学组件。装置120可通过插脚、结合衬垫、焊球、再分配结构和/或其它传导结构电连接至外部结构装置。图2A至6说明根据技术的实施例用于选择性地将光转换材料涂覆至LED上的方法的各个阶段。如以下所更详细描述，可将一种或一种以上光转换材料或转换器材料(例如，磷光体)涂覆至工件或晶片上的每一 LED的离散区上。术语“磷光体”通常指代在暴露 于受激粒子(例如，电子和/或光子)之后可持续发光的材料。光转换材料可经图案化或选择性地涂覆至每一 LED上以帮助补偿横越晶片的色彩变化。另外，可使用本文中所描述的方法来精确地调谐或控制晶片上的个别组件的色彩。图2A是在将任何光转换材料涂覆至工件200上之前处于初始处理阶段的微电子工件200的部分的部分示意性俯视图。图2B是实质上沿着图2A的线2B-2B所截取的部分示意性侧视横截面图。一起参看图2A和2B，微电子工件200包含具有前侧或作用侧204 (图2B)和形成于前侧204处的LED210(例如，InGaN LED)(图2B)的半导体衬底202。虽然仅展示单一 LED210，但将了解，可同时或大致同时横越工件200对多个装置执行本文中参看图2A至6所描述的方法。工件200可包含大体上类似于上文参看图IA和IB所描述的工件100的若干特征。举例来说，衬底202可为具有以裸片图案布置在晶片上的多个微电子装置或组件(例如，LED210)的半导体晶片。个别LED210还包含端子212(例如，如图2A所示的结合衬垫)和电率禹合至端子212的电路(未图不)。一种用于形成InGaN LED的技术可包含在金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺中经由外延成长依序地将N型掺杂GaN、InGaN和P型掺杂GaN材料涂覆于蓝宝石(A1203)和/或硅(Si)衬底上。然而，在其它实施例中，可使用其它合适技术来形成LED210。可使用多种不同方法选择性地将光转换材料涂覆至LED210。在所说明的实施例中，例如，将第一掩模或光罩220定位于LED210之上。第一掩模220包含对应于用于LED210上的第一光转换材料(未图示一将在下文参看图3A和3B详细描述)的所要图案的多个孔隙或开口 222。第一掩模220可为与LED210的上表面间隔开的离散组件，或掩模220可由使用光刻和/或其它合适技术涂覆于LED210的上表面上(如图2B中的虚线所示)且经图案化的光阻材料或其它合适掩模材料组成。还可遮蔽端子212以防止处理期间的短路或污染。参看图3A和3B，第一光转换材料或第一转换器材料224 (例如，黄色磷光体)以所要图案涂覆于LED210上。可使用网版印刷工艺和/或其它合适方法来涂覆第一光转换材料224。如上文所提及，第一掩模220经配置以排除特定接触区，以使得第一光转换材料224仅选择性地涂覆至LED210的所要区域上。在所说明的实施例中，第一光转换材料224包括以选定图案布置在LED210上的多个块或“岛状物”。第一光转换材料224的个别部分通过多个第一间隙或通道225而彼此分离。图3A和3B中所展示的图案仅代表用于第一光转换材料224的一个特定图案。第一光转换材料224可以多种不同图案或布置涂覆至LED210上。第一光转换材料224可具有在受刺激时以所要波长进行发射的组合物。举例来说，在一个实施例中，第一光转换材料224可包含以特定浓度含有掺铈(III)钇铝石榴石(Ce:YAG或YAG:Ce)的磷光体。此材料可在光致发光下发射自绿色至黄色且至红色的宽范围的色彩。在其它实施例中，第一光转换材料224可包含掺钕YkG、银-铬双掺YAG、掺铒YAG、掺镱YAG^jc -铈双掺YAGjjC -铬-铥三掺YAG、掺铥YAG、掺铬(IV) YAG、掺镝YAG、掺钐YAG、掺铽YAG和/或其它合适磷光体组合物。在其它实施例中，第一光转换材料224可包含铕磷光体(例如，CaS: Eu、CaAlSiN3: Eu、Sr2Si5N8: Eu、SrS: Eu、Ba2Si5N8: Eu、Sr2SiO4: Eu、SrSi2N2O2: Eu、SrGa2S4: Eu> SrAl2O4: Eu> Ba2SiO4: Eu> Sr4Al14O25: Eu、SrSiAl2O3N: Eu、BaMgAl10O17: Eu> Sr2P2O7: Eu本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：查尔斯·M·沃特金斯，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：
国别省市：