电阻变化型非易失性存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术的电阻变化型非易失性存储装置（100）具备配置在多个第一信号线与多个第二信号线之间的交叉点上的多个存储单元（10），多个存储单元（10）分别包括电阻变化元件（1）以及与电阻变化元件（1）串联连接的电流控制元件（2），电阻变化型非易失性存储装置（100）具备写入电路（105）、行选择电路（103）及列选择电路（104），写入电路（105）按以下顺序依次选择块（120），并对所选择的块（120）中包含的多个存储单元（10）进行初始击穿，该顺序为：从配置在与行选择电路（103）及列选择电路（104）中的一方电路远的位置上的块（120）向配置在与上述一方电路近的位置上的块（120）的顺序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有存储单元的电阻变化型非易失性存储装置，该存储单元具有电阻值根据电信号可逆地变化的电阻变化元件和电流控制元件。
技术介绍
近年来，正在推进具有存储单元的非易失性存储装置的研发，该存储单元由电阻变化元件构成。电阻变化元件是具有电阻值根据电信号可逆地变化的性质、并且非易失性地存储与该电阻值对应的数据的元件。作为使用了电阻变化元件的非易失性存储装置，一般已知的非易失性存储装置是称作所谓ITlR型交叉点存储器，其将存储单元以矩阵状阵列配置而成。在该ITlR型交叉点存储器中，在正交配置的位线和字线的交点位置上配置了存储单元，该存储单元包含串联连接的晶体管和电阻变化元件。此外，为了进一步实现高集成化，已知一种非易失性存储装置，该非易失性存储装置称作所谓的IDlR型交叉点存储器，其将存储单元按矩阵状阵列配置而成。在该IDlR型交叉点存储器中，在正交配置的位线和字线之间的交点位置所配置了存储单元。该存储单元包含发挥电流控制元件的功能的双向二极管元件；以及与双向二极管元件串联连接的电阻变化元件。此外，还已知一种将多层的IDlR型交叉点存储器的存储单元层叠而成的非易失性存储装置。以往，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田雄一郎，岛川一彦，东亮太郎，河合贤，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：